三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单三星的2纳米节点被称为SF2，有望在2025年交付量产芯片，这意味着2024年的大部分时间都将用于测试、验证和风险生产，预计该节点将在年底投入使用。与SF3（3纳米EUVFinFET）相比，三星SF2的能效（等时钟）提高了25%，性能提高了12%。在半导体制造市场，三星SF2的竞争对手是台积电N2和英特尔20A。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1419221.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1419221.htm

三星制定1纳米工艺节点计划 七月公布 预计2026年量产

三星制定1纳米工艺节点计划七月公布预计2026年量产有趣的是，三星已决定将其1纳米生产时间表从2027年提前到2026年，因此，如果一切按计划进行，2纳米"SF2"工艺将于2025年亮相。关于三星1nm节点的预期，目前披露的信息还不多，但总体而言，1nm工艺被视为计算和半导体领域的一个突破，有望带来超强的性能和效率。一名三星工程师手持公司首批3纳米GAA晶圆就推出时间表而言，这家韩国巨头目前领先于竞争对手。英特尔代工厂计划在2028年量产10A（1纳米）工艺，台积电计划在2030年量产1纳米工艺。因此，三星现在看来领先了好几年。既然他们已经推迟了时间表，那么在工艺质量和性能方面还能做出什么更有意义的承诺，我们将拭目以待。因此，可以说摩尔定律仍然在继续。不过，我们不会质疑它在当代的意义，主要是因为专注于其他因素（如加强架构进步）带来了巨大的性能提升。在人工智能计算时代，工艺缩减发挥了作用，但其他因素的进步也在市场中占据了更重要的位置。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432922.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432922.htm

台积电拟调涨代工价格 传三星全力提升 3 纳米良率抢单

台积电拟调涨代工价格传三星全力提升3纳米良率抢单据报道，三星电子最大的竞争对手台积电，正在利用稳定的良率扩大订单，对此传三星正全力加速提升3纳米制程良率，以及自身独特的制程优势，期望能够提升晶圆代工市占率。韩媒MoneyToday引述业界消息人士说法，指三星晶圆代工事业部已将改善3奈米良率，当成首要努力任务。相关人士指出，三星目前的首要任务，是计划提高2024年下半量产的3纳米GAA制程良率，目标是达成与竞争对手相似或更高的良率。

韩媒称台积电3nm良率仅有50% 三星3nm良率已达“完美水准”

韩媒称台积电3nm良率仅有50%三星3nm良率已达“完美水准”对于这样的说法，韩国方面是绝对不服的。1月10日消息，根据韩国经济日报的报道，市场消息人士表示，三星目前已经大幅提高了其最尖端的3nm制程的良率与产量，用以相抗衡也已正式大规模量产3nm制程的晶圆代工龙头台积电。报导指出，南韩三星在2022年6月底正式宣布量产采用GAA技术的3nm制程，而采用该制程的首家客户是中国的一家IC设计公司。不过，因为当时三星的3nm制程被爆出良率仅有10%-20%左右，使得其他潜在客户没有兴趣。但是，一位三星的高层指出，现阶段三星的3nm制程良率已经达到“完美水准”，而且也在毫不迟疑地开发第二代的3nm制程。报导还强调，台积电在日前才开始宣布大量生产的3nm制程，是采用传统的FinFET技术，而三星的3nm制程则是业界首个采用GAA技术的节点制程技术，可以有效的提高芯片的性能与降低能耗。因此，三星3nm制程的良率得以提升，即代表着能推进该节点制程的获利能力的提升。另外，虽然台积电落后三星量产3nm制程技术约半年的时间，但此前根据相关媒体报导指出，未来将由苹果公司首先采用的台积电3nm制程良率高达85%，明显优于三星。不过，对于这样的良率表现，韩国市场人士似乎并不相信，称这样的成绩是被夸大了的。因为强调考量到台积电供应3nm芯片给首个采用的客户——苹果的数量与时间，预估其良率最高只有50%。报导进一步指出，在三星与台积电都进入3nm制程的时代之后，未来3nm制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此，预计到2025年之际，3nm制程市场的产值将会高达255亿美元，超越当时5nm制程预估的193亿美元产值。根据市场调查单位TrendForce的调查数据显示，2022年第三季，在全球晶圆代工市场中，台积电仍以53.4%市场份额稳居第一，排名第二的三星市场份额仅16.4%。所以，在市场烈竞争下，也使得3nm制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1338525.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1338525.htm

功耗降低34% 三星发布第二代3nm工艺：4年后直奔1.4nm

功耗降低34%三星发布第二代3nm工艺：4年后直奔1.4nm三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高性能工艺，三星提到该工艺相比SF4（4nmLPP）工艺，在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%，或者功耗降低34%，面积缩小21%。这个提升幅度很大，但是三星对比的是二代3nm与4nm，没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。根据三星公布的路线图，SF3工艺预计在2024年量产，之后还会有增强版的SF3P，也就是3GAP+，2025年量产。再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺，2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358973.htm

三星电子公布2纳米芯片量产路线图 将于2027年量产1.4纳米芯片

三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月，三星电子开始量产采用GAA（全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm