台积电押注EUV 继续领跑芯片制造

台积电押注EUV 继续领跑芯片制造 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 当台积电于 2019 年开始在其 N7+ 工艺（用于华为海思）上使用 EUV 光刻制造芯片时，它占据了全球 EUV 工具安装基数的 42％，即使 ASML 在 2020 年增加了 EUV 光刻机的出货量，台积电的 EUV 份额安装量实际上增加到了 50%。到 2024 年，台积电的 EUV 光刻系统数量将比 2019 年增加 10 倍，尽管三星和英特尔都在提高自己的 EUV 产量，但台积电目前仍占全球 EUV 安装基数的 56%。可以说，台积电很早就决定大力进军 EUV，因此他们今天仍然拥有 EUV 光刻机的最大份额。值得注意的是，台积电的EUV晶圆产量增幅更大；台积电目前生产的 EUV 晶圆数量是 2019 年的 30 倍。与工具数量仅增加 10 倍相比，台积电产量增长了 30 倍，凸显了台积电如何能够提高 EUV 生产力、减少服务时间和减少工具停机时间全面的。显然，这一切都是通过公司内部开发的创新技术实现的。台积电表示，自 2019 年以来，其 EUV 系统的日晶圆产能已提高两倍。为此，该公司优化了 EUV 曝光剂量及其使用的光刻胶。此外，台积电大幅改进了 EUV 光罩的薄膜，使其寿命提高了四倍（即增加了正常运行时间），将每个薄膜的产量提高了 4.5 倍，并将缺陷率大幅降低了 80 倍（即提高了生产率并增加了正常运行时间）。出于显而易见的原因，台积电没有透露它是如何如此显着地改进其薄膜技术的，但也许随着时间的推移，该公司的工程师将与学术界分享这一点。EUV 光刻系统也因其功耗而臭名昭著。因此，除了提高 EUV 工具的生产效率外，该公司还通过未公开的“创新节能技术”，将 EUV 光刻机的功耗降低了 24%。该公司还没有就此结束：他们计划到 2030 年将每个 EUV 工具每个晶圆的能源效率提高 1.5 倍。考虑到台积电目前已通过低数值孔径 EUV 光刻技术实现的所有改进，该公司对未来能够继续生产尖端芯片充满信心也就不足为奇了。尽管竞争对手英特尔已在其未来的 18A 以下节点中全力采用高数值孔径 EUV，但台积电正在寻求利用其高度优化且经过时间考验的低数值孔径 EUV 工具，以避免主要技术的潜在陷阱如此快的过渡，同时还获得了使用成熟工具的成本效益。 ... PC版： 手机版：

台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法 台积电的宿敌英特尔公司（Intel）希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻（High-NA EUV lithography）领域取得不可逾越的领先地位。事实上，首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A（1.8 纳米）工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线（EUV）光刻技术，然后再将其正式纳入 14A（1.4 纳米）制造工艺。相比之下，台积电公开表示，其现有的低噪点 EUV 光刻机阵容可以支持生产到 2026 年。对于即将到来的 A16 工艺节点，该公司显然满足于现有的工艺改进，包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5 月 26 日，台积电首席执行官魏哲家没有出席 2024 年技术研讨会，而是秘密访问了 ASML 位于荷兰的总部。根据Business Korea 的报道，从 ASML 首席执行官 Christopher Fuke 和通快集团首席执行官 Nicola Leibinger-Kammüller 的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划，这家合约芯片制造商希望在推出基于 1.6 纳米的产品后，才采用高数值孔径 EUV 光刻技术。然而，魏哲家对 ASML 总部的秘密访问却让人颇感意外，尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流，或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。 ... PC版： 手机版：

为何被阿斯麦、台积电反超？ 美媒揭秘美国芯片的“史诗级失误”

