台积电公布A16 1.6nm工艺：对比2nm性能提高10%、功耗降低20%

台积电公布A16 1.6nm工艺：对比2nm性能提高10%、功耗降低20% 据了解，台积电在此次的北美技术论坛中，首度公开了台积电A16（1.6nm）技术，结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电（backside power rail）解决方案以大幅提升逻辑密度及性能，预计于2026年量产。台积电还推出系统级晶圆（TSMC-SoWTM）技术，此创新解决方案带来革命性的晶圆级性能优势，满足超大规模数据中心未来对AI的要求。台积电指出，适逢台积电北美技术论坛举办30周年，出席贵宾人数从30年前不到100位，增加到今年已超过2,000位。北美技术论坛于美国加州圣塔克拉拉市举行，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕，本技术论坛亦设置创新专区，展示新兴客户的技术成果。台积电总裁魏哲家博士指出，我们身处AI赋能的世界，人工智慧功能不仅建置于数据中心，而且也内置于个人电脑、移动设备、汽车、甚至物联网之中。台积电为客户提供最完备的技术，从全世界最先进的硅芯片，到最广泛的先进封装组合与3D IC平台，再到串连数位世界与现实世界的特殊制程技术，以实现他们对AI的愿景。此次论坛公布新技术包括：台积电A16技术随着台积电领先业界的N3E技术进入量产，接下来的N2技术预计于2025年下半年量产，台积电在其技术蓝图上推出了新技术A16。据介绍，A16将结合台积电的超级电轨（Super PowerRail）构架与纳米片晶体管，预计于2026年量产。该超级电轨技术将供电网络移到晶圆背面，为晶圆正面释放出更多信号网络的布局空间，借以提升逻辑密度和性能，让A16适用于具有复杂信号布线及密集供电网络的高效能运算（HPC）产品。台积电表示，相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。台积电创新的NanoFlex技术支持纳米片晶体管台积电即将推出的N2技术将搭配TSMC NanoFlex技术，展现台积电在设计技术协同优化的崭新突破。TSMC NanoFlex为芯片设计人员提供了灵活的N2标准元件，这是芯片设计的基本构建模块，高度较低的元件能够节省面积并拥有更高的功耗效率，而高度较高的元件则将性能最大化。客户能够在相同的设计内存块中优化高低元件组合，调整设计进而在应用的功耗、性能及面积之间取得最佳平衡。N4C技术台积电还宣布将推出先进的N4C技术以因应更广泛的应用。N4C延续了N4P技术，晶粒成本降低高达8.5%且采用门槛低，预计于2025年量产。据介绍，N4C提供具有面积效益的基础硅智财及设计法则，皆与广被采用的N4P完全兼容，因此客户可以轻松移转到N4C，晶粒尺寸缩小亦提高良率，为强调价值为主的产品提供了具有成本效益的选择，以升级到台积电下一个先进技术。CoWoS、系统整合芯片、以及系统级晶圆（TSMC-SoW）台积电的CoWoS是AI革命的关键推动技术，让客户能够在单一中介层上并排放置更多的处理器核心及高带宽内存（HBM）。同时，台积电的系统整合芯片（SoIC）已成为3D芯片堆叠的领先解决方案，客户越来越趋向采用CoWoS搭配SoIC及其他元件的做法，以实现最终的系统级封装（System in Package，SiP）整合。台积电系统级晶圆技术提供了一个革新的选项，让12英寸晶圆能够容纳大量的晶粒，提供更多的运算能力，大幅减少数据中心的使用空间，并将每瓦性能提升好几个数量级。台积电已经量产的首款SoW产品采用以逻辑芯片为主的整合型扇出（InFO）技术，而采用CoWoS技术的芯片堆叠版本预计于2027年准备就绪，能够整合SoIC、HBM及其他元件，打造一个强大且运算能力媲美数据中心服务器机架或甚至整台服务器的晶圆级系统。硅光子整合台积电正在研发紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术，以支持AI热潮带来的数据传输爆炸性成长。COUPE使用SoIC-X芯片堆叠技术将电子裸晶堆叠在光子裸晶之上，相较于传统的堆叠方式，能够为裸晶对裸晶界面提供最低的电阻及更高的能源效率。台积电计于2025年完成支持小型插拔式连接器的COUPE验证，接着于2026年整合CoWoS封装成为共同封装光学元件（Co-Packaged Optics，CPO），将光连接直接导入封装中。车用先进封装继2023年推出支持车用客户及早采用的N3AE制程之后，台积电借由整合先进芯片与封装来持续满足车用客户对更高运算能力的需求，以符合行车的安全与质量要求。台积电正在研发InFO-oS及CoWoS-R解决方案，支持先进驾驶辅助系统（ADAS）、车辆控制及中控电脑等应用，预计于2025年第四季完成AEC-Q100第二级验证。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

特斯拉“哨兵模式”大升级 功耗降低40%

特斯拉“哨兵模式”大升级 功耗降低40% 据了解，特斯拉的哨兵模式是特斯拉车辆的一项高级安全功能。启动后，车辆的摄像头和传感器（如果配备）将保持通电状态。此时可用来监控、记录周围环境在停车时的潜在危险。哨兵模式对车辆安全有一定的重要性，它可以激活脉冲大灯、警报器等具有威慑力的设备。尽管有这么多好处，但是该功能的能耗被称为“吸血鬼能耗”。有特斯拉车主表示，开启哨兵模式一天将会消耗7.2千瓦时的电量，大约相当于长续航版Model 3、Model Y 10%的电量。还有特斯拉车主称，他在事故发生后让汽车的哨兵模式开了一夜，电池电量从70%下降到56%。由此可见，特斯拉的哨兵模式占据车辆大量电力，此次升级更新哨兵模式，或将为众多特斯拉车主带去更好的用车体验。 ... PC版： 手机版：

