SK hynix将在2023年CES上展示节能、高性能的内存产品

SKhynix将在2023年CES上展示节能、高性能的内存产品随着全球科技公司追求处理数据速度更快、同时消耗更少能源的产品,对高能效内存芯片的关注一直在上升。SKhynix称将在2023年CES上展出的产品将以出色的每瓦特性能和表现来满足客户的这种需求。此次展会上提出的核心产品是PS1010E3.S,这是一款由多个176层4DNAND组成的eSSD产品,支持第五代PCIe接口。SKhynix表示,尽管目前行业不景气,但服务器芯片市场仍在继续增长,因此,结合公司的行业领先技术,推出PS1010是非常及时的。与上一代产品相比,PS1010产品在读和写的速度上都有提高,分别为130%和49%。其每瓦性能也提高了75%以上,帮助客户降低服务器运行成本和碳排放。将在展会上推出的其他产品有:用于高性能计算的全球最佳规格的存储器产品HBM3、采用PIM技术的GDDR6-AiM以及能够灵活扩展存储器容量和性能的CXL存储器。SKhynix还将展示SKenmove的浸入式冷却技术,该技术专注于能源效率,该技术旨在帮助冷却服务器在运行过程中产生的热量。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336499.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1336499.htm

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SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称,最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准,而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面,HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据,相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外,通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充(MR-MUF)尖端技术,该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性,即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品,而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示,该公司通过开发HBM3E,进一步增强了HBM产品阵容的完整性,从而巩固了其市场领导地位,而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额,SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm

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SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后,公司成功开发了24GB封装产品,该产品的内存容量比之前的产品增加了50%,"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品,以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑(MR-MUF)技术,提高了工艺效率和性能稳定性,而硅通孔(TSV)技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%,实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术,能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品,"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备,以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM,因其在实现高性能计算(HPC)系统中运行的生成式人工智能中的关键作用,已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm

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SKhynix发布321层TLCNAND1Tb闪存技术将于2025年上半年量产该公司表示,已量产的全球最高238层NAND的成功为其积累了技术竞争力,为321层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破,SKhynix将开启300层以上NAND的时代,引领市场潮流。"321层1TbTLCNAND与早一代238层512Gb相比,生产率提高了59%,这得益于技术的发展,它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量,这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。ChatGPT的推出加速了生成式人工智能市场的发展,自此,对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此,在本届FMS上,SKhynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案,包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能,充分满足客户对高性能的需求。同时,SKhynix还宣布已开始开发下一代PCIeGen6和UFS5.0,并通过这些产品获得了更完善的解决方案开发技术。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1375869.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1375869.htm

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2023年4月26日SK海力士(SKhynix)公布了截至2023年3月31日的2023财年第一财季财务报告,因存储器半导体市场持续低迷,需求疲软和产品价格下跌,本季度营收环比减少,且营业亏损加大。SK海力士表示,预计第一季度为低点,销量会逐渐递增,第二季度业绩会有所回升。财报显示,SK海力士在2023财年第一财季的收入为5.0881万亿韩元(约合38.04亿美元/人民币263.33亿元),同比减少58%,环比减少34%;营业亏损为3.4023万亿韩元(约合25.43亿美元/人民币176.24亿元),相比去年同期是由盈转亏,环比减少79%;净亏损为2.5855万亿韩元(约合19.33亿美元/人民币133.81亿元),相比去年同期是由盈转亏,环比减少25%。同时营业损失率为67%,净损失率为51%。SK海力士表示,随着第一季度客户的库存转为下跌趋势,并且第二季度起存储器减产将使供应商的库存减少,预计下半年市场环境将得到改善。此外,随着面向ChatGPT等人工智能场景的服务器市场规模增长,采用高容量存储器的客户在增加,这一点也将对市场产生积极影响。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售,以提升营业收入。SK海力士财务担当副社长(CFO)金祐贤表示,今年DDR5、LPDDR5、HBM3等产品呈现需求增长趋势,SK海力士将以这些产品为中心,继续巩固人工智能时代高端市场的领导地位。频道:@TestFlightCN

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SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM

SKhynix将在清州的M15X工厂生产新型DRAM该公司计划于4月底开工,力争在2025年11月竣工,早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加,建设新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者,SKhynix希望通过扩大投资来振兴国内经济,同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来,半导体行业认为DRAM市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过60%的HBM之外,该公司还预测,在用于服务器的大容量DDR5模块产品的带动下,普通DRAM的需求将稳步上升。由于HBM需要至少两倍于普通DRAM产品的生产能力才能保证同样的产量,因此SKhynix决定,提高DRAM能力,重点发展HBM是未来发展的先决条件。公司计划在2027年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前,在清州的M15X工厂生产新型DRAM。M15X位于M15工厂附近,而M15工厂一直在扩大TSV生产能力,因此最适合优化HBM生产。此外,SKhynix还将按计划进行其他国内投资,包括龙仁半导体产业园,并将向该产业园注入约120万亿韩元。龙仁项目正在加速推进,基础工程的进度已达到26%,比目标快3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成,从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年3月开始建设位于龙仁的第一座工厂,并于2027年5月竣工。就整个SK集团而言,SKhynix的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来,SKhynix根据其"未来愿景"计划,自2014年起已累计投资46万亿韩元,在韩国新建三座晶圆厂--利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SKhynix预计,对M15X和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国,同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型,M15X将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用,"SKhynix总裁兼首席执行官郭能静(KwakNoh-Jung)说。"我们相信,这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃,为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428482.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428482.htm

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