日本对华芯片制造设备出口限制生效

日本对华芯片制造设备出口限制生效日本对先进芯片制造设备的出口限制于周日生效，这与美国主导的阻碍中国开发可用于军事目的的高端半导体能力的努力一致。日本根据外汇法修改了通商省条例，增加了23个需要出口许可的芯片制造项目。此举引发了中国的强烈反对，尽管日本没有具体说明世界第二大经济体是出口限制的主要目标。根据新规定，日本的限制物品清单现在包括用于清洁、检查和光刻的设备，光刻是一种用于创建可蚀刻到半导体晶圆上的复杂图案的技术，这对于生产尖端芯片至关重要。日本政府简化了向42个国家和地区出口此类设备的流程，其中包括日本、韩国和台湾的重要安全盟友美国。大约10家参与制造此类设备的日本公司可能会受到该法规的影响。——

光威首发长江存储128层闪存SSD：2TB要价1769元

光威首发长江存储128层闪存SSD：2TB要价1769元10月17日，光威(Gloway)宣布推出新款PCIe4.0SSDUltimate系列，首次采用长江存储128层堆叠3DTLCNAND闪存芯片。新品是标准的M.22280形态，基于长江存储第三代闪存X2-9060，Xtacking2.0技术架构，性能强劲，品质可靠，素质过硬，具备更高的IO传输速度。更高的密度，在各项测试中表现卓越，大容量1TB、2TB。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328047.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328047.htm

中微公司尹志尧：公司等离子体刻蚀设备已应用于 128 层及以上的量产

中微公司尹志尧：公司等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产中微公司董事长、总经理尹志尧3月19日在2023年度业绩说明会上表示，在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。