铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

半导体行情改善，铠侠解除减产

半导体行情改善，铠侠解除减产 由于主力的智能手机半导体需求低迷影响，铠侠 从2022年10月开始减产。减产规模一度超过30%。 集邦咨询估计，4~6月NAND的价格将比1~3月上涨13~18%。行情的改善推动了铠侠决定解除减产。制造 NAND 型闪存的三重县四日市工厂和岩手县北上工厂的生产线的开工率在6月恢复至100%。

SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存 韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的 NAND 闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。此前最尖端的 NAND 闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。NAND 闪存被用于智能手机和数据中心。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D (3维) 更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。 日经新闻-电报频道- #娟姐新闻:@juanjienews

闪存大减产 SSD大涨价 厂商含泪多赚25％

闪存大减产 SSD大涨价 厂商含泪多赚25％ 当季，NAND闪存的合约价格平均飙升大涨约25％，其中三星的平均售价涨了12％，西部数据也涨了10％。作为行业龙头，三星的服务器、笔记本、手机闪存业务全线看涨，已经供不应求，一个季度就入账42亿美元，环比暴涨44.8％，并占据整个市场的多达36.6％，收获了5.2个百分点的份额。SK海力士(包括Solidigm)也收入了24.8亿美元，环比大增33.1％，份额上涨至21.6％。西部数据、铠侠分别小幅增加7.0％、8.0％，目前份额分别为14.5％、12.6％。美光则是五大巨头中唯一倒退的，因为减量供应，出货量少了超过10％，导致收入微跌1.1％，份额已不足10％。其他中小型厂商日子也不错，合计收入大涨了32.3％。集邦咨询预计，2024年第一季度的NAND闪存行业收入还会再涨大约20％。注：表中的million都应该是billion ... PC版： 手机版：

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。