三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

SK海力士离职中国员工涉嫌泄露核心技术被起诉

SK海力士离职中国员工涉嫌泄露核心技术被起诉 SK海力士的一名中国籍女性员工A某因涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术资料被捕，目前正在接受审判。京畿南部警察厅产业技术安全侦查队28日表示，30多岁的A某涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》，上月底被逮捕送检。A某现已被检方起诉，正在接受水原地方法院骊州分院的审判。 A某于2013年入职SK海力士，之后一直在负责分析芯片不良的部门工作，2020年至2022年在中国分公司担任组长，负责企业交易客户洽谈。2022年6月，A某返韩后立即跳槽到华为。A某离职前曾用三千多张A4纸打印出涉及核心半导体工序问题解决方案的资料。A某虽留下了打印文件的记录，但其用途未被SK海力士掌握。警方认为，A某将打印的纸张分批转移至外部，但A某对相关嫌疑矢口否认。