SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺SK海力士封装开发负责人LeeKang-Wook表示，该公司今年将在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是HBM作为最受欢迎的AI内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在HBM市场领先地位的关键。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105亿美元。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee在接受采访时表示，“半导体行业的前50年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee表示，SK海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee曾领导这两种技术的发明，现在均已成为HBM制造的基础核心技术。——

传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂

传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂USNews援引两位知情人士的话称：韩国电子巨头之一的SK海力士，正为其计划在美新设的先进芯片封装厂进行选址。如果一切顺利，新厂将于2023年1季度破土动工。预估投资总额达“数十亿”、可创造约1000个工作岗位，且有望于2025-2026年实现大规模生产。资料图在致路透社的一份声明中，SK海力士没有披露与这座新工厂有关的更多细节，但消息人士称其很有可能坐落于一所拥有充足工程人才的大学附近。此外该公司将构建一个全国性的研发合作伙伴和设施网络，并将自家存储芯片和其它美国公司设计的机器学习（ML）和人工智能（AI）应用逻辑芯片打包封装。据悉，作为美国面向半导体、绿色能源和生物科学项目的220亿美元一揽子投资计划的一部分，韩国SK集团于上月宣布了新厂计划。此外白宫方面表示，通过支持鼓励材料和先进封测设施的研发项目，该计划将向半导体行业拨付150亿美元的资金。消息人士称，芯片研发设施与封装工厂都可从中分得一杯羹。此前出于国际分工的考量，美国芯片厂商习惯了将低价值的封测业务交给亚洲地区的海外工厂。然而随着先进封装技术竞赛日趋白热化，美国政府正试图通过《芯片法案》和配套激励措施来提升本土制造的竞争力。本周签署的该法案，为芯片研发制造领域提供了520亿美元的补贴。此外对于芯片工厂来说，还有240亿美元的税收抵免。最后，除了最新宣布在美设厂以获得补贴资格的SK海力士，台积电、三星、英特尔也都宣布了一系列扩张计划。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1303705.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1303705.htm

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——