ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片 在ASML看来，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，将来有可能提高至220片。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。即便用于4/5nm芯片的生产，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更为高效且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是Twinscan NXE:3800E对于制造2nm芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3nm以下的制程节点受益。Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下来将带来新款Twinscan NXE:4000F，计划在2026年发布，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。 ... PC版： 手机版：

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升至60%，甚至引发了苹果内部讨论。有消息称，AMD已经和三星签约，将部分4nm芯片订单从台积电转移过去。 据Business Korea报道，三星已经将4nm工艺的良品率提升至75%，与台积电4nm工艺的80%良品率已经很接近了。三星在4nm工艺上取得了一系列的进展，使得不少芯片设计公司对其先进工艺再次产生了兴趣，比如高通和英伟达，增加了三星再次获得订单的可能性。 当三星的半导体制造工艺进入10nm及以下制程后，就遇到了一系列的问题，迟迟未能提升良品率就是其中之一，这也导致了三星主要客户先后转单到台积电。过去几年里，台积电拉大了与三星之间的差距，2022年的资本支出（CAPEX）和产能（CAPA）分别是三星的3.4倍和3.3倍，占据了90%的7nm及以下工艺市场份额。 市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。 标签: #三星 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入量产。在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET专业工艺技术，该工艺比28nm工艺性能提升了39%，功率效率提高了49%。 #抽屉IT