美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制

美放宽对三星、SK海力士在华工厂的芯片设备出口管制 美国允许韩国三星电子和SK海力士在中国的工厂进口美国半导体设备。这些韩国芯片制造商在进口过程中，也无需经过单独的审批程序。 根据韩联社，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆星期一（10月9日）在记者会上宣布上述消息。 报道称，美国政府近期通过出口管制部门和国家安全委员会（NSC）经济安全对话渠道向韩方通报，决定将三星电子和SK海力士在华半导体工厂指定为“经验证最终用户”（VEU）。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，相当于美国对其出口管制无限期暂停。 来源：

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险

韩国SK海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险 三位知情人士表示，SK 海力士 的生产计划要求公司以荷兰艾司摩尔(ASML)的最新极紫外光(EUV)微影技术的芯片制造机为无锡厂的一个量产设施进行升级。 无锡这家工厂对全球电子行业至关重要，因其生产SK海力士约半数的动态随机存取记忆体芯片，占全球总量的15%。 一位了解SK海力士在中国运营情况的消息人士说，随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额，该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。 美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。 （）

SK海力士砸900多亿美元建半导体厂 南韩政府承诺支持

SK海力士砸900多亿美元建半导体厂 南韩政府承诺支持 南韩经济日报报导，SK海力士21日说，明年3月将在该厂区著手兴建四座工厂中的第一座，将是全球最大的三层楼晶圆厂。虽然SK海力士在2019年就宣布整个计划，但场址开发的进度却因许可程序的问题而延宕。SK海力士表示，透过中央和地方政府以及企业2022年达成的协议，这项计划已有进展。

SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证

SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证 SK 海力士 表示，已获得 LPDDR5T 与高通最新 Snapdragon 8 Gen 3 行动平台相容的验证，这是业界首例由美国公司验证的产品。LPDDR5T 为 SK 海力士 新开发版本，是第 8 代 LPDDR6 之前的升级产品。 自今年 1 月开发出 LPDDR5T DRAM 后，SK 海力士与高通进行相容性的验证合作，这个过程完成意味著将与 Snapdragon 8 Gen 3 相容。 随著高通及其他主要行动 AP（应用处理器）供应商的验证过程顺利完成，SK 海力士预计 LPDDR5T 应用范围将迅速扩大。此外，SK 海力士还计划提供一款 16GB 容量产品，由多个单个 LPDDR5T 晶片组成，其数据处理速度为每秒 77GB，相当于一秒内处理达 15 部全高清电影。

SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用

SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用 SK海力士公司对华为最新款手机中使用其芯片的情况展开调查，此前该设备的拆解显示了其内部的内存和闪存。 为彭博新闻社拆解该设备的 TechInsights 表示，总部位于深圳的华为 Mate 60 Pro 使用了 Hynix 的 LPDDR5 和 NAND 闪存。 据 TechInsights 称，这款手机的零部件几乎完全由中国供应商提供，而海力士的硬件是从海外采购材料的一个孤立例子。 总部位于利川的海力士公司发言人星期四在给彭博新闻社的一份声明中表示，“自美国对华为实施限制以来，该公司已不再与华为开展业务，针对这个问题，我们已开始调查以了解更多细节”。“SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。” 目前尚不清楚华为如何从海力士采购存储芯片，海力士的大部分半导体是在中国的工厂生产的。 一种可能性是，华为可能正在利用其早在 2020 年美国对其实施全面贸易限制之前积累的零部件库存。

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂

SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。