JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈 HBM4 是内存领域的下一个大事件，每家公司都参与了该内存类型的最有效开发，因为它最终将为下一代市场的成功奠定基础。据 ZDNet Korea报道，为了帮助制造商，JEDEC 决定将 12 层和 16 层 HBM4 堆栈的 HBM4 封装厚度降低到 775 微米，因为更高的厚度水平会带来复杂性，而且与该工艺相关的需求也非常值得期待。此外，据说制造商以前曾采用混合键合工艺这种较新的封装技术来减少封装厚度，因为这种工艺使用板载芯片和晶片直接键合。不过，由于 HBM4 内存将是一项新技术，预计采用混合键合技术将导致整体价格上涨，这意味着下一代产品将更加昂贵，但混合键合技术的使用还不确定，因为 HBM 制造商可能会利用 JEDEC 做出的"放宽"。至于我们何时能看到基于HBM4的产品亮相，SK hynix计划在2026年实现量产，最初的样品预计每堆栈容量高达36 GB。众所周知，HBM4 将彻底改变人工智能市场的计算性能，因为这种内存类型将采用"革命性"的板载芯片配置，把逻辑和半导体结合到单个封装中。由于台积电和 SK hynix 最近建立了联盟，HBM 和半导体市场有望在合作的环境中发展。 ... PC版： 手机版：

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备 就三星 3D 封装的细节而言，它是 2.5D 方法的后继者，这一次，这家韩国巨头不再使用硅插层来连接 HBM 和 GPU，而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT（三星高级互连技术）平台，并将封装分为三种类型：SAINT-S、SAINT-L 和 SAINT-D。它们都处理不同的芯片，如 SRAM、Logic 和 DRAM。与传统的 2.5D 相比，三星的 3D 封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠，该公司成功地缩小了芯片之间的距离，从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹，这也是广泛采用该技术的另一个好处。韩国媒体称，三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛 2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术，因为英伟达（NVIDIA）和英伟达（AMD）宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于 3D 封装将与 HBM4 一起使用，预计三星的服务将与英伟达的 Rubin架构和 AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。三星还计划到 2027 年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装，集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后，英特尔在其轻薄设计（如 Lunar Lake CPU）中采用了非常以 SoC 为中心的方法，而 AMD 也在垂直堆叠领域非常活跃，其独特的 HBM、MCD 和 3D V-Cache 堆栈横跨多个芯片，可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。 ... PC版： 手机版：

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存 NVIDIA现有的高性能GPU架构代号“Blackwell”，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游戏的RTX 50系列。2025年将看到“Blackwell Ultra”，自然是升级版本，但具体情况没有说。2026年就是全新的下一代“Rubin”，命名源于美国女天文学家Vera Rubin(薇拉·鲁宾)，搭配下一代HBM4高带宽内存，8堆栈。根据曝料，Rubin架构首款产品为R100，采用台积电3nm EUV制造工艺，四重曝光技术，CoWoS-L封装，预计2025年第四季度投产。2027年则是升级版的“Rubin Ultra”，HBM4内存升级为12堆栈，容量更大，性能更高。CPU方面下代架构代号“Vera”没错，用一个名字同时覆盖GPU、CPU，真正二合一。Vera CPU、Rubin GPU组成新一代超级芯片也在规划之中，将采用第六代NVLink互连总线，带宽高达3.6TB/s。此外，NVIDIA还有新一代数据中心网卡CX9 SuperNIC，最高带宽可达1600Gbps，也就是160万兆，并搭配新的InfiniBand/以太网交换机X1600。 ... PC版： 手机版：

三星计划在 HBM4 上引入 3D 封装技术

三星计划在 HBM4 上引入 3D 封装技术 现在 HBM 是用2.5D封装，HBM和GPU在同一平面，挨得很近，用硅中介层连接； 3D封装是把HBM直接叠在GPU上，就像 AMD 3D V-Cache 那样。

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4 制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4 制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前还不具备经济地生产这种先进逻辑芯片的能力（如果它们能生产的话）。对于第一波 HBM4，台积电准备采用两种制造工艺：N12FFC+ 和 N5。虽然它们的目的相同将 HBM4E 内存与下一代 AI 和 HPC 处理器集成，但它们将以两种不同的方式连接用于 AI 和 HPC 应用的高性能处理器内存。台积电设计与技术平台高级总监表示："我们正与主要的 HBM 存储器合作伙伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先进节点上实现 HBM4 全堆栈集成。N12FFC+高性价比基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以更低的功耗提供更多的逻辑。"台积电采用 N12FFC+ 制造工艺（12 纳米 FinFet Compact Plus，正式属于 12 纳米级别的技术，但其根源来自台积电久经考验的 16 纳米 FinFET 生产节点）制造的基础芯片将用于在系统级芯片（SoC）旁边的硅中间件上安装 HBM4 存储器堆栈。台积电认为，他们的 12FFC+ 工艺非常适合实现 HBM4 性能，使内存供应商能够构建 12-Hi(48 GB) 和 16-Hi 堆栈（64 GB），每堆栈带宽超过 2 TB/秒。高级总监说："我们还在为 HBM4 优化 CoWoS-L 和 CoWoS-R。CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的2000多个互连的路由，并具有[适当的]信号完整性"。N12FFC+ 上的 HBM4 基础芯片将有助于使用台积电的 CoWoS-L 或 CoWoS-R 先进封装技术构建系统级封装 (SiP)，该技术可为内插件提供高达 8 倍网纹尺寸的空间，足以容纳多达 12 个 HBM4 存储器堆栈。根据台积电的数据，目前，HBM4 在电流为 14mA 时的数据传输速率可达 6 GT/s。台积电代表解释说："我们与 Cadence、Synopsys 和 Ansys 等 EDA 合作伙伴合作，对 HBM4 通道信号完整性、IR/EM 和热精度进行认证。"同时，作为更先进的替代方案，内存制造商还可以选择台积电的 N5 工艺来生产 HBM4 基础芯片。采用 N5 工艺的基础芯片将包含更多的逻辑，功耗更低，性能更高。但可以说最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，大约为 6 至 9 微米。这将使 N5 基本芯片与直接键合技术结合使用，从而使 HBM4 可以直接在逻辑芯片上进行三维堆叠。直接键合技术可实现更高的内存性能，这对于一直在渴求更多内存带宽的人工智能和高性能计算芯片来说将是一个巨大的推动。我们已经知道台积电和 SK Hynix 正合作开发 HBM4 基础芯片。台积电很可能也会为美光生产 HBM4 基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为这家企业集团已经通过其三星代工部门拥有了自己的先进逻辑晶圆厂。 ... PC版： 手机版：