紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存：带宽、能效遥遥领先

紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存：带宽、能效遥遥领先本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇，最终录取212篇，只有2篇来自中国内地企业，其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，主要采用了低温混合键合技术(HybridBonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成，每个接口的数据速度都达到541Mbps，最终实现了业界领先的135GBps/Gbit带宽、0.66pJ/bit能效，基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。2020年，西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术，之后实现了多款产品的大规模量产，而这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368767.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1368767.htm

FlatBuffers 是一个跨平台序列化库，旨在最大限度地提高内存效率。 它允许您直接访问序列化数据而无需先对其进行解析/解包

FlatBuffers是一个跨平台序列化库，旨在最大限度地提高内存效率。它允许您直接访问序列化数据而无需先对其进行解析/解包，同时仍具有出色的向前/向后兼容性。FlatBuffers适用于C++、C#、C、Go、Java、Kotlin、JavaScript、Lobster、Lua、TypeScript、PHP、Python、Rust和Swift。它最初是在Google创建的，用于游戏开发和其他性能关键型应用程序。

三星推出“会思考”的HBM2内存，具备1.2 TFLOPS嵌入式计算能力

三星推出“会思考”的HBM2内存，具备1.2TFLOPS嵌入式计算能力https://www.expreview.com/78035.htmlProcessing-in-memoryinHighBandwidthMemory(PIM-HBM)，就是在HBM芯片里集成处理单元，以降低DRAM的访问成本。三星把自家的叫做"Function-InMemoryDRAM(FIMDRAM)"，宣称能耗降低71%，访问速度提至2.1倍。实际情况如何等成品出来再看吧。

mmap-sync：Rust写的并发数据访问库，使用内存映射文件、零拷贝反序列化，免等待同步。

：Rust写的并发数据访问库，使用内存映射文件、零拷贝反序列化，免等待同步。其核心mmap-sync是一个Synchronizer结构，它提供了一个带有“写入”和“读取”方法的简单接口，允许用户读取和写入任何T实现或派生某些rkyv特征的Rust结构体()。数据存储在共享映射内存中，允许Synchronizer同时“写入”和“读取”。这使得它成为mmap-sync管理共享、并发数据访问的高效且灵活的工具。