报告称到2032年中国将生产28%的10纳米以下芯片 但先进制程预计只有2%

报告称到2032年中国将生产28%的10纳米以下芯片 但先进制程预计只有2% 访问：Saily - 使用eSIM实现手机全球数据漫游 安全可靠 源自NordVPN 华盛顿于 2022 年通过了《CHIPS 与科学法案》，该法案为美国的芯片制造能力建设提供了 390 亿美元的资金，因为美国正努力遏制对亚洲集中供应链的依赖。报告称，这笔钱将在未来十年开始得到回报。2022 年，美国的芯片制造能力仅占全球的 10%，其余主要集中在亚洲。但预计未来十年，美国的芯片生产能力将增长203%。到2032年，美国的芯片生产能力将占全球总生产能力的14%。报告称，如果没有《CHIPS 法案》，到 2032 年，美国的份额将进一步下滑至 8%。此外，《CHIPS 法案》将有助于美国在制造最先进芯片方面反超中国。与中国一样，美国目前也不具备生产 10 纳米以下芯片的能力。不过，在美国联邦政府拨款的支持下，台湾半导体制造股份有限公司、三星电子和英特尔已同意增加在美国的投资，在美国本土生产世界上最先进的芯片。台积电原本打算在亚利桑那州的工厂生产 3 纳米芯片，但在获得 66 亿美元的资助后，现在也将生产 2 纳米芯片。三星公司也承诺将利用《CHIPS 法案》提供的 64 亿美元资金，在其德克萨斯州的工厂大规模生产 2 纳米芯片。因此，根据 SIA 和 BCG 的报告，到 2032 年，美国将有能力制造 28% 的 10 纳米以下芯片。相比之下，虽然中国政府为建设国内半导体产业也提供了超过折合 1420 亿美元的激励措施，但报告预计，中国只能生产全球最先进芯片的 2%。SIA总裁兼首席执行官约翰-诺伊弗说："中国似乎在所谓的传统芯片上投入了更多精力。"例如，对于 10 至 22 纳米的芯片，到 2032 年，中国的生产能力份额将增加两倍，从 6% 增加到 19%。报告称，对于 28 纳米以上的芯片，预计中国的份额增幅最大，将从 2022 年的 33% 增至 2032 年的 37%。同时，美国对中国半导体出口的管制，尤其是对尖端芯片和芯片制造工具的管制，也是中国将远远落后于美国的部分原因，尽管中国和美国在2022年的先进芯片制造能力均为零。诺伊弗说："有些控制措施可能会减缓发展速度，中国最先进芯片的起点要低得多。尽管美国在制造方面有所下滑，但在设计和研发方面，美国却是第一，而且几乎在我们行业的整个历史上都是如此。"美国商务部长吉娜-雷蒙多（Gina Raimondo）呼吁政府出台"CHIPS 法案二或某种持续投资"，以保持美国在半导体领域的领先地位。然而，即将于 11 月举行的总统大选正在为此类法案或类似的政府激励措施的前景带来不确定性，一些人担心唐纳德-特朗普的胜利可能预示着产业政策的转变。但诺伊弗表示，无论选举结果如何，两党都支持加强美国半导体供应链："[CHIPS 法案]的第一份成绩单看起来相当不错。到国会和政府考虑第二轮的时候，我想每个人都会很乐意做得更多，因为第一轮非常成功。我非常有信心，我们会有政策应对措施，让我们保持竞争优势，为我们的公司提供公平的竞争环境。"相关文章:芯片法案初见成效 预计到2032年美国芯片生产能力将增加两倍 ... PC版： 手机版：

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏

华为四重曝光工艺专利公开，国产5nm芯片有戏 去年国外权威科技媒体对通过双重曝光实现的7nm工艺麒麟芯片分析后认为，制造良率可能在50%，而通过SAQP实现的5nm芯片，良率可能低至20%左右。 2023-11-28

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片

华为公开四重曝光工艺专利 猜测能造5nm芯片 比如为了造出2nm级工艺芯片，ASML已经打造了0.55 NA的新一代EUV极紫外光刻机，价格高达惊人的4亿美元左右。极其复杂的现代光刻机的一小部分在受到外部条件严重制约的情况下，以华为为代表的国内半导体企业已经不可能接触到这些尖端工艺，只能另辟蹊径，比如先进封装技术，比如多重曝光技术。简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用7nm设备造出5nm芯片。其实，多重曝光也不是新鲜事物，半导体巨头们都尝试过，但它太过于复杂，需要执行的步骤更多，良品率和质量都难以保障。比如说，Intel第一代10nm工艺就尝试过多重曝光，最终也没能成功，对应的处理器(Cannon Lake)最终被迫取消，第二代成功量产但性能也达不到要求，频率根本就上不去，甚至无法用于桌面台式机。再比如，Intel即将量产的18A 1.8nm工艺，就因为等不到ASML的新一代高NA光刻机，只能使用现有设备加双重曝光来实现。华为这项专利早在2021年9月就申请了，正是华为被美国宣布制裁后的几个月。显然，华为早就有了技术储备，在危难时刻几乎立即就开始行动，深入相关研究，如今专利公开则意味着华为和相关行业伙伴已经取得了实质性的突破，甚至可能已经投入实用！华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。7、去除第四图案化硬掩膜层和第一抗反射层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。华为在专利中表示：“实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。”外媒猜测，华为应该是和中芯等联合搞定的自对准四重图案化技术，完全可以造出5nm工艺的芯片。 ... PC版： 手机版：

佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片

佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片 佳能表示，这套设备的工作原理和ASML的光刻机不同，并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。相较于目前已商用化的EUV光刻技术，尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻方式慢，但铠侠在2021年就曾表示，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。原因在于纳米压印技术的制程较为简单，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活的为客户生产小批量芯片。不过佳能CEO三井藤夫曾在采访中表示，佳能可能无法将这些设备出口到中国，“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。” ... PC版： 手机版：

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片 华为公司和中国一家秘密的芯片制造合作伙伴已为一种低技术但可能有效的先进半导体制造方法申请了专利。根据提交的专利申请，这两家公司正在开发涉及自对准四重成像 (SAQP) 的技术，这可能使他们无需 ASML 最先进的 EUV 光刻设备即可生产先进芯片。国资背景的硅开利、北方华创也在探索 SAQP 技术。尽管美国试图阻止中国制造先进芯片，但该方法仍有可能帮助中国使用过时工具制造某些 5nm 芯片。该技术曾在 10nm 以前的工艺中使用，但因为多重步骤带来制造成本上升和良率下降，在 7nm 以后的先进制程节点中现已被 EUV 全面替代。