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升至60%，甚至引发了苹果内部讨论。有消息称，AMD已经和三星签约，将部分4nm芯片订单从台积电转移过去。 据Business Korea报道，三星已经将4nm工艺的良品率提升至75%，与台积电4nm工艺的80%良品率已经很接近了。三星在4nm工艺上取得了一系列的进展，使得不少芯片设计公司对其先进工艺再次产生了兴趣，比如高通和英伟达，增加了三星再次获得订单的可能性。 当三星的半导体制造工艺进入10nm及以下制程后，就遇到了一系列的问题，迟迟未能提升良品率就是其中之一，这也导致了三星主要客户先后转单到台积电。过去几年里，台积电拉大了与三星之间的差距，2022年的资本支出（CAPEX）和产能（CAPA）分别是三星的3.4倍和3.3倍，占据了90%的7nm及以下工艺市场份额。 市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。 标签: #三星 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

紫光展锐 V620 发布：速率提升 100%、算力提升 200%，功耗降低 20%

紫光展锐 V620 发布：速率提升 100%、算力提升 200%，功耗降低 20% 据介绍，V620 基于紫光展锐第二代 5G 通信技术平台（上一代是 V510），其上下行速率可以达到 4.67Gbps 及 1.875Gbps，相比上一代提升 100%，同时功耗降低 20%。 联通什么时候更新 CPE 呀？

高通公布骁龙X GPU架构细节：性能超67％、功耗低62％

高通公布骁龙X GPU架构细节：性能超67％、功耗低62％ Adreno X1是专门针对Windows PC设计的，图形接口完整支持DirectX 12.1(Shader Model 6.7/DirectML)、DirectX 11、Vulkan 1.3、OpenCL 3.0，都有原生驱动支持。FP32单精度浮点性能最高4.6TFlops(每秒4.6万亿次计算)，像素填充率最高72Gp/s(每秒720亿次)。如此详细的架构图对于高通GPU来说似乎还是第一次，可以看到分为6个着色处理器(SP)，整体共计1536个FP32 ALU，可以通俗地表达为1536个核心，最高频率1.5GHz。粗暴地按照核心数计算，这相当于GTX 1660 Ti，或者说三个Arc A770，或者说四分之三个RX 7600。渲染前端模块支持每时钟周期2个三角形和光栅化处理、双向LRZ(地分辨率深度测试)、基于图像的可变着色率(VSR Tie2)。还有专门用于分箱(binning)的前端模块，与渲染同步运行。6个SP对应6个渲染后端，每时钟周期最多48个像素、96个fragment(用于MSAA抗锯齿)。另外还有GMU，也就是GPU管理单元，完整支持虚拟化(最多8个虚拟机)，还有电源管理的作用。细看SP部分，也就是SIMD着色处理器，属于核心执行模块，分为两个uSPTP(微型着色与纹理流水线)。整个SP，分布着256个FP32 ALU(单精度浮点算术逻辑单元)，支持FP32/16、INT32/16、BF16数据类型，支持DP4ACC指令(四路INT8点积)，以及512个FP16 ALU(半精度浮点算术逻辑单元)，支持FP16、INT16、BF16数据类型。此外，还有32个32位EFU(基本功能单元)、384KB GPR(通用寄存器)、指令缓存、本地缓冲、载入/存储单元、纹理流水线和纹理缓存、GMEM单元，等等。GPU内还集成了384KB集群缓存(每两个SP共享128KB)、1MB一体化二级缓存、6MB系统级缓存(即三级缓存)，还有一些其他较小的缓存，用于着色器指令、本地纹理数据等。GMEM是个特殊功能单元，也就是高带宽的本地GPU显存，容量3MB，带宽达2TB/s，与系统内存完全异步。而且，它不仅仅是缓存，还可以全部或部分灵活地用于色彩与景深缓存、通用本地内存，无论是图形渲染还是通用计算都可以使用。它可以让GPU大大减少对系统内存的依赖，降低对延迟和带宽的需求，还有着超高的性能与能效。FlexRender弹性渲染技术也值得一提，可以由驱动控制，针对每一个不同的表面动态切换不同的渲染模式，提升性能的同时尽可能降低功耗。具体分为三种模式：一是Direct Mode，PC标准渲染方式，兼容性最好。二是Binned Mode，将每一帧画面切分为不同的区块(Tile)，每一个都都会进入GMEM，可尽可能减少数据移动，提高能效。三是Bined Direct Mode，前述两种方式的混合。软件方面，高通承诺每月升级GPU驱动，Adreno控制面板可调节性能和各项功能，而在兼容性方面已经是数百款流行的Windows应用，已测试的游戏均可查询，还有丰富的开发工具。高通声称，Adreno X1对比酷睿Ultra的锐炫核显，同等功耗下性能领先最多67％，同等行下功耗低最多62％！对比锐龙9 7040系列中的Radeon 780M更是性能、能效都遥遥领先。在流行的3A游戏中，官方列出了9款，都基本持平或者优于Intel锐炫核显，优势项目包括《地平线：零之曙光》、《火箭联盟》等。 ... PC版： 手机版：