苹果冻结使用长江存储芯片的计划

苹果冻结使用长江存储芯片的计划 日经报道（付费墙），苹果冻结了在其产品中使用长江存储闪存芯片的计划。在美国公布新的芯片出口限制前，苹果公司已经完成了在 iPhone 中使用长江存储 128 层 3D NAND 闪存芯片的认证。长江存储的 3D NAND 是目前中国最先进的闪存芯片，但仍落后于三星和美光一到两代。苹果准备使用长江存储的闪存是因为它比竞争对手的产品便宜 20%。苹果最初计划只在中国销售的 iPhone 中使用长江存储闪存，之后考虑从长江存储采购 iPhone 所需的四成闪存。但现在短时间内苹果不太可能会采购长江存储闪存。 来自：雷锋 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat 投稿：@kejiqubot

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光 中国最大闪存芯片制造商长江存储，在美国法院起诉美国存储芯片公司美光科技以及子公司侵犯其八项美国专利。 第一财经星期六（11月11日）从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于星期四（11月9日）起诉美光及全资子公司美光消费产品集团侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。 长江存储是中国最大的闪存芯片（3D NAND Flash）制造厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。 长江存储也在起诉书中称，长江存储不再是新秀，而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储称，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。 根据第一财经，NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造固态硬盘（SSD）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。 美国商务部工业和安全局2022年10月发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。 ... 2023年11月12日 2:32 PM

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层 据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现 290 层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第 9 代 V-NAND 的同一消息来源还称，该公司计划在 2025 年初推出其后续产品第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 闪存预计将达到 430 层，比第 9 代 V-NAND 闪存增加 140 层（第 9 代 V-NAND 闪存比上一代增加 54 层）。这将使三星与其竞争对手 Kioxia、SK Hynix、美光科技和 YMTC 重新走上正轨，向 2030 年实现 1000 层 3D NAND 闪存的宏伟目标发起冲击。 ... PC版： 手机版：

华为最新手机采用中国长江存储的存储芯片

华为最新手机采用中国长江存储的存储芯片 华为最新的旗舰智能手机已转向国内供应商提供主要组件，这是朝着打造完全中国制造的设备迈出的又一步。TechInsights 拆解显示，Pura 70 系列搭载华为自研的麒麟 9010 芯片，使用长江存储技术有限公司的 NAND 存储。Pura 手机并非完全没有外国制造的技术：TechInsights 发现内部的 DRAM 是由三星电子制造的。拆解显示，这是一年前首次出现在三星 Galaxy S23+ 智能手机中的一代内存。 、

中国长江存储在美起诉美光科技侵犯专利

中国长江存储在美起诉美光科技侵犯专利 11 月 11 日，第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于 11 月 9 日起诉美光科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其 8 项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s 在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡的 NAND 闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相吻合，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。关于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪能力最强的游戏系统。 ... PC版： 手机版：