美国要求荷兰对华禁售 ASML 光刻机，对芯片国产化影响有多大？

美国要求荷兰对华禁售 ASML 光刻机，对芯片国产化影响有多大？ 美国 官员正在游说荷兰当局，在禁止向中国出售最先进的极紫外线光刻机（EUV）基础上，进一步将禁售范围扩大到上一代技术深紫外线浸没式（ArFi）DUV 光刻机的出口。

芯片设备制造商阿斯麦（ASML）2月10日向媒体展示新一代极紫外光刻机（EUV），型号为：TWINSCAN EXE:5000。这

芯片设备制造商阿斯麦（ASML）2月10日向媒体展示新一代极紫外光刻机（EUV），型号为：TWINSCAN EXE:5000。这台光刻机大小约一辆双层巴士，重量约两架空客A320飞机、价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）。该设备对ASML在1250亿美元的EUV市场保持领导地位至关重要。 ASML预计今年能出货“数台”High NA EUV。 英特尔已下了订单，第一台设备已于去年12月送达该公司俄勒冈工厂，这台EUV可以制造8nm线宽电路，比前一代小1.7倍，从而实现晶体管密度提高至2.9倍。电路越细，芯片上的晶体管就越多，处理速度和表现就越佳。 ASML高管表示，该设备对人工智能（AI）发展至关重要。 ASML发言人莫尔斯（Monique Mols）2月10日在媒体参观该公司总部时说，安装这套重达15万公斤的系统，要用到250个货箱、250名工程师，且需耗时6个月 标签: #ASML #EUV #光刻机 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

台积电的光刻机安装了远程自毁功能

台积电的光刻机安装了远程自毁功能 世界最大的先进芯片代工厂台积电为其最先进光刻机来自荷兰 ASML 公司的极紫外光刻机安装了远程自毁功能，以防万一紧急情况下使用。据彭博社报道，此举是为了缓解美国的担忧。来源 ， 频道：@kejiqu 群组：@kejiquchat

锁死半导体发展的，也许不是光刻机而是电费

锁死半导体发展的，也许不是光刻机而是电费 EUV 光源的能源转换效率只有 0.02% 左右，耗电量是传统ArF光刻机的10倍。那些没被转换成极紫外光的99.98%电能，大都会转换成热量耗散而去，这又需要耗费大量电力去散热。 #阅读材料

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争 该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASML High NA EUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML 认为“在可预见的未来”，其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备公司 SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33 NA（数值孔径） EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现，但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。 ... PC版： 手机版：