华为测试蛮力方式制造更先进的芯片

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片华为公司和中国一家秘密的芯片制造合作伙伴已为一种低技术但可能有效的先进半导体制造方法申请了专利。根据提交的专利申请,这两家公司正在开发涉及自对准四重成像(SAQP)的技术,这可能使他们无需ASML最先进的EUV光刻设备即可生产先进芯片。国资背景的硅开利、北方华创也在探索SAQP技术。尽管美国试图阻止中国制造先进芯片,但该方法仍有可能帮助中国使用过时工具制造某些5nm芯片。该技术曾在10nm以前的工艺中使用,但因为多重步骤带来制造成本上升和良率下降,在7nm以后的先进制程节点中现已被EUV全面替代。——

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华为将用于制造小于10纳米芯片的EUV光刻工具组件申请专利

华为将用于制造小于10纳米芯片的EUV光刻工具组件申请专利华为已经为EUV光刻系统中使用的一个组件申请了专利,该组件是在10纳米以下节点上制造高端处理器所必需的。它解决了紫外线产生的干扰图案问题,否则会使晶圆不平整。华为已经解决了芯片制造最后一步的一个问题,这个问题是由极紫外光(EUV)的微小波长造成的。它的专利描述了一个镜子阵列,它将光束分成多个子光束,这些子光束与它们自己的微观镜子碰撞。这些镜子中的每一个都以不同的方式旋转,在光线中形成不同的干涉模式,这样当它们重新结合时,干涉模式就会抵消,从而形成一个统一的光束。图为ASML光刻机内的镜子的效果图EUV光刻系统目前由荷兰公司ASML独家制造。EUV光刻技术依靠的是与老式光刻技术相同的原理,但使用波长约为13.5纳米的光,这几乎已经是一种X射线。ASML公司从快速移动的直径约为25微米的熔融锡液滴中产生紫外光。"当它们落下时,这些液滴首先被一个低强度的激光脉冲击中,将它们压扁成薄饼状。然后,一个更强大的激光脉冲将被压扁的液滴汽化,形成一个发射EUV光的等离子体。为了产生足够的光来制造微芯片,这个过程每秒钟要重复5万次",ASML解释说。华为专利中的反射镜示意图ASML投入了超过60亿欧元和17年的时间来开发第一批可以销售的EUV光刻机。但在它们完成之前,美国政府向荷兰政府施压,禁止向中国出口,限制中国使用较老的DUV(深紫外)技术。目前,只有五家公司正在使用或已经宣布计划使用ASMLEUV光刻系统。美国的英特尔和美光,韩国的三星和SK海力士,以及台湾的台积电。像华为这样的中国科技公司以前可以把他们的设计送到台积电这样的工厂,用EUV光刻技术进行生产。但自从美国对一系列芯片企业实施制裁后,这种可能性就越来越小了。华为需要获得使用EUV光刻技术的先进节点,以继续改进其定制的处理器,这些处理器的目标客户包括从智能手机到数据中心。在制造自己的EUV系统之前,它还有很长的路要走,但他们得到了大量的资金和政府的支持,以实现这一目标。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336291.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1336291.htm

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中国在芯片技术方面悄然取得进展,以减少对先进 ASML 光刻机的依赖

中国在芯片技术方面悄然取得进展,以减少对先进ASML光刻机的依赖据知情人士透露,中国的北方华创科技集团上个月开始研发光刻系统,中国本土的半导体设备制造商试图在不使用荷兰巨头阿斯麦最新设备的情况下生产先进芯片,这一突破可能会挫败美国遏制中国芯片制造能力的企图。这些努力涉及中国半导体供应链的多个参与者,并取得了初步研究进展,华为技术有限公司上个月申请的一项专利披露了一种称为“自对准四重图案化(SAQP)”的技术,该技术通过在硅片上多次蚀刻线路,提高晶体管密度,进而增强芯片性能。这项专利结合了先进的蚀刻和光刻技术,“可以提高电路图案设计的自由度”。彭博社曾报道,利用SAQP技术,使用深紫外光刻(DUV)设备中国就可以制造出5纳米级芯片,而无需只有阿斯麦尔才能供应的更先进的极紫外(EUV)设备。知情人士透露,北方华创去年12月就拟定计划,要于今年3月开始研发光刻系统。北方华创发言人表示,报道的消息并不准确,但没有进一步说明详情。——

