SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术 SK hynix 表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的 HBM 技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 是在采用 TSV 技术的基底芯片上堆叠核心 DRAM 芯片，并通过 TSV 将 DRAM 堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到 GPU，由 GPU 控制 HBM。SK hynix 采用专有技术制造 HBM3E 以下的基础芯片，但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于 SK hynix 生产定制的 HBM，满足客户对性能和能效的需求。SK hynix和台积电还同意合作优化SK hynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。K hynix 总裁兼 AI Infra 负责人 Justin Kim 说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的 HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来，台积电和 SK hynix 已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SK hynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代 HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。" ... PC版： 手机版：

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备 随着人工智能在市场上的应用迅速增加，我们在迈向未来的过程中需要更强的计算能力，值得注意的是，HBM 在人工智能计算如何定位自己的现代生活中发挥了至关重要的作用，因为它是制造人工智能加速器的关键部件。SK hynix 副总裁 Kim Chun-hwan 在 2024 年韩国半导体展（SEMICON Korea 2024）上发表主题演讲时透露，该公司打算在 2026 年之前开始量产 HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了早日实现下一代产品过渡之外，重要的是要认识到 HBM 行业面临着巨大的需求；因此，创造一种既能无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Kim 认为，到 2025 年，HBM 市场预计将增长高达 40%，并已提前定位，以充分利用这一市场。关于对 HBM4 的期待，Trendforce分享的路线图预计，首批 HBM4 样品的每个堆栈容量将高达 36 GB，而完整规格预计将在 2024-2025 年下半年左右由 JEDEC 发布。首批客户样品和可用性预计将于 2026 年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能解决方案的实际应用还有很长的时间。目前还不确定哪种类型的人工智能产品将采用新工艺，因此我们暂时无法做出任何预测。随着 SK hynix 的加入，HBM 市场的竞争似乎会变得更加激烈，哪家公司会崛起并登上王者宝座，让我们拭目以待。 ... PC版： 手机版：

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量，重申其在HBM领域的发展方针，并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法，此外，他还重申了SK hynix迈向2024年的期望：随着生成式人工智能服务的多样化和进步，对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点，是一款具有里程碑意义的产品，打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中，SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年，期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期，我们将全力以赴，创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外，该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊，因为进入 2024 年，人工智能仍在蓬勃发展，英伟达（NVIDIA）和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备，显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市，我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版： 手机版：

SK hynix利用新一代HBM4E内存整合计算和高速缓存功能

SK hynix利用新一代HBM4E内存整合计算和高速缓存功能 由于目前这还只是一个概念，SK hynix 已经开始确保半导体设计 IP 以实现其目的。据韩国媒体ET News报道，虽然有关工艺的细节还不多，但SK hynix计划通过其即将推出的HBM4架构为多用途HBM奠定基础，因为这家韩国巨头将在板上集成内存控制器，并计划通过其第七代HBM4E内存带来新的计算选择。SK hynix 将把内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，这将提高能效和信号传输速度。至于新增功能对计算市场的影响有多大，我们还不能确定，但它肯定会提高性能，因为这种方法偏离了行业的传统做法，即对 HBM 和半导体进行不同的处理。然而，通过 SK hynix 的技术，封装后将成为一个整体，这不仅能确保更快的传输速度，因为结构间隙将大大减少，而且还能带来更高的能效。SK hynix 希望快速推进其下一代 HBM 概念，因为该公司已经与台积电结盟，以处理其结构中的半导体部分。这家韩国巨头希望借此在三星（Samsung）和美光（Micron）等竞争对手中遥遥领先，同时确保 HBM 产业的持续创新。 ... PC版： 手机版：

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片

美光发布迄今尺寸最为紧凑的UFS 4.0存储芯片 美光推出这种小型解决方案的主要原因是，智能手机原始设备制造商反馈说他们希望有更大的空间放置更大的电池。这家美国公司在美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了这一产品，并采用了其 232 层 3D NAND 技术。与去年 6 月推出的 11 x 13 毫米解决方案相比，UFS 4.0 芯片的占地面积缩小了 20%。这将在不影响整体性能的情况下降低功耗。美光带来了 HPM（高性能模式），这是一项专有功能，可优化智能手机高强度使用时的性能，启用 HPM 后，速度可提高 25%。美光现在出货的新 UFS 4.0 存储样品有三种规格：分别是256 GB、512 GB 和 1 TB。 ... PC版： 手机版：

SK hynix悄然升级消费级Platinum P51 Gen5 SSD 速度达到惊人的14GB/s

SK hynix悄然升级消费级Platinum P51 Gen5 SSD 速度达到惊人的14GB/s 据SK hynix称，其Platinum P51 Gen5固态硬盘现在的读取和写入速度分别高达14,000 MB/s和12,000 MB/s，高于我们之前看到的13,500 MB/s读取速度和11,500 MB/s写入速度。该硬盘还配备了相同的 SK hynix 238 层 3D TLC NAND 闪存 IC 和 4 通道 PCIe Gen5 接口。它还具有 200 万（2000K）读写 IOPS。这款硬盘有 2 TB、1 TB 和 500 GB 三种容量，虽然它采用了无散热片设计，但可以期待 SK hynix 为这款产品提供 Haechi H01 或类似的散热解决方案。这款固态硬盘最重要的部分是控制器，为此，SK hynix 采用了自家的 Aries Gen5 固态硬盘控制器，该控制器专为满足人工智能工作负载的需求而设计，可立即运用在LLM上。外形尺寸：M.2 2280（PCie Gen5 x4）容量：2 TB、1 TB、500GBNAND 技术：SK hynix 238L 3D TLC NAND 闪存接口：PCIe Gen5 NVMe，多达 4 个通道顺序读取性能：高达 14,000 MB/s连续写入性能：高达 12,000 MB/s除了Platinum P51 Gen5固态硬盘外，SK hynix还展示了新的便携式固态硬盘Beetle X31，它的外壳小巧时尚，有金色和银色两种颜色可供选择。该解决方案提供高达 10 Gbps 的速度，有 1 TB 和 512 GB 两种规格，2 TB 版本计划于 24 年第三季度推出。SK hynix还没有公布Platinum P51 Gen5固态硬盘的价格和上市时间，但我们可以预计它将在2024年第三季度上市。 ... PC版： 手机版：