美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备,每个设备的数据传输速率为9.2GT/s,峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比,HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%,这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构,计算性能与H100相同。同时,它配备了141GBHBM3E内存,带宽达4.8TB/s,比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β(1-beta)工艺技术生产其HBM3E,这对该公司来说是一项重大成就,因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品,这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品,代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固,与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就,目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要,因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品,从而有可能增加收入和利润率,同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示:"美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠:领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量,美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图,以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合,在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

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美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存美光公司总裁兼首席执行官SanjayMehrotra在公司财报电话会议上表示:"我们推出的HBM3E产品受到了客户的强烈关注和热捧。"美光在HBM市场上处于劣势,仅占10%的市场份额,而领先于竞争对手三星和SKHynix推出HBM3E(该公司也称之为HBM3Gen2)对美光来说是一件大事。该公司显然对其HBM3E寄予了厚望,因为这很可能使其领先于竞争对手(赢得市场份额)提供优质产品(提高收入和利润)。通常情况下,内存制造商往往不会透露其客户的名称,但这次美光强调,其HBM3E是客户路线图的一部分,并特别提到英伟达(NVIDIA)是其盟友。与此同时,NVIDIA迄今公布的唯一支持HBM3E的产品是其GraceHopperGH200计算平台,该平台采用了H100计算GPU和GraceCPU。Mehrotra说:"在整个开发过程中,我们一直与客户密切合作,并正在成为他们人工智能路线图中紧密结合的合作伙伴。美光HBM3E目前正处于英伟达计算产品的资格认证阶段,这将推动HBM3E驱动的人工智能解决方案的发展。"美光的24GBHBM3E模块基于8个堆叠的24Gbit内存模块,采用公司的1β(1-beta)制造工艺。这些模块的日期速率高达9.2GT/秒,使每个堆栈的峰值带宽达到1.2TB/秒,比目前最快的HBM3模块提高了44%。同时,该公司不会止步于基于8-Hi24Gbit的HBM3E组件。该公司已宣布计划在开始量产8-Hi24GB堆叠之后,于2024年推出容量更高的36GB12-HiHBM3E堆叠。美光首席执行官补充说:"我们预计在2024年初开始HBM3E的量产,并在2024财年实现可观的收入。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387065.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1387065.htm

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