台积电不用新一代EUV光刻机 2030年的1nm再说

台积电不用新一代EUV光刻机 2030年的1nm再说 Intel此前公布的路线图上，18A之后已经安排了三个新的制程节点，但尚未具体命名。基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺，预计命名为15A，将在德国工厂量产。台积电对于高NA EUV光刻机引入计划则一直守口如瓶，有多个消息来源称台积电还在观望评估，目前计划要等到1nm工艺节点才会上马，而时间要等到2030年左右了。台积电目前正在冲刺2nm工艺，预计2025-2027年间量产，单芯片可集成超过1000亿个晶体管，单个封装可超5000亿个。然后是1.4nm、1nm，其中后者计划2030年左右量产，将在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管，单个封装内则超过1万亿个，相比N2工艺翻一倍。有趣的是，Intel也计划在2030年做到单个封装1万亿个晶体管，可谓针锋相对。 ... PC版： 手机版：

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元 随着ASML（阿斯麦）公司产能的持续扩大，预计到2025年，EUV光刻机的交付量将实现30%以上的显著增长。作为这一趋势的直接受益者，台积电正紧锣密鼓地准备迎接这一供应潮。据了解，ASML去年为满足市场需求已计划增产，预计今年将交付53台EUV光刻机，而到了明年，这一数字将攀升至72台以上。不仅如此，ASML在2025年的产能目标中，更是规划了90台EUV光刻机、600台DUV光刻机以及20台前沿的High-NA EUV光刻机。这一雄心勃勃的产能规划，无疑将为包括台积电在内的全球芯片制造商提供更强大的技术支持。然而，值得注意的是，EUV光刻机的供应目前仍面临紧张局面，交货周期通常在16至20个月之间。这意味着，尽管台积电已在2024年预订了30台EUV光刻机，并计划在2025年再订购35台，但这些订单的大部分可能要到2025年甚至更晚才能实际交付。不过，考虑到台积电可能会根据市场变化和自身需求对资本支出计划进行灵活调整，上述数字可能会根据实际情况有所变动。此外，业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NA EUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。 ... PC版： 手机版：

台积电：主要机台包含所有极紫外（EUV）光刻设备皆无受损

台积电：主要机台包含所有极紫外（EUV）光刻设备皆无受损 台积电称，地震发生后10小时内，晶圆厂设备复原率已超过70%，新建的晶圆厂复原率已超80％。不过，业内人士“手机晶片达人”却表示，台积电的声明与他询问Fab工作的朋友得到的回复差别极大。该人士称，官方声明说的若无其事，好像没有任何损失，但是在台积电Fab工作的朋友却说影响很大，wafer（晶圆）受损蛮严重的，很多机台必须重新调校，会影响生产。有网友表示：“越先进的工艺，受影响越大”“估计损失可能要好几亿美元了，机台上的晶圆都废了”。 ... PC版： 手机版：

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：