三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点

三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点 据报道，一位来自无晶圆厂半导体行业的不愿透露姓名的官员向 ZDNet 透露，公司更名已经确定，同时还提到合同是最近才写好的。"我们已接到三星电子的通知，他们将把第二代 3 纳米技术更名为 2 纳米技术。去年，三星电子晶圆代工厂签订的第二代 3 纳米技术合同也更名为 2 纳米技术，最近合同又被改写了。"三星最近还为一家名为 Preferred Networks (PFN)的日本初创公司完成了一份 2 纳米订单。虽然人们认为这家韩国巨头在 2nm 工艺竞赛中领先于台积电，但最新的报道称，已完成的订单实际上是该制造商第二代 3nm 晶圆所制造的，目前尚不清楚 PFN 是否知道这一更名。高通公司最近还要求三星和台积电提供其 2nm 样品，很可能是用于即将推出的骁龙 8 Gen 5，但芯片组制造商有可能正在评估 3nm SoC，而不是 2nm SoC。这位业内官员还表示，之所以更改名称，是因为通过优化缩小了晶体管尺寸。虽然他说三星可能是出于营销策略的转变而选择了这一改变，但技术的实际效果才是真正的关键。 ... PC版： 手机版：

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

消息称 ASML将在未来几个月推出 2nm 制造设备，英特尔已采购六台

消息称 ASML将在未来几个月推出 2nm 制造设备，英特尔已采购六台 据 SamMobile 报道，ASML 将于未来几个月内推出 2nm 制程节点制造设备，最新设备将集光能力从 0.33 提高到 0.55，这将使芯片制造商能够使用超精细图案化技术来制造 2nm 节点芯片。ASML 计划在明年生产 10 台 2nm 设备，英特尔据说已采购其中 6 台。未来几年 ASML 计划将此类芯片制造设备产能提高到每年 20 台。

日本半导体公司 Rapidus 更新 2nm 芯片项目进展和路线图 目标2027年一季度量产

日本半导体公司 Rapidus 更新 2nm 芯片项目进展和路线图 目标2027年一季度量产 Rapidus 在日本经济产业省宣布对其资助后召开了记者会，介绍了最新的进度时间表。Rapidus 计划本年度完成其位于北海道的首座晶圆厂 IIM-1 的洁净室和其他附属设施建设，并于 12 月开始向该晶圆厂交付设备，目标 2025 年一季度实现晶圆厂的整体竣工，4 月正式启动试产， 2027 年一季度启动大规模量产。Rapidus 希望实现从设计到前端制造再到后端封装的一体化模式，缩短出货周期。 在设计方面， Rapidus 已经和 Jim Keller 的 Tenstorrent 达成合作。在制造方面，大日本印刷(DNP)已经完成3nm工艺掩模版的开发，开始全面开发用于2nm的 EUV 曝光的光掩模制造工艺。当前 Rapidus 有100位工程师正在与IBM合作进行2nm工艺实验室技术转化，今年将再追加100位工程师。后端工艺方面，Rapidus 计划与日本产业技术综合研究所、东京大学、IBM、新加坡 A*STAR 微电子研究所、德国 Fraunhofer 等方面进行国际合作，为其2nm制程半导体开发配套的先进封装技术。

和IBM合作 日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术

和IBM合作 日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术 左为Rapidus总裁兼首席执行官小池淳义，右为IBM日本副总裁森本典繁该协议是日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）开展的“2nm半导体芯片和封装设计与制造技术开发”项目框架内国际合作的一部分，并建立在Rapidus与IBM共同开发2nm制程节点技术的现有协议基础上。作为协议的一部分，Rapidus与IBM的工程师将在IBM位于北美的工厂，合作开发和制造高性能计算机系统的半导体封装技术。多年来，IBM积累了用于高性能计算机系统的半导体封装的研发和制造技术。与此同时，IBM与日本半导体制造商以及半导体、封装制造设备和材料制造商在联合开发方面也有着非常丰富的经验。Rapidus的目标是利用IBM的这些专业知识，快速开发尖端的芯片封装技术。此前有报道称，Rapidus已经向IBM派遣了大概100名员工，目前正在美国纽约的奥尔巴尼纳米技术中心，专注于2nm工艺技术的开发工作。此外，Rapidus的员工还在向IBM的技术人员学习如何使用极紫外（EUV）光刻设备。Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus早在2022年底与IBM签署了技术授权协议，在日本北海道千岁市新建晶圆厂，计划2025年启动生产线，试产2nm芯片，并在2027年开始实现批量生产。 ... PC版： 手机版：

据最新传闻，苹果可能已经确保了台积电大部分初期的 2nm 晶片产能。这一消息虽然显得相当明显，但仍是从供应链中传出的最新报导。苹

据最新传闻，苹果可能已经确保了台积电大部分初期的 2nm 晶片产能。这一消息虽然显得相当明显，但仍是从供应链中传出的最新报导。苹果此前已大量使用台积电的 3nm 晶片，用于其 A17 Pro 和 M3 处理器家族，因此该公司毫无疑问计划再次针对下一代工艺进行投资。然而，2nm 世代的晶片可能还需要一段时间才会推出，预计直到 2025 年才会开始生产 根据《DigiTimes》1月25日的报导，苹果将获得台积电最初的 2nm 产能。先前的传闻表明，这将用于预计于 2025 年底推出的 iPhone 17 Pro 系列。随着我们逐渐接近 2025 年，我们将听到更多关于苹果在 2nm 工艺上的投资消息。目前，M3 还需要在 3nm 工艺中揭露其超高端型号。 标签: #Apple #台积电 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot