台积电致股东书：N2预计于2024试产、看好N3家族长期需求

台积电致股东书：N2预计于2024试产、看好N3家族长期需求技术发展方面，台积电致股东营业报告书说，公司的N2技术提供全制程效能和功耗效率的效益；相较于N3E，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，台积电期盼以此进一步扩展公司未来的技术领先地位。报告提到，N2技术的研发依计划进行中，预计于2024试产，并于2025年量产。台积电致股东营业报告书提到，N5家族技术已迈入量产的第三年，为台积电营收贡献26%，公司持续强化N5家族的效能、功耗和密度；N4已于2022年开始量产，且公司也为支持下一波的N5产品，推出了N4P和N4X制程技术。N4P制程技术研发进展顺利，预计于2024量产。继N3技术于2022年进入量产，N3E预计于2024下半年量产。台积电特别提到，N3和N3E客户参与度非常高，量产第一年和第二年的产品设计定案数量将是N5的两倍以上。公司预期N3家族将成为台积电另一个大规模且有长期需求的制程技术。据台媒中央社此前报道，台积电于美国时间26日举办北美技术论坛。台积电总裁魏哲家在会上表示，N3E、N3AE制程预计于今年量产；强化版N3P制程预计2024年下半年量产；N2制程在良率和元件性能进展良好，将如期于2025年量产；N3X制程预计于2025年进入量产。此外，先进封装方面，台积电正在开发具有高达6个光罩尺寸（约5000平方毫米）重布线层（RDL）中介层的CoWoS解决方案，能够容纳12个高频宽存储堆叠。三维芯片堆叠部分，台积电推出SoIC-P，作为系统整合芯片（SoIC）解决方案的微凸块版本，提供具有成本效益的方式来进行3D芯片堆叠。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358349.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358349.htm

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产台积电宣布，2纳米制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产。同时台积电也推出新3纳米技术，其中强化版3纳米制程预计2024年下半年量产。据台湾中央社报道，台积电于美国时间星期三（4月26日）在北美技术论坛揭示最新技术发展情况。其中，台积电宣布2纳米技术采用纳米片电晶体架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于升级版3纳米（N3E）制程技术，2纳米在相同功耗下，速度最快可增加15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，晶片密度增加超过15%。随着3纳米制程已进入量产，N3E制程预计将于2023年量产，台积电将进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版3纳米（N3P）预计于2024年下半年进入量产。台积电说，相较于N3E制程，N3P在相同功耗下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5%至10%，晶片密度增加4%。为让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程，台积电预计2023年推出N3AE，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK）。

台积电熊本厂开幕 年底量产成为日本最先进晶圆厂

台积电熊本厂开幕年底量产成为日本最先进晶圆厂台积电熊本厂今天（24日）开幕，年底量产后将成为日本最先进的逻辑晶圆厂。台积电熊本厂自2022年4月动工，20个月就快速完工开幕。第四季将量产12纳米、16纳米、22纳米及28纳米制程。台积电今年2月进一步宣布在熊本扩建，2024年底开始兴建第2座晶圆厂，2027年底量产，增加提供6纳米、7纳米及40纳米制程技术。

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺消息人士称，高通已计划在2023第四季度推出骁龙8Gen3作为其下一代旗舰SoC，即将推出的SoC将使用台积电的N3E工艺制造。此外，高通已经使用台积电的4nm工艺生产其Snapdragon8Gen2SoC，该芯片应用于新的三星GalaxyS23旗舰智能手机系列。消息人士指出，联发科计划在2024年开始使用台积电的3nm制造工艺，预计最早将于12月推出采用N3E工艺制造的解决方案。消息人士称，OPPO已经订购了台积电的4nm工艺芯片，也计划向代工厂订购3nm芯片。不久前，据业内消息人士透露，博通已向台积电下了3nm芯片订单，与苹果、高通、联发科、英伟达和AMD一起排队等待台积电的N3和N3E工艺制程。台积电方面，据悉，已于2022年12月29日在中国台湾南部科学园（STSP）的18号晶圆厂新址举行了3nm量产扩产仪式。在市场需求方面，台积电董事长刘德音称，台积电3nm制程市场需求非常强劲，3nm制程技术量产首年开始，每年带来的收入都会大于同期的5nm。根据估计，3nm技术量产5年内，将会释放全世界1.5万亿美元的终端产品价值。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345487.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1345487.htm

台积电7nm以下工艺涨价6% NVIDIA、AMD、联发科已接受

台积电7nm以下工艺涨价6%NVIDIA、AMD、联发科已接受根据台积电最新公布的第三季财报显示，台积电3nm制程的营收在总营收当中的占比已达6%，这主要得益于搭载A17Pro处理器的iPhone15Pro系列的出货；5nm制程占比37%，相比二季度增长了7个百分点；7nm制程占比16%，相比二季度减少了7个百分点。7nm及更先进的制程营收的占比为59%，相比二季度减少了6个百分点。由于目前台积电3nm制程仅苹果一家大客户，这也导致台积电3nm营收占比增长有限。不过，随着后续高通、联发科旗舰芯片的相继投片，台积电先进制程营收占比将有望进一步上升。另外，在日前的三季度法说会上，台积电还表示，2nm制程有望在2025年量产，具体将会在新竹宝山与高雄2座晶圆厂同步进行。据了解，台积电的2nm制程工艺将放弃传统的FinFET晶体管工艺，转向GAA全环绕栅极晶体管架构（台积电的版本命名为Nanosheet），相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15%，同性能下功耗下降25-30%，但晶体管密度提升仅10-20%。另外，作为2nm制程技术平台的一部分，台积电也在研发背面供电（backsidepowerrail）解决方案，该设计最适于高性能计算相关应用。根据台积电的规划，目标是在2025年下半年推出背面供电技术供客户采用，并于2026年量产。随着台积电持续强化的策略，2nm及其衍生技术将进一步扩大台积电的技术领先优势。至于价格方面，2nm制程的晶圆代工报价可能将会由3nm的2万美元/片，进一步上涨至2.5万美元/片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391553.htm

台积电计划到2027年将特种工艺产能扩大50%

台积电计划到2027年将特种工艺产能扩大50%台积电业务发展暨海外运营处副总裁张晓强（KevinZhang）表示，“过去台积电总是对即将建成的晶圆厂进行预先审查再决定，但台积电很长一段时间以来，第一次一开始就决定兴建专为将来特殊工艺设计的晶圆厂，以满足未来需求。未来4~5年，台积电特殊工艺产能将增长至1.5倍，我们将扩大制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”据悉，台积电除了用于制造逻辑芯片N5、N3E等众多节点，还为功率半导体、混合模拟I/O芯片和超低功耗应用（如物联网）等应用提供一系列专用节点，这些工艺通常使用较成熟制程。台积电近年来扩张战略的几个目标，包括在中国台湾以外地区设立新的晶圆厂，以及全面扩大产能，以满足未来对各种工艺技术的需求。据了解，截至目前，台积电最先进的专用节点是N6e，即N7/N6的变体，支持0.4V、0.9V工作电压。随着N4e节点的推出，台积电正在研究低于0.4V的电压。台积电目前尚未透露关于新节点的更详细信息，预计明年将会有更多消息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431778.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431778.htm