台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器作为2024年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为HBM4制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其N12和N5工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在HBM4制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前还不具备经济地生产这种先进逻辑芯片的能力（如果它们能生产的话）。对于第一波HBM4，台积电准备采用两种制造工艺：N12FFC+和N5。虽然它们的目的相同--将HBM4E内存与下一代AI和HPC处理器集成，但它们将以两种不同的方式连接用于AI和HPC应用的高性能处理器内存。台积电设计与技术平台高级总监表示："我们正与主要的HBM存储器合作伙伴（美光、三星、SK海力士）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。N12FFC+高性价比基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以更低的功耗提供更多的逻辑。"台积电采用N12FFC+制造工艺（12纳米FinFetCompactPlus，正式属于12纳米级别的技术，但其根源来自台积电久经考验的16纳米FinFET生产节点）制造的基础芯片将用于在系统级芯片（SoC）旁边的硅中间件上安装HBM4存储器堆栈。台积电认为，他们的12FFC+工艺非常适合实现HBM4性能，使内存供应商能够构建12-Hi(48GB)和16-Hi堆栈（64GB），每堆栈带宽超过2TB/秒。高级总监说："我们还在为HBM4优化CoWoS-L和CoWoS-R。CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的2000多个互连的路由，并具有[适当的]信号完整性"。N12FFC+上的HBM4基础芯片将有助于使用台积电的CoWoS-L或CoWoS-R先进封装技术构建系统级封装(SiP)，该技术可为内插件提供高达8倍网纹尺寸的空间，足以容纳多达12个HBM4存储器堆栈。根据台积电的数据，目前，HBM4在电流为14mA时的数据传输速率可达6GT/s。台积电代表解释说："我们与Cadence、Synopsys和Ansys等EDA合作伙伴合作，对HBM4通道信号完整性、IR/EM和热精度进行认证。"同时，作为更先进的替代方案，内存制造商还可以选择台积电的N5工艺来生产HBM4基础芯片。采用N5工艺的基础芯片将包含更多的逻辑，功耗更低，性能更高。但可以说最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，大约为6至9微米。这将使N5基本芯片与直接键合技术结合使用，从而使HBM4可以直接在逻辑芯片上进行三维堆叠。直接键合技术可实现更高的内存性能，这对于一直在渴求更多内存带宽的人工智能和高性能计算芯片来说将是一个巨大的推动。我们已经知道台积电和SKHynix正合作开发HBM4基础芯片。台积电很可能也会为美光生产HBM4基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为这家企业集团已经通过其三星代工部门拥有了自己的先进逻辑晶圆厂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431173.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431173.htm

