阿里巴巴倚天710 128核心处理器实测：Arm史上最快

阿里巴巴倚天710 128核心处理器实测：Arm史上最快 阿里倚天710采用5nm工艺制造，纯64位Armv9指令集架构，128核心，每核心1MB二级缓存，共享64MB三级缓存，最高主频3.2GHz，支持八通道DDR5内存、96条PCIe 5.0通道。阿里称它是业界性能最强的ARM服务器芯片，领先超过业界标杆20％，能效比也提升50％以上，主要用于阿里云数据中心。本次测试对比了多款竞品，包括Intel至强铂金8848C(32C/3.2GHz/105MB)、鲲鹏920(60C/2.4GHz/32MB)、Ampere Altra(80C/3GHz/32MB)、亚马逊Graviton 2/3(64C/2.5/2.6GHz/32MB)。其中，Intel的自然是x86指令集，其他几款都是Armv8指令集。在八项测试中，对比同样Arm架构的竞品，阿里倚天710几乎全程一路“遥遥领先”，唯一表现平平的就是Excel。即便对比x86架构的至强铂金8848C，它也不遑多让，Dhrystone、Whetstone两个项目中都与之处于相当的水平。论文还指出，阿里倚天710除了性能出色，还有领先的指令集、DDR5内存、PCIe 5.0通道，以及更大的三级缓存，而且是在2021年就做到了。 ... PC版： 手机版：

Ampere宣布全球首款256核心处理器 3nm工艺、Arm架构

Ampere宣布全球首款256核心处理器 3nm工艺、Arm架构 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 Ampere去年5月发布了全球第一款192核心处理器，对比前代128核心增加一半，采用台积电5nm工艺，基于Armv8.6+指令集自研的架构，还有136/144/160/172核心版本，稳定频率最高3.0GHz，每核心二级缓存翻倍至2MB，三级缓存共享64MB。内存支持八通道DDR5 ECC 8TB，扩展支持128条PCIe 5.0，功耗范围200-350W，对比前代的DDR4、PCIe 4.0全面飞跃。新一代256核心将升级为台积电N3 3nm工艺，但具体细节不详，估计会升级微架构，但二级缓存似乎还是每核心2MB。Ampere声称，它的性能相比市面上的其他竞品将领先超过40％，而且不仅仅是核心更多，还有更高效的性能、更好的内存和缓存，以及新的AI计算。另外，散热系统会保持不变，因此功耗最多还是350W左右。值得一提的是，Ampere还与高通达成合作，将打造基于Ampere处理器、高通Cloud AI 100 Ultra加速器的大模型推理平台。 ... PC版： 手机版：

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏 去年国外权威科技媒体对通过双重曝光实现的7nm工艺麒麟芯片分析后认为，制造良率可能在50%，而通过SAQP实现的5nm芯片，良率可能低至20%左右。 2023-11-28

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：