消息称 HBM4 标准放宽 三星、SK 海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽三星、SK海力士推迟引入混合键合技术据科技媒体ZDNETKorea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

黄仁勋：三星是一家非常优秀的公司，英伟达正验证其 HBM 内存

黄仁勋：三星是一家非常优秀的公司，英伟达正验证其HBM内存本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在HBM上可谓是一掷千金”。本次大会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsungisavery,verygoodcompany.）。黄仁勋表示目前已经开始验证三星的HBM内存芯片，并考虑在未来下单采购。线索：@ZaiHuabot投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星HBM内存芯片英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存(HBM)芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的HBM芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存(HBM)芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”——