铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

台湾大地震导致部分苹果芯片生产线停产

台湾大地震导致部分苹果芯片生产线停产 台湾花莲县今日发生的大地震导致部分台积电芯片生产线停产，可能会影响苹果公司芯片的制造。熟悉台积电运营的消息人士称，台积电位于台南的 N3 晶圆厂遭受了结构性破坏，梁柱断裂，导致生产工作完全停滞，用于 7 纳米以下制程的 EUV 光刻机也已经停止运转，研发实验室也遭到严重破坏，例如墙壁出现裂缝。位于新竹的另一座晶圆厂也出现了管道破裂、大面积损坏，导致生产不得不停止。台积电的一些高端芯片，例如苹果 iPhone 15 Pro 和 Max 中搭载 3 纳米 A17 Pro 芯片需要在稳定真空环境中持续数周才能完成生产，因此一些已经投产的芯片哪怕没有直接损坏也会导致间接报废。 、

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。