Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产 它首次引入RibbonFET环绕式晶体管、PowerVia背部供电，能效比提升最多15％。至于18A工艺，也就是1.8nm级别，将会首次大规模引入新一代EUV极紫外光刻，继续优化Ribbon晶体管，再次提升10％的能效比。它也在2022年就完成了初步测试，将是Intel对外代工的主力，也是Intel反超台积电的关键点。Intel CEO帕特·基辛格最新表示，基于18A工艺的第一款客户端产品Panther Lake、第一款服务器产品Clearwater Forest，将在2025年开始投产，而大规模量产则要等到2026年。这两款产品都早已出现在路线图上，但细节上未公开，只知道Clearwater Forest将是第二代基于纯E核的至强，架构代号Darkmont，而第一代的Sierra Forest今年上半年登场，最多288核心288线程。终于Panther Lake，应该是第三代酷睿Ultra。基辛格指出，Intel 2025年的晶圆生产主力还是Intel 10/7工艺，2025年开始上量Intel 3，并有小批量的Intel 18A，然后在2026年就会大规模出货Intel 18A。至于Intel 14A，具体投产节点仍未公布，看起来应该能在2026年落地。 ... PC版： 手机版：

Intel 芯片路线图添加新的 14A 工艺节点

Intel 芯片路线图添加新的 14A 工艺节点 Intel 今天更新了其芯片路线图，其中包括新添加的“14A”节点，即 1.4nm 工艺，该节点承诺生产迄今为止最先进的计算机芯片。该节点也将是业界首次使用 High NA EUV 技术进行的量产工艺。虽然没有透露有关 14A 节点的更多信息，但英特尔每个新的制造节点都试图比前一个节点提供 15% 的性能提升。 目前，18A 仍然是该公司最先进的制造节点，预计于 2024 年下半年开始进入量产阶段。根据路线图，Intel 14A 及其变体 Intel 14A-E 将于 2027 年或之前推出。该公司还计划用改进现有技术的制造节点来填充路线图的其他部分。 其中包括 Intel 3-E、Intel 3-PT、Intel 3-T 以及 Intel 18A-P 的工艺节点。

Intel晒史上最贵开箱 全球首台高NA光刻机已装机

Intel晒史上最贵开箱 全球首台高NA光刻机已装机 目前安装的还只是核心组件，全部搞定需要250多名ASML、Intel的工程师，耗时约6个月，然后还得花时间调试。这台光刻机主要作为研究之用，将会在Intel 18A节点上进行测试，但大规模量产得等到刚刚宣布的Intel 14A节点上，时间预计2025-2026年左右 。该光刻机可以实现8nm的分辨率，而现有低NA光刻机单次曝光只能做到13nm，同时晶体管密度几乎可以增加3倍。大家非常关心的价格上，ASML的说法是大约3.8亿美元，但这只是起步价，更高配置自然更贵，Intel CEO帕特·基辛格透露在4亿美元左右，也就是逼近29亿元。相比之下，低NA EUV光刻机约为1.83亿美元。除了Intel，三星、台积电、SK海力士也都订购了高NA EUV光刻机，首批订单有数十台。 ... PC版： 手机版：

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 按照Intel的最新官方数据，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel 3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel 3其实就是Intel 4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel 4的实践经验，Intel 3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel 3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel 3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel 3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel 20A首发应用于Arrow Lake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel 18A则是Intel 20A的升级版，将在2025年用于代号Clearwater Forest的服务器处理器，以及代号Panther Lake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel 14A。 ... PC版： 手机版：

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备 他这个 A16 应该是指 16Å (1.6nm)，对应 Intel 14A 制程 但这么命名乍一看还以为是的A16