三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存 每个堆栈带宽达5TB/s

三星将推出代号为"Snowbolt"的HBM3P内存每个堆栈带宽达5TB/sZDNetKorea报道，三星于2023年4月26日向专利信息搜索服务机构（KIPRIS）提交了其最新DRAMHBM3PSnowbolt的商标申请。预计它将在今年下半年发布。Snowbolt是三星电子下一代HBMDRAM产品的品牌名称，目前仍未决定该名称是否用于哪一代产品。三星电子HBM分支的前几代产品是：Flarebolt：第一代HBM2内存Aquabolt：三星电子2018年的第二代HBM2内存Flashbolt：该公司的第三代HBM2E内存（2020）Icebolt：这种HBM3内存最初是以原型阶段发布的，但预计将在今年晚些时候量产在上个月给投资者和媒体的电话会议中，引用了三星电子的发言人的话说、我们已经向主要客户提供了HBM2和HBM2E产品，及时提供最高性能和最高能力的产品，满足AI市场的需求和技术趋势，以及HBM3（16GB和12GB）。然而，24GB的产品也正在进行采样，并且已经完成了大规模生产的准备工作。不仅是目前的HBM3，还有市场所需的性能和容量更高的下一代HBM3P产品，都在为下半年的上市做准备，其性能堪称业界一流。这将使HBM3P的整体性能比前代产品提高10%，此外，客户还将利用先进的高多层堆叠和内存宽度实现，预计明年HBM3P内将会出现。路线图还显示，到2025年，HBM3P将采用PIM（内存编程），到2026年将采用HBM4。更多的大型科技巨头正在利用高带宽的内存模块来大幅提高数据的进程，以增强机器学习的AI。在过去的几年里，HBM模块的市场呈指数级增长，HBM的销量慢慢超过了DRAM内存模块。三家公司占据了高带宽内存的市场份额，SK海力士、三星电子和美光。SKHynix占据了50%的市场份额。三星电子紧随SK海力士之后，占40%，美光落到第三位，只占剩余的市场占有率的10%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358143.htm

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

三星：已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减

三星：已完成16层混合键合HBM内存验证整体高度缩减它摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，从而大大提高了工作效率。这种创新不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到显著缩减，进一步提升了其集成度和便携性。尽管混合键合技术的成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点，但三星电子通过多元化的策略，积极应对这些挑战。在推进混合键合技术研究与应用的同时，公司还同步开发传统的TC-NCF工艺，以实现技术多样化，降低风险，并增强整体竞争力。据悉，三星设定的目标是将HBM4中的晶圆间隙缩减至7.0微米以内，这将进一步提升HBM4的性能和可靠性，为未来的计算应用奠定坚实基础。业内专家对此表示，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破，无疑将有力推动HBM内存技术的发展，为未来的计算应用提供更为强大的内存支持。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426696.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426696.htm

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型HBM存储芯片三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称HBM3E12H“将性能和容量提高了50%以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的Nvidia在基于更高层(12L)的更高密度(36GB)HBM3E产品方面的领先地位。三星表示，HBM3E12H具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其NCF材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙(7微米)，同时还消除了层间空隙。与HBM38H产品相比，这些努力使垂直密度提高了20%以上。”——