传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误”

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误” 在与记者的交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，我们根本不会采购。”阿斯麦是欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。英特尔的错误英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。（辰辰） ... PC版： 手机版：

台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法 台积电的宿敌英特尔公司（Intel）希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻（High-NA EUV lithography）领域取得不可逾越的领先地位。事实上，首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A（1.8 纳米）工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线（EUV）光刻技术，然后再将其正式纳入 14A（1.4 纳米）制造工艺。相比之下，台积电公开表示，其现有的低噪点 EUV 光刻机阵容可以支持生产到 2026 年。对于即将到来的 A16 工艺节点，该公司显然满足于现有的工艺改进，包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5 月 26 日，台积电首席执行官魏哲家没有出席 2024 年技术研讨会，而是秘密访问了 ASML 位于荷兰的总部。根据Business Korea 的报道，从 ASML 首席执行官 Christopher Fuke 和通快集团首席执行官 Nicola Leibinger-Kammüller 的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划，这家合约芯片制造商希望在推出基于 1.6 纳米的产品后，才采用高数值孔径 EUV 光刻技术。然而，魏哲家对 ASML 总部的秘密访问却让人颇感意外，尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流，或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。 ... PC版： 手机版：

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元 随着ASML（阿斯麦）公司产能的持续扩大，预计到2025年，EUV光刻机的交付量将实现30%以上的显著增长。作为这一趋势的直接受益者，台积电正紧锣密鼓地准备迎接这一供应潮。据了解，ASML去年为满足市场需求已计划增产，预计今年将交付53台EUV光刻机，而到了明年，这一数字将攀升至72台以上。不仅如此，ASML在2025年的产能目标中，更是规划了90台EUV光刻机、600台DUV光刻机以及20台前沿的High-NA EUV光刻机。这一雄心勃勃的产能规划，无疑将为包括台积电在内的全球芯片制造商提供更强大的技术支持。然而，值得注意的是，EUV光刻机的供应目前仍面临紧张局面，交货周期通常在16至20个月之间。这意味着，尽管台积电已在2024年预订了30台EUV光刻机，并计划在2025年再订购35台，但这些订单的大部分可能要到2025年甚至更晚才能实际交付。不过，考虑到台积电可能会根据市场变化和自身需求对资本支出计划进行灵活调整，上述数字可能会根据实际情况有所变动。此外，业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NA EUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。 ... PC版： 手机版：

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：

台积电的光刻机安装了远程自毁功能

台积电的光刻机安装了远程自毁功能 世界最大的先进芯片代工厂台积电为其最先进光刻机来自荷兰 ASML 公司的极紫外光刻机安装了远程自毁功能，以防万一紧急情况下使用。据彭博社报道，此举是为了缓解美国的担忧。来源 ， 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat