消息称三星电子新设HBM芯片开发团队

消息称三星电子新设HBM芯片开发团队 三星电子副总裁、高性能DRAM设计专家Sohn Young-soo将领导该团队。新团队将专注于下一代HBM4产品以及HBM3和HBM3E产品的研发。此举表明，三星电子将加强对HBM的研发结构。该公司已开发出了业界领先的12层HBM3E产品，并通过了英伟达的质量测试。但该市场一直由三星的竞争对手SK海力士凭借其最新的HBM3E而占据主导地位。为巩固自己的地位，三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室，以提高整体技术竞争力。最新的举措是为了提高三星在蓬勃发展的HBM市场上的竞争力。 ... PC版： 手机版：

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队 据业界 7 月 4 日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。(界面)

抢救 HBM 良率：传三星吞下自尊，跟进对手先用技术

抢救 HBM 良率：传三星吞下自尊，跟进对手先用技术 三星 坚持使用非导电性胶膜(NCF)技术，因而面临一些生产问题。相较之下，SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充（MR-MUF)技术，解决NCF缺点。 不过，消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的晶片制造设备。一名人士说，「三星必须设法提升HBM良率......改采MUF对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进 SK 海力士。」 赚钱重要还是“自尊”重要？

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关 外媒报导，三星至今未通过 NVIDIA 验证，是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂，台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者，传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准，而三星制程与 SK 海力士有差异，SK 海力士采 MR-RUF，三星则是 TC-NCF，对参数多少有影响。 2024-03-14

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作 回顾过往，三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海，不仅设立了专项团队，还成立了特别工作组，持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级，无疑是对过往努力的深化与加强，彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点，三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初，三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM，并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产，这一系列成就不仅体现了三星的技术实力，也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。值得注意的是，三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起，三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证，涵盖8层与12层堆叠技术，虽历经挑战但进展显著，预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成，这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。此外，三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展，并明确透露了HBM4技术的研发时间表，即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注，也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。更有传言指出，三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，以优化高温环境下的热特性，进一步提升产品的稳定性和可靠性，这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。 ... PC版： 手机版：