台积电：明年N28及以下技术海外产能将比2020年增加3倍

台积电：明年N28及以下技术海外产能将比2020年增加3倍1.从2017年到2019年，台积电平均每年建设两期晶圆厂；2.从2020年到2023年，晶圆厂建设的平均值将大幅增长到5左右；3.在过去的两年里，台积电共启动了10期晶圆厂的建设，其中包括中国台湾的5期晶圆厂，中国台湾的2期先进封装厂，以及海外的3期晶圆厂；3.到2024年，N28及以下技术的海外产能将比2020年增加3倍；4.在中国台湾，台南Fab18的第5、6和8期是台积电N3的量产基地。此外，台积电正在准备新的晶圆厂，新竹的Fab20和台中的一个新工厂，用于N2生产；5.在美国，台积电正计划在亚利桑那州建设两座晶圆厂，第一座N4晶圆厂已经开始设备搬入并将于2024年量产；第二座晶圆厂正在建设中，计划生产N3制程；这两座晶圆厂的总产能将达到60万片/年；6.在日本熊本，台积电正在建设一家晶圆厂，为N16/12和N28系列技术提供代工服务，以满足全球市场对特种技术的强劲需求。该晶圆厂的建设已经开始，并将于2024年量产。7.在中国大陆，N28技术的新产能于2022年开始量产。此外，台积电揭示了最新技术发展情况，包括N2制程技术进展、新N3制程技术、3DFabric先进封装及硅晶堆叠的系统整合技术等。台积电宣布N3E、N3AE制程预计于今年量产；强化版N3P制程预计2024年下半年量产；N2制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产；N3X制程预计于2025年进入量产。据了解，支持更佳功耗、性能与密度的强化版N3P，相较于N3E制程，在相同功耗下速度增快5%；在相同速度下功耗降低5%至10%，芯片密度增加4%。N3X制程着重于性能与最大时脉频率，相较于N3P制程，在驱动电压1.2伏特下，速度增快5%，并拥有相同的芯片密度提升幅度。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357501.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357501.htm

台积电：N3 N2工艺节点不担心被超越 2nm芯片有望2025年量产

台积电：N3N2工艺节点不担心被超越2nm芯片有望2025年量产有投资者提问，台积电先进制程是否担心被竞争对手追上或超越？刘德音表示，台积电从来不低估竞争对手，所以在先进制程方面不遗余力，但不评论竞争对手。以最近N3、N2工艺节点的进展来看，至少不担心这两个节点被超越，但这不代表未来没有这个可能。因此，台积电会更努力去发展更先进的技术。关于台积电最先进的制程工艺，魏哲家表示，目前可以讲，1.4nm一定比2nm好，目前还处于研发阶段。台积电在股东会上还表示，2nm芯片有望2025年量产，客户对2nm芯片的高性能计算和智能手机应用非常感兴趣。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1372071.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1372071.htm

台积电首度揭示两纳米制程 2025年量产

台积电首度揭示两纳米制程2025年量产全球芯片制造商巨头台积电今天首次推出采用纳米片电晶体的下一世代先进两纳米制程技术，成为全球第一家率先提供两纳米制程代工服务的晶圆厂，预计2025年开始量产。综合台湾《联合报》《自由时报》报道，台积电北美技术论坛今天于美国加州圣克拉拉市恢复举办实体论坛，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。台积电此次在论坛上首度宣布两纳米（N2）技术进展明确时程，指出N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10％至15％；在相同速度下，功耗也降低25％至30％，开启了高效效能的新纪元。台积电称，N2将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。台积电技术论坛主要的技术焦点还包括支援三纳米（N3）及N3E的TSMCFINFLEX技术，公司称，领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产，并将搭配创新的TSMCFINFLEX架构，提供晶片设计人员更多灵活性。台积电称，TSMCFINFLEX技术提供多样化的标准元件选择，鳍结构支援超高效能，也支援最佳功耗效率与电晶体密度，能精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的晶片上。...发布：2022年6月17日3:41PM

消息称台积电3nm工艺将于9月量产

消息称台积电3nm工艺将于9月量产据台媒报道，台积电3nm（N3）制程在完成技术研发及试产后，预计第三季下旬投片量开始大幅拉升，第四季月投片量将达上千片水准，开始进入量产阶段。半导体设备业者指出，以台积电N3制程试产情况来看，预期9月进入量产后，初期良品率表现会比之前5nm（N5）制程的初期更好。台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家此前也表示过，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备良好良品率。在HPC（高性能计算机群）和智能手机相关应用的驱动下，N3制程2023年将稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。据悉，台积电3nm仍然采用了鳍式场效晶体管（FinFET）架构，但N3制程已采用创新的TSMCFINFLEX技术，将3nm家族技术的PPA（效能、功耗效率以及密度）进一步提升。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306251.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306251.htm

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产

台积电宣布2纳米制程预计2025年量产台积电宣布，2纳米制程在良率和元件效能进展良好，将如期于2025年量产。同时台积电也推出新3纳米技术，其中强化版3纳米制程预计2024年下半年量产。据台湾中央社报道，台积电于美国时间星期三（4月26日）在北美技术论坛揭示最新技术发展情况。其中，台积电宣布2纳米技术采用纳米片电晶体架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于升级版3纳米（N3E）制程技术，2纳米在相同功耗下，速度最快可增加15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，晶片密度增加超过15%。随着3纳米制程已进入量产，N3E制程预计将于2023年量产，台积电将进一步推出更多3纳米技术以满足客户多样化的需求。其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版3纳米（N3P）预计于2024年下半年进入量产。台积电说，相较于N3E制程，N3P在相同功耗下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5%至10%，晶片密度增加4%。为让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程，台积电预计2023年推出N3AE，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK）。

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺

高通、联发科或将采用台积电N3E工艺消息人士称，高通已计划在2023第四季度推出骁龙8Gen3作为其下一代旗舰SoC，即将推出的SoC将使用台积电的N3E工艺制造。此外，高通已经使用台积电的4nm工艺生产其Snapdragon8Gen2SoC，该芯片应用于新的三星GalaxyS23旗舰智能手机系列。消息人士指出，联发科计划在2024年开始使用台积电的3nm制造工艺，预计最早将于12月推出采用N3E工艺制造的解决方案。消息人士称，OPPO已经订购了台积电的4nm工艺芯片，也计划向代工厂订购3nm芯片。不久前，据业内消息人士透露，博通已向台积电下了3nm芯片订单，与苹果、高通、联发科、英伟达和AMD一起排队等待台积电的N3和N3E工艺制程。台积电方面，据悉，已于2022年12月29日在中国台湾南部科学园（STSP）的18号晶圆厂新址举行了3nm量产扩产仪式。在市场需求方面，台积电董事长刘德音称，台积电3nm制程市场需求非常强劲，3nm制程技术量产首年开始，每年带来的收入都会大于同期的5nm。根据估计，3nm技术量产5年内，将会释放全世界1.5万亿美元的终端产品价值。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1345487.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1345487.htm