为何被阿斯麦、台积电反超？ 美媒揭秘美国芯片的“史诗级失误” 阿斯麦的High-NA EUV光刻机凤凰网科技讯 这是一个史诗级的战略失误。美国在半导体技术发展的早期发挥了至关重要的作用，这项技术已成为当今人工智能(AI)革命的基石。然而，现在的格局是，一家荷兰公司垄断了半导体制造设备，亚洲制造商主导了生产。极紫外光刻机(EUV)可以说是目前世界上最重要的电子设备。它的问世造就了后来的尖端芯片制造，实现了芯片处理能力的重大提升，为新一代AI工具铺平了道路。OpenAI旗下ChatGPT、GoogleGemini等AI平台执行的大量多层次计算，加快了通常由人类完成的大量任务。EUV技术的获取也成为了美国的国家经济安全问题。不过，麻烦的是，只有一家公司在生产EUV光刻机：荷兰的阿斯麦。每台EUV光刻机有一辆公共汽车那么大，造价超过2亿美元。迄今为止，阿斯麦已售出200多台EUV光刻机，这让它成为了欧洲最有价值的科技股，市值超过3500亿美元。英特尔市值已远远落后于台积电、英伟达那么，美国是如何拱手让出这一关键技术的控制权的呢？其中部分原因是，只有相对较少的芯片行业高管认为EUV可行。另一个原因是：美国当时的长期芯片霸主、全球最大芯片制造商英特尔的误判。美国的先发优势硅芯片由晶体管组成，后者本质上是一系列栅极和开关，构成了现代计算中0和1的物理表现。为了使计算机更强大，半导体工程师们一直在寻求把晶体管做得更小。上个世纪中叶发明的第一批晶体管大约有一厘米长。而现在，它们只有几纳米宽，或者说十亿分之几米。在芯片制造的最初几十年里，可见光被用来在硅上刻蚀图案来制造晶体管，这一过程被称为光刻。随后，行业才转向紫外光。20世纪80年代，科学家们开始想知道芯片制造如何才能达到接近原子的尺度水平，这要求他们保持创新的步伐。总部位于新泽西州的贝尔实验室的研究人员开始研究极紫外线技术，紧随其后的是美国能源部的三个国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚实验室。美国能源部最终为这项研究投入了数千万美元。英特尔随着这些实验室在一些技术要素上取得进展，他们意识到，要将极紫外线技术推向市场，行业支持是必不可少的。1997年，一家名为EUV LLC的公私合营公司成立，它得到了美国公司英特尔、AMD和摩托罗拉的支持。最终，它的规模进一步扩大，纳入了光刻公司硅谷集团和阿斯麦。阿斯麦也加入了欧洲的一个类似EUV研究联盟。当时，日本的尼康、佳能是光刻领域的巨头。日本似乎是美国主导芯片制造领域的最大威胁。因此，美国不愿在下一代技术竞赛中帮助日本，而是支持硅谷集团和阿斯麦。阿斯麦将全部精力都放在了EUV技术上，并在接下来几年里试图发挥其潜能。2001年，阿斯麦斥资11亿美元收购了硅谷集团 ，从而在EUV竞争中独当一面。当时，它预计EUV技术将在2006年具有商业可行性。技术挑战但是，事实证明，阿斯麦的预期过于乐观了。EUV技术非常复杂，其中涉及用高功率激光以每秒5万次的速度轰击锡滴，使其产生能够发射极紫外光的等离子体。由于极紫外光在地球上不会自然产生，它会被空气吸收，这个过程必须在真空中进行。然后，光被一系列镜子聚焦，反射在一个掩膜版(reticle)上。掩膜版上面刻有电路图案，能阻挡并吸收一些光。通过这种方式，电路图案被刻蚀在晶圆上。掩膜版的作用鉴于这些设备的操作精度，由德国蔡司公司制造的镜子必须要光滑得近乎不可思议：最大凸起只有一个原子那么高。阿斯麦表示，如果将镜子比做一个国家，那么最高的凸起将只有1毫米高。而且，用激光轰击熔锡也很棘手。它需要定期清理，这意味着有很多停机时间。这让人很难想象光刻机是如何做到经济实惠的：半导体制造工厂几乎需要每周7天、每天24小时不停地运转，才能证明数十亿美元的建造成本是合理的。直到2012年，半导体产业才开始认为这项技术可能是可行的。但是，它仍然需要注入大量资金。于是，阿斯麦求助其最大客户：台积电投资了14亿美元，三星电子投资了9.74亿美元，英特尔投资高达41亿美元。当时，这三家芯片制造商总共持有阿斯麦约四分之一的股票。误判的代价这一招奏效了。2018年，阿斯麦开始大量出货EUV光刻机。尽管EUV技术的大部分早期工作都是在美国完成的，而且英特尔是阿斯麦的最大业内支持者，但第一代机器没有一台是交付给英特尔的。这并不是阿斯麦有意为之，而是英特尔的选择。英特尔时任CEO科再奇(Brian Krzanich)当时并不相信这项技术能够达到在经济上可行的规模。他继续押宝已有技术，直到他所看到的EUV问题得到解决。当时，他也有理由感到自信：英特尔在尖端芯片制造工艺方面一直领先于同行。事实证明，这是一个误判。台积电使用EUV工艺的在2018年左右首次在技术上超过英特尔。台积电做的是所谓的代工业务：苹果、英伟达和AMD等客户设计自己的芯片，然后委托给台积电制造。英特尔制造工艺被台积电甩开与此同时，英特尔替代EUV的“多图案”芯片光刻技术无法可靠地工作。当英特尔将工艺微调到可以大规模生产时，台积电和三星已经在生产更先进的半导体了。技术上的落后对美国产生了更深层次的影响，因为台积电还向华为等中国公司供货。从2019年开始，EUV技术制造的芯片被搭载在华为智能手机上。这么一来，一项部分由美国资本资助、部分基础研究在美国实验室进行的技术，似乎可能会让它的对手受益。于是，美国开始施压荷兰政府，阻止阿斯麦向中国出售EUV光刻机。亡羊补牢现在，英特尔仍在为当初的误判而痛苦。帕特·基辛格(Pat Gelsinger)在2021年接任英特尔CEO，他在今年4月表示：“我们当初采取了很多措施来避免对EUV的需求，但正如你所看到的，这导致我们在功率、性能、面积和成本方面落后了。”股市表现也说明了这个错误的严重程度。早在2012年投资阿斯麦时，英特尔的市值是英伟达的15倍，几乎是台积电的两倍。现在，它的市值已无法和这两家公司相提并论：英特尔现在的市值为1640亿美元，而台积电的市值达到了6500亿美元，英伟达的市值更是冲到了2.2万亿美元。这在很大程度上是因为英特尔没有采用EUV技术。如今，基辛格正急于确保自己不会重蹈前任的覆辙。英特尔正在大力支持下一代EUV技术：高数值孔径(High NA)，这种技术使用新的光学系统将光线聚焦到一个更小的点。英特尔已经在俄勒冈州的一个工厂安装了第一个预生产模型。 ... PC版： 手机版：

