南亚和华邦在需求和价格上涨的情况下提高存储器产量

南亚和华邦在需求和价格上涨的情况下提高存储器产量 目前,存储器工厂的产能利用率达到 90% 至满负荷,明显高于工艺成熟的晶圆代工厂 60% 至 70% 的产能利用率。去年,南亚调整了生产量,最多减少了 20%。今年,产量逐渐增加,第二季度达到 70% 至 80% 以上,目前已恢复到正常水平。南亚公司预计,DRAM 市场状况和价格将逐季改善,整个行业趋势向好,第三季度有可能扭亏为盈。南亚昨天公布 6 月合并营收 33.63 亿元,月增 0.35%,年增 36.83%,创下今年新高。上半年累计合并营收194.24亿元,同比增长44.4%。南亚将于 7 月 10 日召开新闻发布会,公布第二季度财报和经营展望。紧随南亚之后,华邦去年也因应市场状况和库存调整,将台中工厂的产量减少了 30% 至 40%。自 2024 年初以来,随着市场需求的恢复,生产量也随之增加。目前的生产能力已达到满负荷,月产量为 58000 单元。此外,高雄工厂还引进了新的生产设备,月产能从 10000 单单元提高到 14000 单元,生产工艺也从 25 纳米升级到 20 纳米。华邦公司总经理陈沛铭表示,目前公司的产能利用率已达到满负荷,出货量超过了产量。这表明库存水平正在下降,客户需求正在上升。他预计下半年的业绩将好于上半年,并看好 DDR3 和 DDR4 合约价格的上涨,这将对公司利润产生积极影响。 ... PC版: 手机版:

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地震导致台湾面板厂停工,恐引发面板价格上涨 目前面板需求旺盛,主要集中在电视领域。 据悉,生产电视面板的工厂在地震前已几乎满负荷运转,预计此次地震的影响将影响部分电视面板的出货。 对于亟欲拉抬面板价格的厂商而言,是否会藉地震后对产能的冲击而开始调涨面板价格,将是未来1~2个月的观察重点。

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华利集团:目前产能排产比较紧张 产能利用率比去年要高 华利集团 (300979) 7 月 11 日在接待机构调研时表示,公司的产能会有一定的弹性,公司基本上会把产能利用率控制在 85% 以上。目前集团各工厂的产能排产比较紧张,员工的加班时间也会高于去年,工厂产能利用率比去年要高。2024 年上半年投产的印尼新工厂已经开始出货。目前印尼工厂的运营管控指标尚未出台。待印尼工厂运营一段时间后,将会对同一型体的鞋款在越南和印尼生产进行比较,看看差距是否过大,探讨改善方案。考虑到市场需求,未来几年公司仍会保持积极的产能扩张。未来 35 年,公司将在印尼及越南新建数个工厂。

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长鑫存储与长江存储重重障碍中加强研发工作 DigiTimes 的消息来源指出,长鑫存储已开始在其位于合肥的新工厂量产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片。通过略微超过美国 18 纳米的限制,旨在提高产能,同时在技术上遵守美国商务部的规定。合肥工厂一期工程已接近满负荷运转,月产量达到 100,00 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前每月增加 40000 片晶圆,这将使长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。此外,长鑫还计划为新的扩产大幅增加国内采购。相比之下,长江存储在被列入美国实体名单后,其产能增长面临全面限制。由于关键设备的进口现已停止,建立材料和工具的本地供应链已被证明具有挑战性。尽管研发取得了进展,包括NAND闪存超过300层,但长江存储还是推出了120层的新产品,有意低于美国的128层限制。然而,即使是这些符合标准的芯片,也要等待美国批准才能进行更大规模的生产。展望未来,虽然长鑫已经开辟了一条绕过美国限制的可行之路,但长江存储的产能计划却面临着持续的障碍。尽管如此,通过坚定的研发努力,包括 232 层和未来的 300 多层 NAND,长江存储的目标是克服外部不利因素,推动中国半导体能力向前发展。 ... PC版: 手机版:

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HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35% HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而,约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量,预计到今年年底,HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%,其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。关于HBM的最新发展,TrendForce指出,HBM3e将成为今年的市场主流,出货量将集中在下半年。目前,SK hynix 和美光仍是主要供应商,两者都采用 1beta 纳米工艺,并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证,并于今年年中开始供货。除了 HBM 需求的比例不断增加外,个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中,服务器的产能增幅最大,主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产,预计到今年年底,DDR5 的渗透率将超过 50%。同时,由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年,而下半年又是内存需求的旺季,因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过,由于 2023 年出现财务亏损,制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言,由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高,先进工艺的产出将受到限制。因此,下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能,对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前,新工厂计划如下:三星预计到 2024 年底,现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工,而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大,而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工,并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产,未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工,随后进行设备安装,并计划于 2026 年量产。TrendForce 指出,虽然新工厂计划于 2025 年竣工,但量产的确切时间表仍不确定,取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法,加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外,英伟达(NVIDIA)将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB,有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即,如果不在扩大产能方面进行大量投资,HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。 ... PC版: 手机版:

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