台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程

台积电3nm产能被苹果等包圆 苏姿丰暗示AMD将采用三星3nm制程 目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这也被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。 ... PC版： 手机版：

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3n

【业内人士：台积电获得多家芯片供应商的3nm订单承诺】台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3nm 节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将 3nm 工艺技术转向量产，但尚未吸引主要芯片供应商的订单。 #抽屉IT

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：

【两大晶圆代工巨头动作频频：量产3nm工艺/外扩建厂】美国总统拜登将在本周访问三星平泽园区，而届时三星将展示其3nm芯片技术，并

【两大晶圆代工巨头动作频频：量产3nm工艺/外扩建厂】美国总统拜登将在本周访问三星平泽园区，而届时三星将展示其3nm芯片技术，并声称3nm GAA工艺有望很快开始量产；台积电正在考虑在新加坡建立一家芯片制造厂，而这家新工厂预计生产7至28nm的芯片 #抽屉IT

三星首款3nm手机芯片Exynos 2500细节曝光

三星首款3nm手机芯片Exynos 2500细节曝光 其中Cortex-X5超大核频率在3.2GHz-3.2GHz之间，Cortex-A730大核频率在2.3GHz-2.5GHz之间。值得注意的是，这是三星首款3nm手机芯片，目前三星已开始试产第二代3nm SF3，预计在未来6个月时间内，三星让SF3的工艺良率提高到60%以上。GPU方面，三星Exynos 2500将会配备基于AMD RDNA的GPU Xlipse 950，将会带来更好的性能。在上一代芯片Exynos 2400上，基于AMD RDNA3的Xclipse 940 GPU在光线追踪方面的表现击败了对手骁龙8 Gen3。因此，Exynos 2500值得期待。 ... PC版： 手机版：