SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量，重申其在HBM领域的发展方针，并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法，此外，他还重申了SK hynix迈向2024年的期望：随着生成式人工智能服务的多样化和进步，对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点，是一款具有里程碑意义的产品，打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中，SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年，期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期，我们将全力以赴，创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外，该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊，因为进入 2024 年，人工智能仍在蓬勃发展，英伟达（NVIDIA）和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备，显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市，我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量，预计到今年年底，HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%，其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供应商，两者都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5 的渗透率将超过 50%。同时，由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过，由于 2023 年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到 2024 年底，现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工，随后进行设备安装，并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出，虽然新工厂计划于 2025 年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB，有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版： 手机版：

SK Hynix实现爆炸式财务增长 宣布推出64GB容量的32Gb DDR5 DRAM

SK Hynix实现爆炸式财务增长 宣布推出64GB容量的32Gb DDR5 DRAM 该公司成功地从总收入中获取了 23% 的利润，这被认为是继 2018 年第一季度该公司业绩之后的第二高利润。SK 海力士认为，该公司终于迎来了经济反弹，进入了持续主导市场的时代。此外，SK 海力士还指出，他们的季度营业利润收入大幅增长了 734%，这完全归功于人工智能对他们的巨大推动作用。该公司指出，在接下来的几个月里，人工智能部门将催化其财务业绩，而随着 DRAM 行业的复苏，该公司也将收回失去的利润。SK Hynix 还对其 HBM3E 供应表现出极大的乐观，声称已收到来自行业客户的大量兴趣。主要亮点包括：3 月，开始量产/供应 1bnm HBM3E 根据客户需求增加 HBM3E 的供应量利用提高的生产能力扩大客户群与台积电签署开发 HBM4 和合作开发下一代封装技术的谅解备忘录128GB+ 模块的强劲销售促进了 DDR5 的销售将推出 1bnm 32Gb DDR5 产品以支持高密度 SV DRAM 需求计划在 24 年内推出 PCIeGen5 cSSD，供人工智能 PC 采用在谈到未来工艺时，SK Hynix 还宣布其 1bnm 32 Gb DDR5 内存已步入正轨，将于今年内亮相，这意味着单条 DIMM 可实现 64 GB 的容量，企业级产品更是可通过新技术获得 128 GB 的容量。进入人工智能 PC 时代后，内存将在处理能力方面发挥至关重要的作用，韩国巨头希望充分利用这一点，与三星等公司一起采用第五代 10 纳米技术。人工智能又一次成功地将另一家公司从不断下滑的财务业绩中拯救出来，SK 海力士看起来已经准备好在未来占据主导地位，尤其是凭借其与台积电和英伟达（NVIDIA）等领先企业的密切关系。 ... PC版： 手机版：

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

加注AI SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上 消息显示，韩国半导体制造商SK海力士（SK hynix Inc．）将扩大其高带宽内存（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。SK海力士财报显示，该公司第四财季实现了1131万亿韩元（约84.6亿美元）的营收和3460亿韩元（约2.59亿美元）的运营利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。SK海力士扭亏为盈主要归因于HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与上一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势，SK海力士计划开始大规模生产人工智能芯片HBM3E，并加快第六代HBM4的开发。“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求，计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍，”公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2，前者是一种将多个DRAM集成到一个基板上的高容量服务器模块，后者是一种基于低功耗（LP） DDR5X的高性能移动模块，二者旨在满足AI服务器需求和设备端AI市场。在专注于生产高附加值产品的同时，SK海力士计划将资本支出的增长最小化，强调稳定的业务运营。“与上一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保增长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”首席财务官金宇贤表示。SK海力士解释说，自从2023年第三季度以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到2024年实现库存正常化，同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定，NAND闪存的产量将在下半年保持稳定，”该公司表示。分析师预计，该芯片制造商2024年的的运营利润将10万亿韩元（约合88.5亿美元）。还有分析师预计该公司2024年运营利润将达到10.6万亿韩元（约合94.2亿美元），分析师认为，主要因为人工智能芯片需求预计将增加。自2023年年初以来，SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。 ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：