厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此，此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为，目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版： 手机版：

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版： 手机版：

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：

需求巨大 HBM内存价格暴涨500% 创历史新高

需求巨大 HBM内存价格暴涨500% 创历史新高 随着英伟达（NVIDIA）和 AMD 等公司大量生产人工智能加速器，HBM 的价格也飙升到了新的水平，Yolo Group 报告称，HBM 的价格大幅上涨了 500%，而且这种情况似乎不会就此停止，因为未来的市场预计将迅速发展。HBM 的市场开始跨越以NVIDIA为中心的传统客户群，英特尔和 AMD 计划在其下一代中央处理器（CPU）产品中采用 HBM。与传统 DRAM 相比，HBM 拥有更高的数据容量和更低的功耗，非常适合需要高性能和高效率的人工智能应用。据市场研究公司 Omnia 预计，今年 HBM 在 DRAM 市场的份额将从去年的 9% 上升到 18% 以上。一位业内人士说："目前，在人工智能计算系统领域，没有其他内存芯片可以取代 HBM。"报告强调的另一个有趣事实是，三星电子和 SK 海力士目前在 HBM 市场上占据主导地位，据说它们占据了 90% 以上的市场份额。考虑到这两家公司最近都成为了头条常客，无论是通过获得新客户还是向下一代工艺转型，这些数字一点也不令人震惊。此外，最近又有消息称，HBM 领导者 SK hynix 和台积电正在结盟；因此，我们可以预见，市场数据也将不断动态发展。就未来而言，据说 HBM 市场在未来五年的复合年增长率预计将达到 45%，这意味着我们将目睹整个市场资本和这一特定领域产生的收入的大幅增长。此外，随着未来HBM 产品（如 HBM4）在未来几年的亮相，市场将被视为高度乐观，人工智能也将在未来将其提升到新的高度。美国科技公司对人工智能服务器的大规模投资推动了 HBM 的销售。根据 Hi Investment & Securities 的预测，今年美国和中国 14 家科技公司的资本支出（CAPEX）增长率将达到 18.4%。 ... PC版： 手机版：

因中国客户接受提价 DRAM价格连续上涨

因中国客户接受提价 DRAM价格连续上涨 DRAM芯片被广泛应用于PC、智能手机、服务器等领域，大宗交易价格由卖家和买家共同决定。消息称DRAM批发价由存储芯片厂商与客户每月或每季度敲定一次，上一轮价格谈判是在春节前，中国客户增加采购量。日本电子产品商社指出，除中国客户之外，PC大厂同样接受涨价。业界普遍认为，2024年将进入PC换机周期，因此DRAM需求看增。研究机构Gartner此前报告指出，存储芯片需求在2024年将强劲复苏，营收预估将暴增66.3%，其中NAND Flash闪存将增长49.6%，DRAM营收将增长88%。 ... PC版： 手机版：

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版： 手机版：