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前 ASML 员工被指控为中国盗窃芯片制造机密

前ASML员工被指控为中国盗窃芯片制造机密一名被指控盗窃有关先进芯片制造设备商业机密的前ASML员工,现在可能受雇于华为。据荷兰报纸NRC援引ASML内部和相关的几位匿名消息来源报道说,在这名员工离开ASML后,他现在可能在华为工作。今年早些时候,荷兰半导体设备供应商2022年年度报告中披露了这起盗窃案。当时,ASML没有具体透露哪些数据被盗,但向投资者保证,此次盗窃事件不会对其业务构成重大威胁。荷兰ASML是半导体行业的重要参与者,是用于生产7nm以下芯片的极紫外(EUV)光刻设备的唯一供应商。——

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让14nm秒变7nm?华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案

让14nm秒变7nm?华为辟谣开发出芯片堆叠技术方案甚至还附带了一份华为技术团队的官方通知。据新浪科技的最新消息,华为对此消息回应称,该通知为仿冒,属于谣言。希望大家能在“冲浪”的时候擦亮双眼,避免被蒙骗,也避免给企业造成不必要的负担。不过需要注意的是,其实华为确实一直在研究芯片堆叠方案,去年还被国家知识产权局公布了一项关于“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”的专利。其中显示,这项专利早在2019年10月30日就申请了,描述了一种芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备,涉及电子技术领域,用于解决如何将多个副芯片堆叠单元可靠的键合在同一主芯片堆叠单元上的问题。在去年3月底的华为2021年年报发布会上,华为轮值董事长郭平也表示,未来华为可能会采用多核结构的芯片设计方案,以提升芯片性能。同时,采用面积换性能、用堆叠换性能的方法,使得不那么先进的工艺,也能持续让华为在未来的产品里面,能够具有竞争力。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1349391.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1349391.htm

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国外专家:华为新麒麟和最先进的手机芯片尚有差距突破尚待时日此外,还举了华为Mate60手机的例子和长江存储的3D-NAND存储器的例子。那华为Mate60手机搭载的新麒麟芯片(麒麟9000S)和最先进的手机芯片还有多少差距呢?今年9月,全球著名的半导体行业观察机构TechInsights公开发布了他们对华为最新旗舰手Mate60Pro的拆解报告。在拆解完之后,TechInsights副主席DanHutcheson给出了如下评价:“这确实是一个令人惊叹的质量水平,是我们始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我们要祝贺中国,能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力,而且还在继续发展技术。”DanHutcheson认为,华为Mate60Pro搭载的芯片非常先进,它虽然没有最先进的芯片那么先进,但差距也在2-2.5节点范围内。北京邮电大学教授中国信息经济学会常务副理事长吕廷杰表示,2到2.5节点意味着我们跟先进制程的5G芯片还有3到5年的差距,这3到5年是西方国家用他们的技术进步速度来判断的,但是我们中国往往能用中国速度完成超越。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396299.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1396299.htm

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华为专利披露三纳米级工艺技术规划

华为专利披露三纳米级工艺技术规划今年早些时候,当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化(SAQP)光刻方法专利时,大多数人都认为这两家公司正在使用其5纳米级制造工艺制造芯片。显然,这并不是他们计划的极限,因为华为现在也期待将四重图案化用于3纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司(SiCarrier)也获得了SAQP专利,这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP指的是在硅片上反复雕刻线条,以提高晶体管的密度,降低功耗,从而提高性能。——

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