把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望

把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望 数据显示，这家全球第二大内存制造商的销售额在一季度增长了144%，达到 12.4 万亿韩元（约合 90 亿美元），远远超出预期。营业利润为 2.89 万亿韩元（去年的亏损为 2.6 万亿韩元），远超预期的 1.8 万亿韩元利润。这也是该公司有史以来第二高的第一季度营业利润。毫无疑问，HBM是SK海力士这波崛起的重要原因。SK海力士首席财务官 Kim Woohyun 也直言：“凭借 HBM 引领的 AI 内存领域业界最顶尖的技术，我们已经进入明显的复苏阶段。”但是，三星和美光却虎视眈眈。绝对王者关于HBM沿革，在半导体行业观察之前的文章《HBM的逆袭好戏》中，已经有了很详细的描述，在本文我们就不再赘言。然而，我们需要重申一下SK海力士在HBM市场的绝对影响力，以及他们的HBM带给市场的影响。据市场研究公司 TrendForce 称，SK 海力士去年以 53% 的市场份额领先 HBM 市场，其次是三星电子 (38%) 和美光 (9%)。最近，关于HBM有很多消息，但SK 海力士 HBM 设计主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇博客中表示：“SK 海力士被公认为 HBM 市场无可争议的领导者。”他进一步指出，SK Hynix 于 2009 年开始开发 HBM 芯片。该公司预计高性能内存芯片的需求将会增加，并花了四年时间开发 HBM，专注于硅通孔 (TSV) 技术。该公司于 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。然而，SK海力士要在 HBM 上大显身手还有很长的一段路要走。因为在2010年代，计算机市场还没有成熟到可以接受当下“超出需要”的高速度、高容量的HBM产品。因此，SK海力士在第二代产品HBM2开发中遇到困难时，有许多人对HBM业务的前景表示担忧。Park Myeong-Jae 副社长将该时期描述为“在危机中发现机遇的时期”。于是，从HBM2E开始，SK海力士便以远超外界期待值为目标，并加强了团队协作。研发HBM需要将各种复杂技术巧妙结合，因此与相关团队合作解决挑战、创造协同效应尤为关键。得益于此，SK海力士取得了显著技术进步。也在MR-MUF、HKMG和 Low-K IMD 等主要基础技术上打下了基础。最终，凭借HBM3压倒性的性能与特性，SK海力士赢得了较高的市场份额。截止到现在，SK Hynix 是三家公司中第一家通过 NVIDIA 认证测试并成为主要供应商的公司。业内估计，SK Hynix 的 HBM3E 良率已经稳定，据报道其营业利润率是 DRAM（动态随机存取存储器）的两倍。Park Myeong-Jae介绍说：“SK海力士的HBM产品具备业界最佳的速度和性能。尤其是公司独有的MR-MUF技术，为高性能提供了最稳定的散热，为造就全球顶尖性能提供了保障。此外，SK海力士拥有快速量产优质产品的能力，对客户需求的响应速度也是首屈一指的。这些竞争优势的结合使HBM3E脱颖而出，跻身行业前列。”正因为如此，SK海力士的HBM受到了客户的高度欢迎。据外媒报道，SK 海力士目前为亚马逊、AMD、Facebook、Google (Broadcom)、英特尔、微软以及 NVIDIA 等客户生产各种类型的 HBM 内存。而由于芯片供应商希望确保对其成功至关重要的内存堆栈的供应，因此几个月前就已下达的 HBM 内存订单现在已经积压到 2025 年。与此同时，美光和三星正在紧追慢赶，美光在近日更是表示，预计明年将占据 HBM 市场的 20% 以上，这比目前的 9% 大幅提升。不甘人后作为HBM的后进者，美光科技和三星不甘人后。首先看美光，作为HBM三强中的最后一名，他们采取了大胆的战略举措，跳过第四代高带宽内存 (HBM) HBM3，直接进入第五代 HBM (HBM3E)，旨在占据下一代 HBM 市场的很大份额。这一决定已经开始见效，美光获得了 NVIDIA 的订单，并开始增加供应量，最终于去年年底向 NVIDIA 全面供应 HBM3E。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra在日前的财报会议上表示表示：“强劲的 AI 需求和强大的执行力使美光第三财季收入环比增长 17%，超出了公司的预期范围。美光在高带宽内存 (HBM) 等高利润产品的份额不断扩大。”“美光在第二财季开始出货 HBM3E 内存，并在第三财季从这些产品中获得了超过 1 亿美元的销售额。” Mehrotra说。他进一步指出，这些产品是盈利的。美光预计，在 2024 财年（仅剩一个季度），公司的HBM 内存将带来数亿美元的收入，在 2025 财年（从 2024 年 9 月开始，一直到 2025 年 8 月）将带来数十亿美元的收入。美光 2024 年和 2025 年的 HBM 供应已经售罄，2024 年全年和 2025 年大部分时间的定价已经确定。从长远来看，美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。