台积电推出A16新型晶片制造技术 预计将于2026年量产

台积电推出A16新型晶片制造技术 预计将于2026年量产 台湾积体电路制造公司（简称台积电）公布，所推出的A16新型晶片制造技术，A16晶片预计将于2026年下半年量产。 据路透社报道，台积电星期三（4月24日）在美国加州圣克拉拉举行的一场技术论坛上，做出上述宣布。台积电高管说，人工智能晶片制造商将比智能手机制造商更早采用上述技术。 台积电说，这项新科技将允许电力从晶片背面输送到计算晶片，有助于加快人工智能晶片的运算速度，而这是台积电与美国竞争对手英特尔一直在竞争的领域。 台积电商业发展高级副总裁张晓强对记者说，因应人工智能晶片公司的需求，公司比预期更早完成A16新型晶片制造技术的开发，但未具体说明是为哪些人工智能晶片公司制造这些晶片。 张晓强说，台积电不认为需要荷兰半导体巨头阿斯麦（ASML）出产的高数值孔径（High-NA）极紫外光刻机（EUV）制造A16晶片。 英特尔上周宣布，将向阿斯麦购买制造每台售价3亿7300万美元（约5亿800万新元）的高数值孔径紫外光刻机，用于制造14A晶片。英特尔今年2月称，公司所推出的14A新型晶片制造技术，将让他们超越台积电，生产出全世界运算速度最快的晶片。 2024年4月25日 3:04 PM

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点

台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点 台积电高管周二表示，不一定需要使用 ASML 下一代 High NA EUV 机器，用于即将推出的芯片制造技术 A16，该技术正在开发中，预计于 2027 年推出。High NA 光刻工具有望帮助将芯片设计缩小三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及 ASML 的旧技术是否可能更可靠、更好。每台 High NA EUV 工具的成本预计超过 3.5 亿欧元，而 ASML 常规 EUV 机器的成本则为 2 亿欧元。台积电是全球最大的合同芯片制造商，也是 ASML 常规 EUV 机器的最大用户。而另一方面，英特尔则已经打包预定了 ASML 今年所有的 High NA 设备出货量。

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备 且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10 nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。 ... PC版： 手机版：