A17 PRO- 首个 3nm 芯片

A17 PRO - 首个 3nm 芯片 - EUV 制造，12 个原子宽 - 19B 晶体管 - 新设计的 6C CPU - P 核 10% 提升，更好的分支预测，，更宽 - 2P + 4E - E 核3x P/W 对比竞争对手 - 16C NPU 35TOPS，2x 速度，更好的端侧 AI - 先进的 USB 3 - AV1 解码能力 - ProRes 引擎 - 全新的果 shader GPU - 6C GPU，20% 性能提升 - mesh shading 等新功能 - 硬件光追，移动端最快 - 更好的能耗比 - MetalFX 上变换（果味 DLSS？） - 8FPS 到 30FPS，提升了大概 4x，对比的是 A16 Bionic

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：

消息称iPhone 17将不会采用台积电2nm工艺 A19 Pro将维持3nm水平

消息称iPhone 17将不会采用台积电2nm工艺 A19 Pro将维持3nm水平 据报道，台积电正致力于在 2024 年底之前将其 3 纳米晶圆产量提高到 10 万片，而 TrendForce 指出，这家台湾巨头也希望扩大其 2 纳米工艺的前景。因此，该报告提到，位于新竹宝山的 2 纳米工厂正按预期稳步推进，而位于高雄的另一家工厂也在加速发展。预计今年年底将首次投产，两家工厂的初始产能据说都在 30000 到 35000 片晶圆之间。报告提到，到 2027 年，合并产能将达到 100000 片晶圆。至于谁将成为台积电获得首批 2 纳米芯片的第一个客户，答案不言而喻：很可能是苹果公司。早在 2023 年 6 月，我们就报道过这种尖端节点的试生产已经开始。不过，苹果公司不会这么早使用这项技术，因为据说 iPhone 16 Pro 和 iPhone 16 Pro Max搭载的A18 Pro会是苹果首款采用台积电第二代"N3E"工艺量产的 3 纳米 SoC。不过，即使在明年，随着 iPhone 17 的问世，为其内核提供动力的 A19 Pro 也依然可能采用台积电稍先进的 3nm 技术，即"N3P"。"在 2 纳米工艺领域，苹果公司仍然是领跑者，其旗舰智能手机都采用了这种技术。英特尔也表示了兴趣，预计 AMD、英伟达（NVIDIA）和联发科（MediaTek）也会跟进。从工艺路线图来看，今年的 iPhone 16 将采用 N3E 工艺，而明年的机型将采用 N3P 工艺。因此，第一款采用台积电 2 纳米工艺的消费类产品预计将于 2026 年推出。此前有报道称，苹果最早将于2026 年推出首款 2nm SoC，但现在评论该公司的未来计划还是为时尚早，还有不少原因可能会阻碍其推进采用2纳米工艺芯片，从而迫使其坚持使用较老一代的 3 纳米技术。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存 NVIDIA现有的高性能GPU架构代号“Blackwell”，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游戏的RTX 50系列。2025年将看到“Blackwell Ultra”，自然是升级版本，但具体情况没有说。2026年就是全新的下一代“Rubin”，命名源于美国女天文学家Vera Rubin(薇拉·鲁宾)，搭配下一代HBM4高带宽内存，8堆栈。根据曝料，Rubin架构首款产品为R100，采用台积电3nm EUV制造工艺，四重曝光技术，CoWoS-L封装，预计2025年第四季度投产。2027年则是升级版的“Rubin Ultra”，HBM4内存升级为12堆栈，容量更大，性能更高。CPU方面下代架构代号“Vera”没错，用一个名字同时覆盖GPU、CPU，真正二合一。Vera CPU、Rubin GPU组成新一代超级芯片也在规划之中，将采用第六代NVLink互连总线，带宽高达3.6TB/s。此外，NVIDIA还有新一代数据中心网卡CX9 SuperNIC，最高带宽可达1600Gbps，也就是160万兆，并搭配新的InfiniBand/以太网交换机X1600。 ... PC版： 手机版：

Google Pixel 10将采用台积电3nm工艺制造的Tensor G5芯片

Google Pixel 10将采用台积电3nm工艺制造的Tensor G5芯片 苹果公司一直以来都是台积电的主要客户，在竞争对手介入之前就获得了最先进的芯片技术，这种合作关系使双方在性能和利润方面都受益匪浅。此前有报道称，Google和台积电达成了一项协议，允许芯片制造商为Google的 Pixel 系列开发完全定制的 Tensor G 系列芯片。如果Google与台积电合作得当，没有出现供应紧张的情况，那么 Tensor G5 将成为台积电专门为 Pixel 系列推出的首款芯片。到目前为止，我们已经听说Google正在为其芯片开发测试设备，而根据Business Korea的最新报道，首款台积电芯片将采用 3 纳米工艺制造。这可能会使Google Pixel 系列接近当前 iPhone 机型的性能水平。然而，苹果在芯片技术和性能方面远远领先于竞争对手。当Google推出用于 Pixel 手机的 3 纳米 Tensor G5 芯片时，苹果将致力于推出用于 iPhone、iPad 和 Mac 的2 纳米或 1.4 纳米芯片。不过，Google的 Pixel 品牌设备在竞争中并不占优势，因为联发科（MediaTek）和高通（Qualcomm）预计也会在即将推出的产品中采用 3 纳米工艺。在生成式人工智能技术时代，设备上的处理需要原始动力，而 3nm 芯片是设备的基本起点，至少对 iPhone 而言是如此。新的芯片技术将使 Pixel 设备拥有更好的计算和图形性能，同时为设备上的人工智能实用程序提供巨大的空间。Google目前的 Tensor G3 芯片采用的是 4nm 工艺，该技术也将应用于 Pixel 9 系列。我们可以预计，第十代 Pixel 手机将采用全新改进的 3nm 芯片。另一方面，三星似乎正在为其 3nm 芯片而苦苦挣扎，因为效率问题导致良品率相当低。与台积电的 3nm 芯片相比，三星 Exynos 2500 芯片的散热量减少了 10% 到 20%，但能效却更低。Google对芯片技术的演绎及其潜在性能的发挥还取决于该公司在软件和硬件之间的优化，这可能决定 Pixel 手机未来体验的好坏。 ... PC版： 手机版：