三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发

三星电子：正按计划推进eMRAM内存制程升级，8nm版本基本完成开发三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E12-Hi、128GBDDR5、64TBSSD和第9代V-NAND二季度量产首先，三星已开始量产其HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货8-Hi堆栈，随后将在第二季度推出12-Hi变体。下一代内存解决方案将在8模块芯片（如AMD的MI300X）上提供每个堆栈36GB的容量，最高可达288GB的产品。据报道，AMD已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供HBM3EDRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在DDR5DRAM方面，三星将于2024年第二季度推出1b(nm)32Gb内存模块，并投入量产。这些内存IC将用于开发高达128GB的模块。三星已经向客户交付了下一代DDR5解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘V-NAND领域推出64TB数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于2024年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第9代V-NAND固态硬盘。第9代V-NAND固态硬盘将采用QLC（四层单元）设计。有报道称，TLCV-NAND（第9代）将于本月开始生产，其传输速度将提高33%，达到3200MT/s。这些固态硬盘将采用最新的PCIeGen5标准。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429185.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429185.htm

三星开始量产当前业界最高容量密度的第八代V-NAND

三星开始量产当前业界最高容量密度的第八代V-NAND三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoiHur说："由于市场对密度更大、容量更大的存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D缩放技术来减少表面积和高度，同时避免了通常在缩小规模时出现的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。"三星通过大幅提高每片晶圆的比特生产率，实现了业界最高的容量密度。基于ToggleDDR5.0接口这一最新的NAND闪存标准，三星第八代V-NAND的输入和输出（I/O）速度可高达2.4千兆比特/秒（Gbps），比上一代产品提高了1.2倍。这将使新的V-NAND能够满足PCIe4.0以及后来的PCIe5.0的性能要求。第八代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩大下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到对可靠性特别要求的汽车市场。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1332029.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1332029.htm

SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产

SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。UFS4.0是今年5月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为23.2Gbps，是之前UFS3.1的两倍。最先提出UFS4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS4.0内存，从本月开始正式投入量产。三星电子的UFS4.0内存搭载了自主开发的UFS4.0控制器和第七代176层NAND（V7），连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s。封装水规格为长11毫米、宽13毫米，高1.0毫米。SK海力士也制定了UFS4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS4.0内存上搭载V7和V8NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。SK海力士正在开发的UFS4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s，连续写入2800MB/s水平。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米，是一种非常薄的封装形式。目前，SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品，计划明年上半年进行量产。因此，搭载V8NAND的UFS4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305133.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305133.htm