再传因台积电生产延误 骁龙8 Gen 3可能转向三星的3纳米GAA工艺

再传因台积电生产延误骁龙8Gen3可能转向三星的3纳米GAA工艺台积电之前被认为是高通骁龙8Gen3的独家供应商，它是在4纳米节点上批量生产的。但针对这款芯片明年有大量的不确定因素，特别是当涉及到哪个合作伙伴将承接骁龙8Gen3的订单时。Twitter博主@OreXda认为，三星"很可能"有望完成这些订单，这主要是由于台积电在其自身的3纳米工艺上遇到了问题。除此之外，最近的一份报告称，台积电的3纳米晶圆价格已突破2万美元大关，因此，高通仅依靠一家制造商来生产骁龙8Gen3产品是不经济的。然而三星在其3纳米GAA生产方面也有问题，据说良品率只有可怕的20%。幸运的是，这家韩国巨头已经向一家名为SiliconFrontlineTechnology的美国公司寻求援助，该公司正在帮助三星提高良率。目前，据说三星还没有找到旨在使用其3纳米GAA芯片的智能手机合作伙伴，但据传高通公司已经审查了这项尖端技术的样品，很可能是希望在未来达成交易。假设三星能够克服产量问题，其GAA工艺预计将带来大量好处，如降低功耗达45%，提高性能23%。第二代3纳米GAA工艺可能在2024年开始量产，将带来更多的性能和功率效率优势，因此三星显然有一个路线图，旨在从台积电手中夺取市场份额。自然，现在对骁龙8代进行假设还为时过早，但我们将在未来几个月获得更多信息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1333545.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1333545.htm

三星电子公布2纳米芯片量产路线图 将于2027年量产1.4纳米芯片

三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月，三星电子开始量产采用GAA（全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm

台积电盘前跌超 1.9% 业界预期超微 3 纳米晶圆代工或交付三星

台积电盘前跌超1.9%业界预期超微3纳米晶圆代工或交付三星台积电(TSM.US)美股盘前跌超1.9%，报156.35美元。消息面上，近期韩国证券业界分析认为，三星电子可能从超微获得3纳米晶圆代工订单，其中原因包括考量到台积电的产能(有限)。此外，超微提及，将从3nm开始采用环栅(GAA)晶体管结构，以提高功效和性能。目前，三星电子是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos

据传三星已启动代号为"Thetis"的2纳米芯片开发可能首先将其用于Exynos据报道，苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯（JeffWilliams）最近访问了台湾，希望从台积电（TSMC）获得首批2纳米晶圆，Naver也传出这家韩国公司将开始开发自己的2纳米工艺，代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神，也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字，可能是因为Thetis一词的词源来自于"世世代代"。此前有报道称，三星将于2025年开始量产2纳米GAA晶圆，预计其3纳米GAA技术将有三次迭代。第二代3纳米GAA节点据说将用于即将推出的Exynos2500，三星的目标是减少电流泄漏，提高这款芯片组的能效。据报道，随着"GateAllAround"技术被应用于2纳米光刻技术，三星可能会超越台积电的2纳米工艺。不幸的是，这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了3纳米GAA技术，三星的良品率也只有可怜的20%，尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍，但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐，因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的Exynos芯片组采用率。这将有助于减少三星对高通公司的依赖，降低其芯片组支出，由于三星推出的GalaxyS23系列完全采用骁龙8Gen2，导致其2023年的芯片支出高达70亿美元。在2024年第一季度的财务报告中，三星的营业利润比2023年第一季度猛增了933%，这表明该公司正在优化其各个业务部门，而这种做法对于提高其2nmGAA工艺的良品率大有裨益。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431924.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431924.htm

Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心

Arm与三星宣布共同开发2纳米GAA优化Cortex处理器核心根据该计划，两家公司的目标是为各种应用（包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统）提供基于三星2纳米级工艺技术的定制版Cortex-A和Cortex-X内核。目前，这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代2纳米生产节点SF2（将于2025年推出）共同优化Arm的Cortex内核，还是计划为所有SF2系列技术（包括SF2和SF2P）优化这些内核。通道四面都被栅极包围的GAA纳米片晶体管有很多优化选择。例如，可以拓宽纳米片沟道以增加驱动电流并提高性能，或者缩小沟道以降低功耗和成本。根据不同的应用，Arm和三星将有大量的设计选择。考虑到面向各种应用的Cortex-A内核，以及专为提供最高性能而设计的Cortex-X内核，双方合作的成果将是相当可观的。尤其期待性能最大化的Cortex-X内核、性能和功耗最优化的Cortex-A内核以及功耗更低的Cortex-A内核。如今，Arm等IP（知识产权）开发商与三星代工厂等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与Arm的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得完全符合他们需求的处理器内核。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420083.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420083.htm

三星制定1纳米工艺节点计划 七月公布 预计2026年量产

三星制定1纳米工艺节点计划七月公布预计2026年量产有趣的是，三星已决定将其1纳米生产时间表从2027年提前到2026年，因此，如果一切按计划进行，2纳米"SF2"工艺将于2025年亮相。关于三星1nm节点的预期，目前披露的信息还不多，但总体而言，1nm工艺被视为计算和半导体领域的一个突破，有望带来超强的性能和效率。一名三星工程师手持公司首批3纳米GAA晶圆就推出时间表而言，这家韩国巨头目前领先于竞争对手。英特尔代工厂计划在2028年量产10A（1纳米）工艺，台积电计划在2030年量产1纳米工艺。因此，三星现在看来领先了好几年。既然他们已经推迟了时间表，那么在工艺质量和性能方面还能做出什么更有意义的承诺，我们将拭目以待。因此，可以说摩尔定律仍然在继续。不过，我们不会质疑它在当代的意义，主要是因为专注于其他因素（如加强架构进步）带来了巨大的性能提升。在人工智能计算时代，工艺缩减发挥了作用，但其他因素的进步也在市场中占据了更重要的位置。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432922.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432922.htm