铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

半导体行情改善，铠侠解除减产

半导体行情改善，铠侠解除减产 由于主力的智能手机半导体需求低迷影响，铠侠 从2022年10月开始减产。减产规模一度超过30%。 集邦咨询估计，4~6月NAND的价格将比1~3月上涨13~18%。行情的改善推动了铠侠决定解除减产。制造 NAND 型闪存的三重县四日市工厂和岩手县北上工厂的生产线的开工率在6月恢复至100%。

闪存大减产 SSD大涨价 厂商含泪多赚25％

闪存大减产 SSD大涨价 厂商含泪多赚25％ 当季，NAND闪存的合约价格平均飙升大涨约25％，其中三星的平均售价涨了12％，西部数据也涨了10％。作为行业龙头，三星的服务器、笔记本、手机闪存业务全线看涨，已经供不应求，一个季度就入账42亿美元，环比暴涨44.8％，并占据整个市场的多达36.6％，收获了5.2个百分点的份额。SK海力士(包括Solidigm)也收入了24.8亿美元，环比大增33.1％，份额上涨至21.6％。西部数据、铠侠分别小幅增加7.0％、8.0％，目前份额分别为14.5％、12.6％。美光则是五大巨头中唯一倒退的，因为减量供应，出货量少了超过10％，导致收入微跌1.1％，份额已不足10％。其他中小型厂商日子也不错，合计收入大涨了32.3％。集邦咨询预计，2024年第一季度的NAND闪存行业收入还会再涨大约20％。注：表中的million都应该是billion ... PC版： 手机版：

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。