有趣的是，美光正在对其 12 高 HBM3E 堆栈进行送样，并将于 2025 年投入量产，并且它还计划在未来产品中采用 HBM 4 和 HBM4E。在HBM上备受打击的三星也重整旗鼓。如文章开头所说，尽管三星是业内最大的内存芯片制造商，但在 HBM 领域，它远远落后于全球第二大内存制造商 SK 海力士。据韩媒五月底的报道，SK海力士一直是英伟达公司 HBM 芯片的最大供应商，英伟达控制着人工智能计算任务核心图形处理单元 (GPU) 市场 80% 以上的份额。目前，这家韩国芯片制造商是英伟达第四代 HBM3 芯片的唯一供应商。在HBM等芯片的落后，促使三星在五月撤换了半导体领导人。拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命，承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。但随后，有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等新闻见诸报端。在六月底，有媒体报道称，英伟达要求三星更改其高带宽内存（HBM）的设计，这将导致供货进一步延迟。上述种种信息，三星都否认了。不过由此我们可以看到这家存储巨头在HBM上的挣扎。综上所述，SK海力士在HBM方面似乎短期无忧。但在扩大HBM3E产能方面，他们面临挑战。一位知情人士表示：“NVIDIA正在向SK海力士施压，要求其增加供应量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投产，可用产能已接近饱和。”现代汽车证券研究员朴俊英也表示，“如果没有SK海力士以外的另外两家公司的帮助，NVIDIA将无法满足其HBM需求。”朴俊英预测，“HBM短缺的情况将持续到今年第四季度，如果这三家公司的CAPA不被纳入全球HBM CAPA，短缺可能会延续到2025年上半年。”为此，美光和三星迎难而上，SK海力士也以攻为守。硝烟再起作为领先者，SK海力士当然不愿意坐以待毙，这首先体现在公司在保证产能供给上做得努力。在日前，SK海力士宣布，根据投资计划，SK海力士到2028年将拨款103万亿韩元，其中80%（82万亿韩元）投向HBM等AI相关业务领域，以维持公司HBM的地位。在更早的四月，SK海力士曾表示，将斥资20万亿韩元（146亿美元）在忠清北道建设生产动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的M15X晶圆厂，以满足AI芯片热潮中不断增长的需求，巩固其在高性能存储芯片领域的地位。SK集团董事长崔泰源在六月中接受日本《日本经济新闻》采访时表示，该公司正在调查在日本和美国等国家生产高带宽存储器（HBM）的可能性。“除了增加国内生产（HBM），如果需要额外投资，我们还在不断调查是否可以在日本和美国等其他国家生产。”崔泰源表示。至于美光，据日经新闻援引消息人士报道，内存巨头美光科技正在美国建设一条先进高带宽内存（HBM）的试验生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以满足AI热潮带来的更多需求。报道称，美光公司正在美国爱达荷州博伊西市总部扩建HBM相关研发设施，包括生产和验证线。此外，美光公司还考虑在马来西亚建立HBM生产能力，目前该公司已经在马来西亚设有芯片测试和组装工厂。此前，美光最大的 HBM 生产工厂位于台湾台中，扩建工作也在进行中。而业内消息显示，美光预计将在新... PC版： 手机版：

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山”

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山” 据了解，HBM存储系统自2023年以来因AI芯片需求而呈现爆炸式增长。SK海力士和美光()一样，均已成为英伟达()新款 AI GPU的HBM存储系统供应商，提供的产品均为最新款的“HBM3E”。高盛日前发布研报称，由于更强的生成式人工智能(Gen AI)需求推动了更高的AI服务器出货量和每个GPU中更高的HBM密度，该行大幅提高了HBM总市场规模预估，现在预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率77%)，从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。高盛认为，HBM市场供不应求的情况未来几年将持续，SK海力士、三星和美光等主要玩家将持续受益。与同行的解决方案相比，海力士生产力和产量更佳。高盛预计，海力士在未来2-3年将保持其50%以上的市场份额。高盛继续认为，三星是全球唯一有能力提供一站式HBM服务的公司，这可能会在长期内帮助其保有市场份额。高盛认为，随着行业需求日益转向HBM3E，美光将受益。高盛预期美光可能从2025年开始超越同行，但能否获得显著市场份额将取决于如何快速扩大其相对较小的HBM产能。高盛重申对海力士、三星和美光的买入评级。相关文章:SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据SK海力士计划在印第安纳州建造价值40亿美元的芯片封装厂 ... PC版： 手机版：

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。