三星开始量产首款3nm Exynos芯片 Galaxy S25有望首发

三星开始量产首款3nm Exynos芯片 Galaxy S25有望首发 此外，工程师还使用Synopsys Fusion Compiler（电子设计自动化工具）来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。三星和Synopsis声称，后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz，同时将功耗降低10%。这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合（MSCTS）、智能线优化和更简单的分层方法。三星以前生产的芯片在持续使用情况下，常常会出现耗电量大和性能下降的问题，如今三星推出的GAA技术，有望解决这类问题。 ... PC版： 手机版：

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片

ASML已交付第三代EUV 可用于制造2nm芯片 在ASML看来，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，将来有可能提高至220片。此外，新工具还提供了小于1.1nm的晶圆对准精度。即便用于4/5nm芯片的生产，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，让制造商可以提高芯片生产的经济性，实现更为高效且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是Twinscan NXE:3800E对于制造2nm芯片和后续需要双重曝光的制造技术有更好的效果，精度的提升会让3nm以下的制程节点受益。Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下来将带来新款Twinscan NXE:4000F，计划在2026年发布，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。 ... PC版： 手机版：

A17 PRO- 首个 3nm 芯片

A17 PRO - 首个 3nm 芯片 - EUV 制造，12 个原子宽 - 19B 晶体管 - 新设计的 6C CPU - P 核 10% 提升，更好的分支预测，，更宽 - 2P + 4E - E 核3x P/W 对比竞争对手 - 16C NPU 35TOPS，2x 速度，更好的端侧 AI - 先进的 USB 3 - AV1 解码能力 - ProRes 引擎 - 全新的果 shader GPU - 6C GPU，20% 性能提升 - mesh shading 等新功能 - 硬件光追，移动端最快 - 更好的能耗比 - MetalFX 上变换（果味 DLSS？） - 8FPS 到 30FPS，提升了大概 4x，对比的是 A16 Bionic