三星电子:正按计划推进 eMRAM 内存制程升级,8nm 版本基本完成开发

三星电子:正按计划推进eMRAM内存制程升级,8nm版本基本完成开发三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示,正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级,目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存,MRAM基于磁性原理,具有非易失性,不需要同DRAM内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍,支持对写入速率要求更高的应用。

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三星基本完成8nm eMRAM内存开发 速度是NAND的1000倍

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