阿里巴巴倚天710 128核心处理器实测：Arm史上最快

阿里巴巴倚天710 128核心处理器实测：Arm史上最快 阿里倚天710采用5nm工艺制造，纯64位Armv9指令集架构，128核心，每核心1MB二级缓存，共享64MB三级缓存，最高主频3.2GHz，支持八通道DDR5内存、96条PCIe 5.0通道。阿里称它是业界性能最强的ARM服务器芯片，领先超过业界标杆20％，能效比也提升50％以上，主要用于阿里云数据中心。本次测试对比了多款竞品，包括Intel至强铂金8848C(32C/3.2GHz/105MB)、鲲鹏920(60C/2.4GHz/32MB)、Ampere Altra(80C/3GHz/32MB)、亚马逊Graviton 2/3(64C/2.5/2.6GHz/32MB)。其中，Intel的自然是x86指令集，其他几款都是Armv8指令集。在八项测试中，对比同样Arm架构的竞品，阿里倚天710几乎全程一路“遥遥领先”，唯一表现平平的就是Excel。即便对比x86架构的至强铂金8848C，它也不遑多让，Dhrystone、Whetstone两个项目中都与之处于相当的水平。论文还指出，阿里倚天710除了性能出色，还有领先的指令集、DDR5内存、PCIe 5.0通道，以及更大的三级缓存，而且是在2021年就做到了。 ... PC版： 手机版：

【台积电的神秘嘉宾要以5nm工艺步上自研CPU之路，再闯英特尔、AMD服务器阵地】Ampere Computing 推出了第一款

【台积电的神秘嘉宾要以5nm工艺步上自研CPU之路，再闯英特尔、AMD服务器阵地】Ampere Computing 推出了第一款针对于云计算的云原生的处理器，完全集中于云的需求和应用场景，比 x86 架构更具优势。针对下一代 5nm 工艺处理器 Ampere One 将首度转向自主研发 CPU 架构。 #抽屉IT

3nm工艺的AMD未来APU有名字了 有希望上Zen6

3nm工艺的AMD未来APU有名字了 有希望上Zen6 明年初追加不同定位的Fire Range、Stirx Halo(Sarlak)、Kraken Point，统一升级为4nm工艺、Zen5 CPU架构，大部分还都有RDNA3.5 GPU架构，应该都划归到锐龙9000系列的范畴。Hawk Point、Escher则都是马甲，工艺也是4nm，但架构还是Zen4。Sound Wave应该要等到2026年了，制造工艺首次升级为3nm，而架构很有希望继续推进到Zen6。事实上，Zen5架构同时使用的是4nm、3nm两种工艺，Zen6架构则会是3nm、2nm工艺的组合。 ... PC版： 手机版：

AmpereOne-3将于明年推出 台积电3nm工艺 256核支持 PCIe 6.0 和 DDR5

AmpereOne-3将于明年推出 台积电3nm工艺 256核支持 PCIe 6.0 和 DDR5 目前已有的产品包括AmpereOne 处理器，该处理器有 192 个物理核心，TDP 为 350 瓦，有 8 个 DDR5 内存通道，竞争对手包括英特尔的 Xeon Scalable 和 AMD 的 EPYC。不过，该公司现在披露了未来的计划，透露了规格"惊人"的新 SKU。据The Next Platform报道，Ampere 公司正准备推出其第二代 AmpereOne 处理器。该公司首席产品官杰夫-维蒂希（Jeff Wittich）在接受该媒体采访时透露，新的 AmpereOne-2 预计将于今年晚些时候推出，采用升级的"A2"内核架构和 12 个内存通道。结合这些升级，Ampere 相信 AmpereOne-2 板载的 DDR5 内存控制器将增加 33%，内存带宽也将增加 50%，从而实现性能的累积提升。除了 AmpereOne-2 之外，该公司还计划在 2025 年之前推出第三代产品线。AmpereOne-3（即第三代产品）将首次亮相，核心数量高达 256 个，采用台积电的 3 纳米工艺。据报道，该架构将包括 PCIe-Express 6.0 和十几个 DDR5 内存控制器。Ampere 计划以此与包括英伟达（NVIDIA）在内的一些业界顶级竞争者展开竞争。我们在计算方面的进展非常快。这种设计包含了很多其他的云功能围绕性能管理的东西，以最大限度地利用所有这些内核。在每次发布的芯片中，我们都会对 CPU 内核进行换代。我们在 256 核设计中还采用了芯片组方法，这也是另一个步骤。芯片组是我们整体战略的重要组成部分。- Jeff Wittich至于Ampere Computing能否像英伟达公司那样在人工智能领域获得同样的关注，我们还无法作出评论。不过，根据该公司的计划，他们肯定会在未来发挥相对主导的作用。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：