台积电3nm工艺提价 6nm/7nm却降价了

台积电3nm工艺提价 6nm/7nm却降价了 业内人士表示，台积电3nm涨价底气在于，苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂包揽台积电3nm家族产能，甚至出现了排队潮，一路排到2026年。受此影响，采用台积电3nm制程的高通骁龙8 Gen4价格将会上涨，消息称骁龙8 Gen4的最终价格将超过200美元，也就是说单一颗芯片的价格在1500元左右，相关终端价格预计也会有所上涨。对此，台积电方面表示，客户不要担心涨价，公司正在努力控制成本。相比之下，6nm、7nm制程工艺相对而言没有3nm那么抢手，台积电作出了上述降价举措。相关文章:台积电拟对英伟达涨价 大摩称其他客户或也将跟进台积电回应涨价传闻：定价以策略而非机会为导向 持续与客户紧密合作 ... PC版： 手机版：

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程 目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这也被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。 ... PC版： 手机版：

台积电3nm获苹果、英特尔及AMD频频追单

台积电3nm获苹果、英特尔及AMD频频追单 台积电受惠苹果、英特尔及 AMD 三大客户频频追单，3nm 订单动能强劲，今年逐季看增。台积电向来不评论客户订单动态，据了解，台积电去年四季度 3nm 贡献营收比重约15%，今年在大客户相继采用 3nm 量产效应带动下，3nm 营收占比有望突破两成，成为第二大营收贡献来源，仅次于 5nm。 就三大客户在 3nm 下单情况来看，苹果今年 iPhone 16 新机将采用 A18 系列处理器，加上最新笔记本电脑自研芯片 M4 也将到位，两款主力芯片都将在第二季度开始在台积电以 3nm 制程生产。英特尔方面，Lunar Lake 中央处理器、显卡处理器、高速IO芯片等也确定在第二季度在台积电投片量产。AMD 今年将推出研发代号“Nirvana”的 Zen 5 全新架构平台，预计将大幅增强 AI 应用能力；按照惯例将采用台积电晶圆代工，并以 3nm 制程投片，预期下半年面世。

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3n

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3nm 节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将 3nm 工艺技术转向量产，但尚未吸引主要芯片供应商的订单。 #抽屉IT

传闻天玑9400将采用台积电3nm工艺 性能提升巨大

传闻天玑9400将采用台积电3nm工艺 性能提升巨大 去年台积电的3nm生产线只有苹果一个客户，苹果的A17 Pro和整个M3系列芯片都是采用台积电的"N3B "工艺制造，该工艺也被视为第一代3nm技术。数码闲聊站在博文中提到，天玑9400移动平台将采用台积电第二代3nm工艺。对此wccftech则猜测这种工艺是台积电的"N3E"光刻工艺，据说这种工艺的晶圆产量比N3B高，价格也更合理，因此获得了高通和联发科的订单。此前我们也有报道过，联发科首席执行官蔡力行称，联发科正在与台积电深入合作新一代3nm芯片，目前项目正在推进当中，但他暂未透露过多技术细节。此外博文中还提到天玑9400移动平台将采用ARM最新公版的CPU和GPU架构，因此联发科这款旗舰SoC很大概率将搭载Cortex-X5核心。博文还提到，这款SoC的性能非常强，之前也有报道称它在架构上将与天玑9300移动平台一样，不配备能效核。网上甚至已有传闻称天玑9400移动平台的综合性能将强于第四代骁龙8移动平台，但鉴于骁龙今年将改用定制的Oryon内核，两款SoC的性能差异暂不能妄下定论。 ... PC版： 手机版：

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：