日本 8 个大企业抱团成立芯片公司，政府将向其提供 700 亿日元补贴

日本 8 个大企业抱团成立芯片公司，政府将向其提供 700 亿日元补贴 日本政府将向 8 家日企合资成立的半导体公司 Rapidus 提供 700 亿日元（约 35.14 亿元人民币）补贴，旨在将日本重新确立为先进芯片的领先制造国。 Rapidus 将与美国 IBM 等公司合作，开发 2 纳米半导体技术，建立短周转时间（TAT）试验线，引进 EUV 光刻设备等。 根据日本经产省的计划，Rapidus 分别由丰田、索尼、软银、铠侠、日本电装、日本电气、日本电信电话出资 10 亿日元，三菱 UFJ 银行出资 3 亿日元。

日本政府将为半导体公司 Rapidus 提供多至5900亿日元额外支持

日本政府将为半导体公司 Rapidus 提供多至5900亿日元额外支持 日本经济产业省将在 2024 财年再向芯片制造商 Rapidus 追加提供 5900 亿日元（约 39 亿美元）的支持，以促进国内先进半导体的制造，预计这一消息很快就会公布。其中，超过500亿日元将用于补贴制造工艺的“后端工艺”技术的开发。由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、电装、铠侠和三菱日联银行八家企业共同成立的 Rapidus 计划在2020年代后期大规模生产2纳米芯片，日本此前已经为该计划提供了3300亿日元的补贴。

日本将向芯片初创公司Rapidus提供5900亿日元补贴

日本将向芯片初创公司Rapidus提供5900亿日元补贴 在此之前，Rapidus已经从日本政府获得了数十亿美元的资金，用于2027年在北海道大规模生产芯片。日本经济大臣斋藤健（Ken Saito）周二在例行记者会上证实了这一补贴数额。这笔款项是日本在过去三年中拨出的约4万亿日元的一部分，目的是恢复昔日的芯片制造实力。日本首相岸田文雄计划向芯片制造商和私营部门提供10万亿日元的财政支持，并已向台积电在日本南部熊本的第一家工厂投资了数十亿美元，还向美光科技告诉在广岛工厂的扩建项目投资了数十亿美元，以生产先进的DRAM。 ... PC版： 手机版：

和IBM合作 日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术

和IBM合作 日本将研发2nm芯片Chiplet先进封装技术 左为Rapidus总裁兼首席执行官小池淳义，右为IBM日本副总裁森本典繁该协议是日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）开展的“2nm半导体芯片和封装设计与制造技术开发”项目框架内国际合作的一部分，并建立在Rapidus与IBM共同开发2nm制程节点技术的现有协议基础上。作为协议的一部分，Rapidus与IBM的工程师将在IBM位于北美的工厂，合作开发和制造高性能计算机系统的半导体封装技术。多年来，IBM积累了用于高性能计算机系统的半导体封装的研发和制造技术。与此同时，IBM与日本半导体制造商以及半导体、封装制造设备和材料制造商在联合开发方面也有着非常丰富的经验。Rapidus的目标是利用IBM的这些专业知识，快速开发尖端的芯片封装技术。此前有报道称，Rapidus已经向IBM派遣了大概100名员工，目前正在美国纽约的奥尔巴尼纳米技术中心，专注于2nm工艺技术的开发工作。此外，Rapidus的员工还在向IBM的技术人员学习如何使用极紫外（EUV）光刻设备。Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus早在2022年底与IBM签署了技术授权协议，在日本北海道千岁市新建晶圆厂，计划2025年启动生产线，试产2nm芯片，并在2027年开始实现批量生产。 ... PC版： 手机版：

消息称日本政府计划为台积电熊本县第二家工厂提供7300亿日元补贴

消息称日本政府计划为台积电熊本县第二家工厂提供7300亿日元补贴 建成之后，该工厂将采用22nm、28nm、12nm和16nm工艺为相关客户代工晶圆，月产能将达到4万片。此前，有消息称，该工厂将在2024年2月份举行开业典礼。如今，外媒报道称，该工厂将于2月24日举行开业典礼。除了这座晶圆厂外，台积电还将在日本熊本县菊阳町附近建设第二家晶圆厂，该工厂的总投资预计将超过1万亿日元，规模可能与第一家相同或更大，可能采用更先进的5-10nm制造工艺。2023年7月份，外媒曾报道称，该公司计划从2024年4月份开始在日本熊本县建设第二家晶圆厂。2023年11月份，知情人士透露，台积电正考虑在日本建设第三家工厂，以生产先进的3nm芯片。至于第三家工厂的所在地，传言称，横滨和大阪都有可能成为该工厂的所在地。供应链的消息来源透露，台积电在大阪和横滨均设有设计中心，而大阪是台积电在日本建设第三家工厂的首选之地。除了台积电外，其他获得日本政府补贴的公司包括铠侠、美光科技、西部数据和Rapidus。作为台积电的潜在竞争对手，Rapidus目前正在日本北海道千岁市建设一家先进半导体工厂，该工厂将是日本首座2纳米晶圆工厂，于2023年9月份动工建设，将生产用于5G通信、量子计算、数据中心、自动驾驶汽车和数字智能城市等领域的先进芯片。据悉，日本政府已经决定为Rapidus提供总计3300亿日元的补贴，以加强国内的半导体产业。 ... PC版： 手机版：

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术 随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现，这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算，但分析师的平均估计是 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明，先进的封装技术可能占到其中的十分之一，是主要的优先事项。Lee 在接受采访时说："半导体行业的前 50 年都是关于前端的，也就是芯片本身的设计和制造。但是，下一个 50 年的重点将是后端，即封装。"在这场竞赛中，率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中，为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来，SK海力士的股价已上涨近120%，成为韩国第二大最有价值的公司，超过了三星和美国竞争对手美光科技。现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法，并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。长期以来，Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位，师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年，Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师，领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并用 TSV 连接，以实现更快、更节能的数据处理。但在前智能手机时代，三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。因此，当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时，在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里，它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说，HBM 代表"海力士最好的内存"。里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说："SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力，他们已经做好了充分的准备。当机会来临时，他们用双手抓住了它。至于三星，他们被打了个措手不及"。ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时，他的团队在日本联系人的帮助下，已经开发出一种名为大规模回流注塑填充（MR-MUF）的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料，然后使其硬化，从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露，SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料，并获得了相关专利。Lee 表示，SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。多年来，三星一直被其高层的接班人问题所困扰，现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意，这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示，它已开发出第五代 HBM3E 技术，该技术拥有 12 层 DRAM 芯片，容量达到 36GB，为业界最大。同一天，总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司（Micron）宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E，这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分，令业内观察人士大吃一惊。随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术，并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂，面对日益激烈的竞争，Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为，目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。 ... PC版： 手机版：