代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备 台积电张晓强博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹举办的技术研讨会，他直言：“ASML 的 High-NA EUV 太贵了，我非常喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢它的价格”。 2024-04-25 2024-05-05

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备 他这个 A16 应该是指 16Å (1.6nm)，对应 Intel 14A 制程 但这么命名乍一看还以为是的A16

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑

ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑 ASML 大型新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻系统已完成“初次曝光”，这是一个里程碑，意味着该工具正在运行，尽管尚未发挥全部性能。ASML 和英特尔本周三表示，英特尔在其工厂内，通过激活光源并使光透过透镜系统到达晶圆上的光刻胶，利用 ASML 的 High NA EUV 系统实现了一个重要的里程碑。 这表明光源和镜子已正确对齐，这是调试过程中的关键步骤。 “初次曝光”里程碑表明当前世界上最先进的芯片制造工具 ASML Twinscan EXE:5000 系统的一个主要组件已开始运行，但尚未达到峰值性能。

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录

ASML首台高数值孔径EUV光刻机已创下新的芯片制造密度记录 他概述了一项计划，通过大幅提高未来 ASML 工具的速度到每小时 400 到 500 个晶圆 (wph)，这是目前 200 wph 峰值的两倍多，从而降低 EUV 芯片制造成本。他还为 ASML 未来的 EUV 工具系列提出了一种模块化统一设计。Van der Brink 表示，经过进一步调整，ASML 现已使用其开创性的高数值孔径 EUV 机器打印出 8nm 密集线条，这是专为生产环境设计的机器的密度记录。这打破了该公司在 4 月初创下的记录，当时该公司宣布已使用位于荷兰费尔德霍芬 ASML 总部与 imec 联合实验室的开创性高 NA 机器打印出 10nm 密集线条。从长远来看，ASML 的标准低 NA EUV 机器可以打印 13.5nm 的临界尺寸（CD可以打印的最小特征），而新的High NA EXE:5200 EUV 工具旨在通过打印 8nm 特征来制造更小的晶体管。因此，ASML 现在已经证明其机器可以满足其基本规格。“今天，我们已经取得了进展，能够显示创纪录的 8nm 成像，在整个视野范围内得到校正，但也有一定程度的重叠，”Van der Brink 说道，“顺便说一句，这不是完美的数据，但它只是为了向你展示进展。今天，我们有信心，凭借High NA 技术，我们将能够在未来的时间里跨越到终点线。”这一里程碑代表了 10 多年的研发和数十亿欧元投资的成果，但仍有更多工作要做，以优化系统并为主要芯片制造商的大规模生产做好准备。这项工作已经在荷兰开始，而英特尔是已知唯一一家已经完全组装High NA 系统的芯片制造商，它正紧随 ASML 的脚步，在俄勒冈州的 D1X 工厂投入运营自己的机器。英特尔将首先将其 EXE:5200 High NA 机器用于研发目的，然后将其投入生产 14A 节点。Van der Brink 还再次提出了一种新的超数值孔径 EUV 机器，但尚未对该机器做出最终决定ASML 似乎正在衡量行业兴趣，但只有时间才能证明它是否会实现。当今的标准 EUV 机器使用波长为 13.5nm 且数值孔径 (NA收集和聚焦光的能力的量度) 为 0.33 的光。相比之下，新的高数值孔径机器使用相同的光波长，但采用 0.55 NA 来打印更小的特征。Van der Brink 提出的超数值孔径系统将再次使用相同波长的光，但将 NA 扩大到 0.75，以能够打印更小的特征。我们不确定提议的临界尺寸，但上面的 ASML 晶体管时间线显示它正在 16nm 金属间距（A3 节点）处拦截并延伸到 10nm（A2 以下节点）。根据上述路线图，Hyper-NA 可能适用于单次曝光 2DFET 晶体管，但目前尚不清楚使用 High-NA 和多重曝光是否也能产生如此精细的间距。如您在上面的第一张幻灯片中看到的，这台机器要到 2033 年左右才会问世。今天的 High-NA 机器已经花费了大约 4 亿美元。由于需要更大、更先进的镜子和改进的照明系统，Hyper-NA 将是一个更昂贵的选择。与其前代产品一样，Hyper-NA 的目标是通过单次曝光打印更小的特征，以避免多重曝光技术（同一区域的多次曝光），这些技术往往会增加芯片制造过程的时间和步骤，同时也会增加出现缺陷的可能性，所有这些都会增加成本。Van Der Brink 表示，继续开发光刻机和先进掩模将是提高印刷特征分辨率的关键。Hyper-NA 还将使用改进的照明系统以获得最佳效果。ASML 没有详细说明，但可以合理地认为，改进后的照明器将与更高功率的光源配对，以帮助增加剂量，以抵消 0.75 NA 使用的更高镜面角度并提高产量。Van der Brink 还提议将公司未来机器的产量从目前的约 200 wph 提高到未来的 400 到 500 wph。这是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆，从而对抗每一代新芯片中每个晶体管价格上涨的趋势。为了加快开发速度并降低成本，ASML 已经使用其现有的Low NA Twinscan NXE:3600 EUV 机器作为其新High NA 机器的构建模块。ASML 的Low NA 型号采用模块化设计，使该公司能够利用成熟的技术和模块为其新工具服务，并且该公司只在需要时添加新模块。但是，还有更多优化空间。Van der Brink 认为，在未来十年内，该公司在创建新工具时将加倍采用模块化设计理念。拟议的长期路线图显示，Low NA、High NA 和Hyper NA 都具有越来越通用的模块化平台和共享组件。这种设计是 ASML 可以控制成本的另一个杠杆。芯片行业似乎拥有通过使用Low NA 和High NA 工具构建的全栅极 (GAA) 和互补场效应晶体管 (CFET) 的坚实未来发展跑道，但除了超 NA 之外，还没有真正的候选者站出来可能实现未来几代工艺节点技术。与往常一样，成本是关键因素，但 ASML 显然已经在考虑如何让 Hyper-NA 定价方程对其客户更具吸引力。台积电改变心意？台积电先前一再表示，阿斯麦（ ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。综合科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导，消息人士指出，魏哲家缺席23日登场的台积电2024年技术论坛台湾场，于26日造访了ASML荷兰总部，以及工业雷射公司创浦（TRUMPF）的德国总部。金融分析师奈斯泰德（Dan Nystedt） 28日在X平台发文写道，台积电似乎加入了追逐下一世代EUV设备之战，即High-NA EUV机台，理由是魏哲家访问ASML与雷射供应商创浦，而非参与在台湾举行的技术论坛。业界推断，魏哲家的到访，显示台积电想买High-NA EUV，此种设备对2纳米以下制程极为关键。ASML去年底已出货首台High-NA EUV给英特尔。分析指出，台积电管理层似乎决定拜访ASML，确保全球半导体的主导地位。台积电原本打算2026年下半量产1.6纳米制程后，再导入High-NA EUV。High-NA EUV 设备报价高达3.8亿美元，约新台币123亿元，较EUV高出逾一倍。台积电的竞争对手英特尔和三星电子，都已有所行动。英特尔想借着High-NA EUV，达到难以超越的领先优势。最先出货的几台High-NA EUV，都送往英特尔的晶圆代工部门。英特尔想先在1.8纳米试用此种设备，之后正式导入于1.4纳米制程。三星集团会长李在镕则已在4月亲访ASML关键伙伴蔡司的德国总部，拜会ASML执行长傅凯与蔡司执行长兰普雷希特，以强化三方的半导体联盟。 ... PC版： 手机版：