【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入

【三星年度代工论坛干货：首发17nm专业工艺】三星首批3nm芯片将于2022年上半年开始生产，而2nm工艺节点将于2025年进入量产。在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET专业工艺技术，该工艺比28nm工艺性能提升了39%，功率效率提高了49%。 #抽屉IT

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片 在ASML看来，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，将来有可能提高至220片。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。即便用于4/5nm芯片的生产，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更为高效且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是Twinscan NXE:3800E对于制造2nm芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3nm以下的制程节点受益。Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下来将带来新款Twinscan NXE:4000F，计划在2026年发布，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。 ... PC版： 手机版：

中国即将量产5纳米芯片 最早将于今年投产

中国即将量产5纳米芯片 最早将于今年投产 中芯国际和华为计划量产5纳米芯片，该计划有助于中国实现芯片自给自足的目标。中国多家龙头芯片企业预计，最早将于今年生产出下一代智能手机芯片。两位知情人士表示，中国最大的芯片制造商中芯国际已在上海建立一些新的半导体生产线，以量产由科技巨头华为设计的芯片。据知情人士透露，中芯国际的目标是利用其现有的美国和荷兰制造的设备来生产更小型的5纳米芯片。该生产线将生产由华为海思部门设计的麒麟芯片，并将用于其新版本的高端智能手机。 、

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：