台积电:2nm N2 工艺预计 2025 年量产,N3 家族将成另一大“摇钱树”

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台积电加速迈向 2nm 工艺,消息称高雄工厂正规划量产 N2P - IT之家

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三星:2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm

三星:2025年量产2nm工艺 2027年挺进1.4nm 据悉,三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪,最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用,它采用先进的后端供电网络(BSPDN)技术,可以提高电源效率。值得注意的是,三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺,与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%-46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。值得注意的是,在今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率。 ... PC版: 手机版:

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三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升

三星目标2025年量产2nm工艺 期待获得显著的性能和效率提升 据Business Korea报道,三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm(SF2)工艺中应用第三代GAA(Gate-All-Around)晶体管工艺技术特性的论文,并带来更多关键细节。三星称,新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%至46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。按照三星的规划,SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成,届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。三星的努力不仅仅在突破技术界限上,过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设,已经拥有50多个合作伙伴。今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率,以将用户体验提升到一个新的水平。与此同时,三星还计划推出第三代3nm工艺,继续提高密度并降低功耗,另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功,传闻早期的良品率仅为20%,主要用于生产加密货币使用的芯片,缺乏大客户的订单支持。 ... PC版: 手机版:

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【台积电首次公布2nm制程工艺,2025年量产】今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上,台积电(TSMC)正式公布未来先进制程路线图。其中,台积电3nm(N3)工艺将于2022年内量产,而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺,将于2025年量产。 #抽屉IT

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机构:台积电2nm量产将延迟至2026年底 Counterpoint Research半导体研究副总监Brady Wang表示,台积电的主要增长来自于先进制程技术。随着AI芯片的需求急剧增加,台积电在短期内的表现将更加亮眼。该机构表示,预计台积电2nm技术的量产将推迟至2026年,届时将随着苹果iPhone 19系列推出而登场。随着智能手机厂商转向采用入门级5G芯片,特别是新兴市场增长、消费者购买回升以及5G网络覆盖扩大推动下,4~5nm技术将成为另一个手机SoC芯片增长的重要来源。该机构分析,经过两年的显著下跌之后,智能手机SoC芯片市场预计在2024年将迎来复苏。预测2024年智能手机SoC芯片出货量将增长9%。这主要得益于旗舰手机SoC芯片从4~5nm移转至3nm制程,以及高端智能手机市场持续扩大。作为晶圆代工业界的领导者,台积电将持续受益。分析师表示,对于无晶圆厂公司来说,联发科和高通将是4G升级至5G过程中的大赢家。联发科有机会利用其领先技术,而高通则预计到2025年将在4~5nm市场占有近50%的份额。 ... PC版: 手机版:

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台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底

台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底 据经济日报报道,台积电先进制程近况备受各界关注,根据 Counterpoint 研究团队发布的最新报告,预计台积电3纳米旗舰智能手机应用将在2024年下半年增长,但2纳米制程量产将推迟至2026年底。Counterpoint Research 半导体研究副总监 Brady Wang 表示,台积电的主要增长来源于其先进制程技术。随着人工智能半导体的需求急剧增加,台积电在短期内的表现将更加突出。不过该机构分析也提到,预计台积电2纳米技术的量产将推迟至2026年,届时将随着苹果 iPhone 18 系列的推出而问世。

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