内存芯片价格持续上涨：预估三星利润暴增1300%

内存芯片价格持续上涨：预估三星利润暴增1300% 这一显著的利润增长主要得益于内存芯片价格的持续上涨。TrendForce的数据显示，第二季度DRAM芯片价格环比上涨了13%至18%，而NAND Flash存储芯片的价格上涨更是达到了15%至20%。这一价格上涨趋势直接推动了三星半导体部门的营业利润预计达到4.6万亿韩元（约合33.3亿美元），与去年同期相比实现了由亏转盈的巨大转变。尽管智能手机销量保持稳定，但由于组件成本的上涨以及对AI服务的营销和研发投入增加，三星的移动业务营业利润在第二季度可能面临下滑。然而，半导体领域的强劲表现预计将支撑三星整体利润的大幅增长。市场分析人士指出，随着AI技术的快速发展和应用，对高性能存储芯片的需求日益增长，这将进一步推动存储芯片市场的发展，三星将从这一趋势中获益匪浅。需要注意的是，利润数据是基于分析师预测，最终财务数据还是要等三星正式公布其第二季度财报。 ... PC版： 手机版：

DRAM 价格涨势停歇；HBM 需求将推升价涨？

DRAM 价格涨势停歇；HBM 需求将推升价涨？ DRAM 需求中，约50%来自 PC 和服务器、约35%来自智能手机。因PC、手机需求复苏仍需时间，使DRAM价格涨势停歇。 但AI所需的HBM需求急增，受到HBM产能排挤，其他DRAM产量就会减少，进而推升价格。

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：

DRAM 现货止跌迹象显现，第三季度合约价延续调涨

DRAM 现货止跌迹象显现，第三季度合约价延续调涨 第二季度消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等 6 月合并营收均呈现下滑，十铨的 B2B 专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM 现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。（台湾电子时报）

摩根士丹利：NAND 价格已触底，部分客户已接受30%-35%价格上涨

摩根士丹利：NAND 价格已触底，部分客户已接受30%-35%价格上涨 摩根士丹利在最新《AI产业追踪》报告中指出，存储厂商群已进入英伟达AI服务器供应链，其Re-timer产品采用PCI-E GEN 5规格，每颗报价20-30美元，预计明年上半年将正式获得采用。另外，由于NAND价格已触底，群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

彭博社消息，美国要求韩国收紧对中国半导体技术的出口限制。

彭博社消息，美国要求韩国收紧对中国半导体技术的出口限制。 知情人士透露，美国希望韩国限制高端逻辑和存储芯片的制造设备及技术流向中国，其中包括较14nm制程更先进的逻辑芯片以及一种较18nm更先进的DRAM存储芯片。 据悉美韩双方在3月进行接触，美方希望在6月G7峰会前达成协议。