华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏 去年国外权威科技媒体对通过双重曝光实现的7nm工艺麒麟芯片分析后认为，制造良率可能在50%，而通过SAQP实现的5nm芯片，良率可能低至20%左右。 2023-11-28

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

华为新款小折叠核心硬件曝光：升级为麒麟9000S 5G芯片

华为新款小折叠核心硬件曝光：升级为麒麟9000S 5G芯片 据知名数码博主@数码闲聊站 最新发布的信息显示，与此前曝光的消息基本一致，华为全新的轻薄小折叠手机华为Pocket S2将搭载麒麟9000S 5G芯片，该芯片采用1+3+4架构设计，由1*2.49GHz+3*2.15GHz+4*1.53GHz组成，GPU为Maleoon 910，此前已经由华为nova 12系列率先应用，并且供应紧张的问题已经得到缓解，相比上一代产品所搭载的骁龙778G 4G芯片，在性能和网络体验上都有大幅提升。其他方面，根据此前曝光的消息，全新的华为Pocket S2小折叠机型总体上将延续上代的设计，采用纵向折叠方案，但是加大了镜头模组和副屏，同时新机还将提供有紫色素皮和灰色玻璃等版本可选，此外该机还将继续提供艺术版机型，仍将采用3D浮雕工艺。硬件上，除了将升级为麒麟9000S 5G芯片外，该机还将配备容量为4520mAh的双芯电池，并支持66W快充。据悉，全新的华为Pocket S2小折叠机型将在今年上半年与大家见面，更多详细信息，我们拭目以待。 ... PC版： 手机版：