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器作为2024年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了有关将为HBM4制造的基础芯片的一些新细节，该芯片将使用逻辑工艺构建。由于台积电计划采用其N12和N5工艺的变体来完成这项任务，该公司预计在HBM4制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前没有能力经济地生产如此先进的逻辑芯片——如果他们能够生产的话他们根本。对于第一波HBM4，台积电准备使用两种制造工艺：N12FFC+和N5。虽然它们服务于相同的目的——将HBM4E内存与下一代AI和HPC处理器集成——但它们将以两种不同的方式用于连接AI和HPC应用程序的高性能处理器的内存。台积电设计与技术平台高级总监表示：“我们正在与主要HBM内存合作伙伴（美光、三星、SK海力士）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。”“N12FFC+具有成本效益的基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以低得多的功耗提供更多逻辑。”台积电采用N12FFC+制造工艺（12nmFinFetCompactPlus，正式属于12nm级技术，但其根源于台积电经过充分验证的16nmFinFET生产节点）制造的基础芯片将用于在硅片上安装HBM4内存堆栈片上系统(SoC)旁边的中介层。台积电认为，他们的12FFC+工艺非常适合实现HBM4性能，使内存供应商能够构建12-Hi(48GB)和16-Hi堆栈(64GB)，每堆栈带宽超过2TB/秒。“我们还在针对HBM4优化CoWoS-L和CoWoS-R，”台积电高级总监说道。“CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的路由超过2,000个互连，并具有[适当的]信号完整性。”N12FFC+上的HBM4基础芯片将有助于使用TSMC的CoWoS-L或CoWoS-R先进封装技术构建系统级封装(SiP)，该技术可提供高达8倍标线尺寸的中介层—足够的空间容纳多达12个HBM4内存堆栈。根据台积电的数据，目前HBM4可以在14mA电流下实现6GT/s的数据传输速率。“我们与Cadence、Synopsys和Ansys等EDA合作伙伴合作，验证HBM4通道信号完整性、IR/EM和热精度，”台积电代表解释道。同时，作为一种更先进的替代方案，内存制造商还可以选择采用台积电的N5工艺来生产HBM4基础芯片。N5构建的基础芯片将封装更多的逻辑，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。但可以说，最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，约为6至9微米。这将允许N5基础芯片与直接键合结合使用，从而使HBM4能够在逻辑芯片顶部进行3D堆叠。直接键合可以实现更高的内存性能，这对于总是寻求更多内存带宽的AI和HPC芯片来说预计将是一个巨大的提升。我们已经知道台积电和SK海力士在HBM4基础芯片上进行合作。台积电也可能为美光生产HBM4基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为该集团已经通过其三星代工部门拥有自己的先进逻辑工厂。台积电特殊工艺产能扩产50%随着德国和日本的新工厂全部建成，以及中国产能的扩张，台积电计划到2027年将其特种技术产能扩大50%。该公司在欧洲技术研讨会上透露本周，台积电预计不仅需要转换现有产能以满足特殊工艺的需求，甚至还需要为此目的建造新的（绿地）晶圆厂空间。这一需求的主要驱动力之一将是台积电的下一个专用节点：N4e，一个4纳米级超低功耗生产节点。“过去，我们总是对即将建成的晶圆厂进行审查阶段，但在台积电很长一段时间以来，我们第一次开始建设绿地晶圆厂，以满足未来的专业技术要求，”台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁KevinZhang博士出席活动时候说。“在未来四到五年内，我们的专业产能实际上将增长1.5倍。通过这样做，我们实际上扩大了制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”除了N5和N3E等著名的主要逻辑节点之外，台积电还为功率半导体、混合模拟I/O和超低功耗应用（例如物联网）等应用提供一套专用节点。这些通常基于该公司的落后制造工艺，但无论底层技术如何，这些节点的容量需求都随着台积电主要逻辑节点的需求而增长。所有这些都要求台积电重新评估他们如何规划其专业节点的容量。台积电近年来的扩张战略追求几个目标。其中之一是在台湾以外建立新的晶圆厂；另一个是普遍扩大产能，以满足未来对所有类型工艺技术的需求——这就是该公司正在建设专业节点产能的原因。目前，台积电最先进的专用节点是N6e，是N7/N6的变体，支持0.4V至0.9V之间的工作电压。对于N4e，台积电正在考虑低于0.4V的电压。尽管目前台积电并未透露太多计划节点的技术细节；考虑到该公司在这里的历史，我们预计一旦新流程准备就绪，他们明年将有更多的话题可以讨论。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431253.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431253.htm

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品 完善中高端移动设备市场布局

长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品完善中高端移动设备市场布局据介绍，LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。长鑫存储是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码（On-dieECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。据悉，长鑫存储LPDDR5芯片将面向笔记本电脑、智能手机、平板电脑、可穿戴设备应用。官网信息显示，长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)设计、研发、生产和销售。DRAM产品广泛应用于手机、电脑、平板、服务器等领域。长鑫存储创立于2016年，总部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品。LPDDR全程LwoPowerDoubleDataRate，简称“低功耗内存”，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存所指定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。而LPDDR5就是最新的标准。相比较于LPDDR4X，搭载了LPDDR5内存的手机，在启动游戏或者加载应用的时候，速度也会更快，更重要的是，电量消耗更低。SK海力士近日表示，存储行业正迈入全面复苏阶段，预计所有应用的出货量都有望实现增长。其中智能手机方面，伴随部分换机周期来临，2024年智能手机出货量预计增长5%。由于今年下半年新机发售加上旗舰产品组合增加，LPDDR5需求会持续加速。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400527.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400527.htm

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存 2024年第一季度完成验证

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存2024年第一季度完成验证而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示：美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。且CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。四代HBM规格对比至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外，也将再往16hi(16层)发展。预计，HBM412hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。据悉，在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie（又名Basedie）将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400111.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400111.htm