三星仍需解决3nm工艺良品率问题 目前在50%附近徘徊

三星仍需解决3nm工艺良品率问题 目前在50%附近徘徊 三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方面依然有一些问题需要解决。不过这次的消息里，没有具体说明到底是初代的3nm GAA / 3GAE，还是已经试产、且今年即将量产的第二代3GAP。三星去年曾表示，其3nm工艺量产后的良品率已达到60%以上，不过现在看来，似乎有点过于乐观。有行业分析师表示，三星GAA流程方法尚未稳定，这多少能解释为什么良品率一直都上不去。不过在4nm工艺上，三星的表现明显更好，良品率已提升至75%，过去一系列的努力终于有了回报。对于谷歌来说也是个好消息，毕竟今年用于新款Pixel 9系列旗舰智能手机的Tensor G4将采用4LPP+工艺制造。如果三星想要在未来与台积电（TSMC）甚至英特尔代工服务竞争，必须要提升良品率。三星对明年的Exynos 2500寄予厚望，被认为是其SoC设计的翻身之作，计划采用3nm工艺制造，如果良品率问题得不到解决，很难想象如何与高通及联发科的同类产品抗衡。 ... PC版： 手机版：

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在，一份新的报告指出，Exynos 2500 将提高工艺标准，预计将使用第二代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到，Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低 50%，性能提高 30%，面积缩小 35%。据悉，第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称，后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版： 手机版：

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升至60%，甚至引发了苹果内部讨论。有消息称，AMD已经和三星签约，将部分4nm芯片订单从台积电转移过去。 据Business Korea报道，三星已经将4nm工艺的良品率提升至75%，与台积电4nm工艺的80%良品率已经很接近了。三星在4nm工艺上取得了一系列的进展，使得不少芯片设计公司对其先进工艺再次产生了兴趣，比如高通和英伟达，增加了三星再次获得订单的可能性。 当三星的半导体制造工艺进入10nm及以下制程后，就遇到了一系列的问题，迟迟未能提升良品率就是其中之一，这也导致了三星主要客户先后转单到台积电。过去几年里，台积电拉大了与三星之间的差距，2022年的资本支出（CAPEX）和产能（CAPA）分别是三星的3.4倍和3.3倍，占据了90%的7nm及以下工艺市场份额。 市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。 标签: #三星 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3n

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3nm 节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将 3nm 工艺技术转向量产，但尚未吸引主要芯片供应商的订单。 #抽屉IT

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程 目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这也被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。 ... PC版： 手机版：