消息称由于HBM产量令人失望 三星正在购置新设备

消息称由于HBM产量令人失望 三星正在购置新设备 该出版物提出"三星落后于（竞争生产商）的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电膜（NCF）芯片制造技术，而海力士则转而采用大规模回流模压填充（MR-MUF）方法来解决 NCF 的弱点"。报道称，三星正在订购新的 MUF 相关设备。一位匿名消息人士称："三星必须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对（他们）来说是一件有点咽不下这口气的事情，因为它最终沿用了 SK Hynix 最早使用的技术。"路透社设法从这家韩国跨国巨头那里得到了回应公司发言人表示："我们正在按计划开展 HBM3E 产品业务。他们表示，NCF 技术仍然是"最佳解决方案"。文章发表后，官方又做出了回应："关于三星将在其 HBM 生产中应用 MR-MUF 的传言并不属实"。内部人士透露接下来团队会经历漫长的测试阶段据传三星正在采购 MUF 材料，但预计量产不会在今年开始。三位消息人士称，三星计划在新一代 HBM 芯片中"同时使用 NCF 和 MUF 技术"。 ... PC版： 手机版：

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消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明，三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位，三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室，以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版： 手机版：
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抢救 HBM 良率：传三星吞下自尊，跟进对手先用技术 三星 坚持使用非导电性胶膜(NCF)技术，因而面临一些生产问题。相较之下，SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充（MR-MUF)技术，解决NCF缺点。 不过，消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的晶片制造设备。一名人士说，「三星必须设法提升HBM良率......改采MUF对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进 SK 海力士。」 赚钱重要还是“自尊”重要？
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三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：
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三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关 外媒报导，三星至今未通过 NVIDIA 验证，是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂，台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者，传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准，而三星制程与 SK 海力士有差异，SK 海力士采 MR-RUF，三星则是 TC-NCF，对参数多少有影响。 2024-03-14
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英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”
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三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版： 手机版：

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