Kioxia 出样最新一代 UFS v4.0 嵌入式闪存设备

Kioxia 出样最新一代 UFS v4.0 嵌入式闪存设备 新 UFS 产品的增强性能可优化 5G 连接的利用率，从而加快下载速度、减少延迟并提升用户体验。更小的封装尺寸有助于提高电路板空间效率和设计灵活性。Kioxia 最新的 UFS Ver. 4.0 器件在 JEDEC 标准封装中集成了公司创新的 BiCS FLASH 3D 闪存和控制器。UFS 4.0 整合了 MIPI M-PHY 5.0 和 UniPro 2.0，支持每通道 23.2 Gbps或每器件 46.4 Gbps的理论接口速度，并且 UFS 4.0 向后兼容 UFS 3.1。其它主要技术特征包括：读/写速度比上一代产品提高：连续写入速度提高约 15%，随机写入速度提高约 50%，随机读取速度提高约 30%。封装尺寸比上一代减小：封装尺寸为 9 毫米 x 13 毫米，封装厚度为 0.8 毫米（256 GB 和 512 GB）和 0.9 毫米（1 TB），与传统封装尺寸（11 毫米 x 13 毫米）相比缩小了约 18%。更多信息，请访问产品页面。 ... PC版： 手机版：

铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18%

铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18% 铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。 2024-02-27 2022-05-04

铠侠宣布推出“符合 5.1 版规范”的下一代 e-MMC 嵌入式闪存

铠侠宣布推出“符合 5.1 版规范”的下一代 e-MMC 嵌入式闪存 与上一代器件相比，新样品的“连续和随机写入”性能提高了约 2.5 倍，随机读取性能提高了约 2.7 倍。此外，与上一代器件相比，TBW提高了约 3.3 倍 恺侠认为，虽然市场正向 UFS 转移，但在某些情况下，部分厂商依然可能使用 e-MMC

铠侠量产 218 层 NAND 闪存

铠侠量产 218 层 NAND 闪存 铠侠控股将于 7 月中旬在四日市工厂开始量产最先进的存储器。每个芯片可存储 128GB 数据。此次开始量产的NAND 型闪存将存储数据的元件堆叠至 218 层，同时增加了可在一个元件上存储的数据量。与以往产品相比，存储容量提高约 50%，写入数据时所需的电力减少约 30 %。它开始提供 2 Tb NAND 芯片样品，这是目前容量最高的 NAND 芯片。 via Solidot

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究

PLC 闪存远非终点 铠侠已投入 HLC 和 OLC 颗粒研究 铠侠最近披露表示，PLC (penta level cell) 之后，还有存储 6 电位的 HLC (hexa level cell) 和存储 8 电位的 OLC (octa level cell)。 目前，铠侠已经在 -196°C 的液氮环境中，实现了 HLC 闪存 1000 次 P/E。预计量产后，恐怕会降到 100 次 P/E。 当然，大家不用太担忧，因为 HLC 时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在 600 ~ 1000 次甚至更多，这意味要写满一次 SSD，需要的时间并不会比现在的 TLC、QLC 明显差很多。 （论日本的科技树）

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务 据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。