三星和 SK 海力士正在提高 DRAM 产量 将恢复至削减前水平

三星和SK海力士正在提高DRAM产量将恢复至削减前水平随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。Omdia表示，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

三星：公司今年 HBM 产能将是去年的 2.9 倍 高于此前预期

三星：公司今年HBM产能将是去年的2.9倍高于此前预期日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024上，三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管HwangSang-joong表示，预计该公司将增加HBM芯片产量，今年产量是去年的2.9倍。三星今年年初在CES2024上给出的预测为2.5倍。三星预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍；到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队并加速AI芯片Mach系列开发业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管HwangSang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425761.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1425761.htm

三星计划在DRAM行业"反弹"之际提高DDR5产量

三星计划在DRAM行业"反弹"之际提高DDR5产量三星和SKHynix等行业领军企业已经大幅削减了产能，但这仅限于较老的DDR4内存，公司现在正将重点转向未来的内存标准，即DDR5。DRAM行业第二季度报告图片来源：TrendForceTrendForce台湾《经济日报》报道称，三星已决定加强在DDR5技术中使用的电源管理IC，以应对未来的需求。三星是为数不多的专门从事IC生产的制造商之一，它认为在未来几个月内，DDR5将得到更广泛的应用，需求有望达到新的水平。这一预测并没有错，因为英特尔和AMD等CPU制造商在未来的产品线中均将完全转向DDR5，如ArrowLake将结束与DDR4的兼容。此外，AMD明年将更加重视AM5产品线，最新的Ryzen8000"GraniteRidge"APU将用于台式机，"Strix/HawkPoint"将用于笔记本电脑。事实上，英特尔和AMD等主要PC平台制造商已经预计明年推出的新平台将开始支持DDR5规格的DRAM，这意味着对DDR4的需求将逐渐下降。除消费者外，由于英特尔第五代至强"EmeraldRapids"也将仅支持DDR5，因此预计服务器计算行业也将迅速采用DDR5。这表明，DRAM行业的需求可能会因为行业向DDR5标准的转变而大幅提升。此外，如果我们从DDR5开始以来的成本趋势来看，情况要好得多，它正在缩小与传统DDR4的价格差距，使消费者确信要转用新标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388749.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388749.htm

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存

三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MRMUF工艺，与TCNCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存(HBM)，但非常适合3DSRDIMM，而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造，主要用于服务器。(TheElec)